strained stressとは 意味・読み方・使い方

PATTERNED STRAINED (STRESS DEFORMATION) SILICON FOR HIGH-PERFORMANCE CIRCUIT例文帳に追加

高性能回路用パターン化ストレインド（応力変形）・シリコン - 特許庁

To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A compressive strained layer having a residual compressive stress is provided at the outermost circumference of the jacket area 13.例文帳に追加

ジャケット領域１３の最外周部に圧縮応力が残留した圧縮歪層が形成されている。 - 特許庁

The required length of the long electric conductor (2) is readied and the conductor (2) is strained by applying a tensile stress.例文帳に追加

細長導体（２）の必要な長さが準備され、導体（２）が引張応力の適用によって緊張される。 - 特許庁

Consequently, strained stress caused in the interface between the buried silicon oxide film 12 and the bulk layer 14 can be reduced, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加

その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。 - 特許庁

Since a strained state of the semiconductor nanowire is fixed by formation of the gate dielectric and the gate electrode, a middle section of the semiconductor nanowire is subjected to inherent longitudinal internal stress after removing the stress-generating liner.例文帳に追加

ゲート誘電体及びゲート電極の形成によって半導体ナノワイヤの歪み状態が固定されるため、半導体ナノワイヤの中間部は、応力発生ライナの除去後に長手方向の固有の内部応力を受ける。 - 特許庁

Accordingly, it is possible to improve, in particular, the embedding characteristic of the silicon nitride film SN3 in the uppermost layer while ensuring the tensile stress of silicon nitride films SN1 to SN3 which makes the strained silicon technique effective.例文帳に追加

これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。 - 特許庁