nonselectedとは 意味・読み方・使い方

Further, the ferroelectric memory has sense amplifier units SAU to detect the charge quantity on the local bit lines charged by the memory cells, while maintaining the potential of the local bit lines at the same potential as the nonselected plate lines.例文帳に追加

更に、強誘電体メモリは、読み出し時にローカルビット線の電位を非選択プレート線と同等の電位に維持しながら前記メモリセルによるローカルビット線への電荷量を検出するセンスアンプユニットＳＡＵを有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device writes input data in a selected memory cell, and rewrites data stored therein in nonselected cells.例文帳に追加

そして、半導体記憶装置は、データ書き込み時、選択されたメモリセルには入力データを書き込み、非選択のメモリセルにはそれに記憶されたデータを再書き込みする。 - 特許庁

By resetting the gate potential of the signal amplification element Tr1 belonging to a nonselected row at the ground potential when the shape of the object surface is to be read, highly accurate detection accuracy is secured.例文帳に追加

対象物表面形状を読み取る際に、非選択列に属する信号増幅素子Ｔｒ１のゲート電位を接地電位にリセットすることで、高精度な検出精度を確保する。 - 特許庁

To reduce erroneous writing in a nonselected memory cell in a semiconductor device provided with a nonvolatile memory unit including a memory array in which numerous rewritable nonvolatile memory cells are arrayed.例文帳に追加

書き換え可能な不揮発性メモリセルが多数配列されたメモリアレイを含む不揮発性記憶部を備えた半導体装置において、非選択メモリセルに生じる誤書き込みを低減することができる。 - 特許庁

To improve display quality by controlling a state change of a liquid crystal in the pixels of nonselected lines in a simple matrix liquid crystal display device.例文帳に追加

単純マトリクス方式の液晶表示装置において、非選択ラインの画素における液晶の状態の変化を抑制し、表示品位の向上を図る。 - 特許庁

The apparatus select section 14 specifies the nonselected DC apparatuses 102 in the order of priority as the remaining capacity of a secondary battery provided in the distributed power supply 20 decreases.例文帳に追加

機器選択部１４は、分散電源２０に設けた二次電池の電池残量が減少するに従って優先度の低い順に直流機器１０２を非選択とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device from which data can be read out accurately, which has a superior charge holding characteristic and a superior rewriting endurance, and in which no write is made with a nonselected memory cell transistor.例文帳に追加

データを正確に読出すことができ、電荷保持特性および書換耐性に優れ、かつ非選択のメモリセルトランジスタで書込が行なわれない不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a potential VRL, which is set to the scanning electrode of a selected row by a scanning electrode driver, and a potential VRH, which is set on the scanning electrode of a nonselected row are varied in accordance with the temperature variation.例文帳に追加

一方、走査電極ドライバが選択行の走査電極に設定する電位Ｖ_ＲＬおよび非選択行の走査電極に設定する電位Ｖ_ＲＨは、温度によって変化させる。 - 特許庁