n eaとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 全米教育協会; 米国教育協会
「n ea」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
An LD and an EA comprising an n-type lower side clad layer 12, a core layer 13, and a p-type upper side clad layer 14 are formed to an LD region and an EA region on an insulation board 11 with an isolation region inbetween.例文帳に追加
絶縁性の基板11上に分離領域を挟んでLD領域とEA領域に、それぞれn型の下側クラッド層12、コア層13及びp型の上側クラッド層14によるLDとEAを形成する。 - 特許庁
An encryption processing unit 22b encrypts the data N of the number of sheets, using the encryption keys KEa, KEb and KEc, to create encryption data Ea, Eb and Ec.例文帳に追加
暗号化処理部22bは、暗号化鍵KEa、KEb、KEcを用いて、枚数データNを暗号化し、暗号化データEa、Eb、Ecを作成する。 - 特許庁
On an n type InP semiconductor substrate 101 whose surface azimuth is a (311) A plane, n type InP 102 and p type InP 105 are formed sandwiching MQW 103 for EA-MD between them, and a reverse electrode 108 for voltage application and an electrode 109 for EA-MD are provided.例文帳に追加
面方位が{311}A面のn型InP半導体基板101の上にEA−MD用MQW103を挟み込んでn型InP102及びp型InP105を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極108及びEA−MD用電極109を設ける。 - 特許庁
A plurality of fine EA modulators 3 connected by optical waveguide core layers are scatteringly formed and a signal line electrode 12 connected to a metal electrode 7 and a ground line electrode 11 connected to an n type InP cladding layer 10 are formed with the fine EA modulators 3 sandwiched between the electrodes.例文帳に追加
光導波路コア層で連結された複数の微小EA変調器3を離散的に形成するとともに、金属電極7に接続されたシグナルライン電極12およびn型InPクラッド層10に接続されたグランドライン電極11を、微小EA変調器3を挟んで形成する。 - 特許庁
The non-doped InP layer 24 depletes this region, and moderates the electric field between the n-InP hole block layer 23 and the p-InP upper clad layer 25 in the EA optical modulator region 10B.例文帳に追加
ノンドープInP層24は、この領域を空乏化させ、EA光変調器領域10Bにおける、n−InPホールブロック層23とp−InP上部クラッド層25との間の電界を緩和する。 - 特許庁
The energy monitor 1 previously stores and holds a monthly target saving setting value Eo of an energy consumption for electricity, gas and water in a consumption place, compares the monthly energy consumption Ea with the target saving setting value Eo, and counts the number of times N that a target is achieved wherein the energy consumption Ea becomes the target saving setting value Eo or below.例文帳に追加
エネルギーモニター1は、消費場所における電気、ガスおよび水道について、月毎のエネルギー使用量の節約目標設定値Eoを予め記憶保持し、毎月のエネルギー使用量Eaを節約目標設定値Eoと比較し、エネルギー使用量Eaが節約目標設定値Eo以下となった目標達成回数Nをカウントする。 - 特許庁
In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加
該第一主表面EAの一部領域において半導体積層体50は、発光層部24のp−n接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部JKが形成される。 - 特許庁
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「n ea」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加
EA型変調器デバイス部47bは、n型III-V族化合物半導体クラッド層17b、III-V族化合物半導体SCH層19b、III-V族化合物半導体活性層層21b、III-V族化合物半導体SCH層23b、p型III-V族化合物半導体クラッド層25bを有する。 - 特許庁
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