「reverse isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An element isolation section includes the element isolating film formed on two regions and made of a silicon oxide film formed on a surface of a silicon substrate, and a field channel isolation layer formed between element isolation films, formed on the two regions and made of a reverse conductivity type layer to the conductivity type of an active element.例文帳に追加

素子分離部が、２つの領域に形成され、シリコン基板表面に形成されたシリコン酸化膜より成る素子分離膜と、２つの領域に形成された素子分離膜間に形成され、前記能動素子の導電型とは逆の導電型層から成るフィールドチャネル分離層よりなる。 - 特許庁

Etching is performed so as to form reverse tapered surfaces (taper angle θ is obtuse angle) on side faces of the silicon film 13 and the polycrystalline silicon film 15 to form an element isolation trench.例文帳に追加

シリコン膜１３を有するＳＯＩ基板上にゲート絶縁膜１４、第１の多結晶シリコン膜１５、ストッパー窒化膜（１６）を順次堆積する。 - 特許庁

Impurity concentration of an impurity layer having polarity the reverse of that of a light receiving part 2 is changed depending on an element isolation region around the light receiving part 2, an element isolation region of a read out region of a charge transfer transistor 3 and an element isolation region around a floating region 4 functioning as a charge voltage conversion part.例文帳に追加

受光部２の周囲の素子分離領域、電荷転送トランジスタ素子３の読み出し領域の素子分離領域および電荷電圧変換部としてのフローティング領域４の周囲の素子分離領域に応じて、受光部２とは逆極性の不純物層の不純物濃度を変えている。 - 特許庁

Further, a sirocco fan 33 forcibly accelerating exhaustion toward a housing flank 10b is fitted at the reverse-side position of the front panel 10a corresponding to the isolation space 12.例文帳に追加

さらに、隔離スペース１２に対応するフロントパネル１０ａの裏側位置に、筐体側面１０ｂの方向へ強制的に排気を促すためのシロッコファン３３を取り付ける。 - 特許庁

In the reverse-blocking insulated gate bipolar transistor of which the substrate thickness is ≤150 μm, a trench groove 23 for isolation region formation formed on a first principal surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

To perform reverse power flow preventing operation for each phase of a single-phase three-wire type utility power system without using two sets of completely independent inverter circuits or two isolation transformers.例文帳に追加

完全に独立したインバータ回路を２つまたは絶縁トランスを２つ用いることなく単相３線式商用電力系統の各相について逆潮流防止運転を行う。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加

活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To shorten a wafer processing step of a reverse blocking IGBT having a step of forming a p-type isolation trench which has an inclined trench in the rear surface and is connected conductively with a p-type collector layer.例文帳に追加

裏面に傾斜溝を有し、ｐ型コレクタ層と導電接続されるｐ型分離溝を形成する工程を有する逆阻止ＩＧＢＴのウエハプロセス処理工程を短縮すること。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

The semiconductor device uses a single-crystal semiconductor substrate 101, and includes a recessed portion 130 on the reverse surface of the semiconductor substrate where a driving electrode 120 and an element isolation region 102 overlap with each other in a plane.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。 - 特許庁

When the PIN-PD is made to function by reverse biasing a cathode region 66 formed in each region and the P-sub layer 80, the isolation region 64 is brought to ground potential together with the P-sub layer 80 and becomes the anode.例文帳に追加

各区画毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。 - 特許庁

To output isolation voltage, transfer voltage and transfer reverse bias voltage without increasing costs.例文帳に追加

本発明は、コスト上昇を招くことなく、分離電圧、転写電圧および転写逆バイアス電圧を出力することが可能な高圧電源装置およびそれを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an engine stop position estimating device capable of discriminating between the normal rotation and reverse rotation of a crank shaft with a simple structure to enable a precise crank angle to be estimated at engine stop and further to provide an active vibration isolation supporting device.例文帳に追加

簡単な構造でクランク軸の正転／逆転を判別し、エンジン停止時の正確なクランク角を推定することができるエンジン停止位置推定装置及び能動型防振支持装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, when reverse static electricity surge is applied, a uniform p-type inversion layer IP is formed in an isolation region between the impurity diffusion regions 12, 13 and local avalanche breakdown phenomenon is not generated.例文帳に追加

これにより、逆方向の静電気サージが印加された時、不純物拡散領域１２，１３間の分離領域に均一なＰ型反転層ＩＰが形成され、局所的な雪崩降伏現象が生じない。 - 特許庁

To suppress the reverse narrow channel effect so that the variation of the element isolation width may not directly cause the variation of the p-type region depth.例文帳に追加

素子分離幅のばらつきが、そのままｐ型不純物領域深さのばらつきを生じさせることがないように、逆狭チャネル効果を抑制することが可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse blocking insulated-gate bipolar transistor having low ON-voltage and low switching loss characteristics whereby a high temperature heat treatment time under atmosphere of an oxygen required for forming an isolation layer can considerably be reduced, and the isolation layer can be formed without newly bringing in oxygen working as a cause to variations in the impurity concentration profile of a drift layer.例文帳に追加

分離層形成に必要な酸素雰囲気中で高温熱処理時間を大幅に短縮でき、ドリフト層の不純物濃度プロファイル変動の原因となる酸素を新たに取り込むことなく分離層を形成できる低オン電圧、低スイッチング損失特性を備える逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

With this configuration, the circuit board device 7 has the gap 12 between the reverse surface of the circuit board 11 and the top surface of the electronic component 9, so the electric isolation between the electronic component 9 and circuit board 11 can be enhanced.例文帳に追加

この構成により、回路基板装置７は、回路基板１１の下面と電子部品９の上面との間に空隙１２を有するので、電子部品９と回路基板１１の電気的アイソレーションを高めることができる。 - 特許庁

A collector electrode 111 is cut clean perfectly under the isolation layer 145 by laser dicing, and then the both-sided adhesive tape 137 is peeled off from the collector electrode 111 to form the semiconductor chip provided as the reverse blocking type semiconductor device.例文帳に追加

レーザーダイシングを行って、分離層１４５の下でコレクタ電極１１１を過不足なくきれいに切断した後、両面粘着テープ１３７をコレクタ電極１１１から剥がして半導体チップとすることで逆阻止型の半導体装置を形成する。 - 特許庁

To provide a mesa isolation monolithic light emitting diode in which leakage of light from a mesa etching step part is prevented by forming a shallow mesa etching trench not to isolate an emission layer and each individual electrode can be led out also from a reverse mesa part.例文帳に追加

メサエッチング溝を浅く形成して発光層を分離しないようにして、メサエッチング段部からの光漏れを防止すると共に、逆メサ部からも個別電極を導出することができるメサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイを提供すること。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that reduces the anode electrode area, while ensuring a Schottky junction area, suppresses the increase in the reverse leakage current accompanying the reduction in the anode electrode area by an isolation embedded layer, and further can appropriately maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

ショットキー接合面積を確保しながらアノード電極面積を縮小し、それに伴う逆方向リーク電流の増大を分離埋め込み層により抑制し、しかも、順方向の直線性を良好に維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

In the reverse blocking insulated gate type bipolar transistor of which the substrate thickness is equal to 150 μm or less, a trench 23 formed on a first main surface side is used to form an isolation diffusion region 32.例文帳に追加

基板の厚さが１５０μｍ以下の逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタにおいて、第一主面側に形成した分離領域形成用トレンチ溝２３を利用して分離拡散領域３２が形成されている逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has good-linearity gate voltage to gate current characteristics by preventing a reverse narrow-channel effect without changing a threshold voltage depending upon the wide or narrow channel width, and is provided with a trench isolation type MISFET with a constitution that can be manufactured without increasing the manufacturing process.例文帳に追加

逆狭チャネル効果を防止することにより、チャネル幅の広狭に依存してしきい値電圧が変動することがなく、また良好な直線性のゲート電圧−ドレイン電流特性を示し、かつ工程数を増やすことなく作製できる構成を有する溝分離型ＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reverse blocking insulated gate type bipolar transistor for reducing the occupation area ratio of the isolation region per chip, which becomes a problem if the thickness of a thin wafer (semiconductor substrate) is equal to 150 μm or less, which can avoid the tradeoff between on voltage property and turn off loss, and also for shortening diffusion time, and its fabrication method.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

A short channel region 12 having polarity reverse to that of a low-concentration body region 10 and high in concentration is selectively formed between the low-concentration body region 10 becoming a channel and an element isolation film 4 and immediately under a gate oxide film 8, and a shape where only a part immediately under the gate oxide film 8 of the body region 10 is retracted toward a high-concentration source region 7 is provided.例文帳に追加

チャネルとなる低濃度ボディ領域１０と素子分離膜４の間かつゲート酸化膜８の直下に選択的に低濃度ボディ領域１０と逆の極性で濃度が高いショートチャネル領域１２を設け、ボディ領域１０のゲート酸化膜８直下部分のみを高濃度ソース領域７側に後退させた形状を実現する。 - 特許庁