reverse isolationとは 意味・読み方・使い方

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part.例文帳に追加

受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。 - 特許庁

Further, a sirocco fan 33 forcibly accelerating exhaustion toward a housing flank 10b is fitted at the reverse-side position of the front panel 10a corresponding to the isolation space 12.例文帳に追加

さらに、隔離スペース１２に対応するフロントパネル１０ａの裏側位置に、筐体側面１０ｂの方向へ強制的に排気を促すためのシロッコファン３３を取り付ける。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

To perform reverse power flow preventing operation for each phase of a single-phase three-wire type utility power system without using two sets of completely independent inverter circuits or two isolation transformers.例文帳に追加

完全に独立したインバータ回路を２つまたは絶縁トランスを２つ用いることなく単相３線式商用電力系統の各相について逆潮流防止運転を行う。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加

活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加

裏面に傾斜溝を有し、ｐ型コレクタ層と導電接続されるｐ型分離溝を形成する工程を有する逆阻止ＩＧＢＴのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁