that a Geとは 意味・読み方・使い方

To provide a HEMT device and a CMOS device that are excellent in mobility and transconductance owing to a high-performance Ge channel structure.例文帳に追加

高性能Ｇｅチヤネル構造により、移動度および相互コンダクタンスに優れたＨＥＭＴ、ＣＭＯＳデバイスを提供する。 - 特許庁

A matching means 12 retrieves a ghost that coincides with the generated predicted ghost Ge from an image that is actually obtained from the image pickup element 4.例文帳に追加

生成された予測ゴーストＧｅと一致するゴーストを、実際に撮像素子４から得られる画像からマッチング手段１２により検索する。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

As a result, a range in which function as an SiGeC layer is enabled in a condition that a C atom is made to enter a lattice position is enlarged as far as a range in which Ge composition ratio is high.例文帳に追加

これにより、Ｃ原子が格子位置に入った状態でＳｉＧｅＣ層として機能しうる範囲がＧｅ組成率の高い範囲まで拡大する。 - 特許庁

A method of forming a semiconductor device is provided that includes forming a Ge-containing layer atop p-type device regions of the substrate.例文帳に追加

基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。 - 特許庁

Furthermore, all monjo to be submitted from a person with a lower rank (including ordinary citizens) to a person with a higher rank came to be referred to as 'ge,' which was because all reports had been given orally before the ritsuryo system, and calling all monjo "ge" is said to be a reflection of the fact that the "ge" form put all the oral procedures for monjo in writing.発音を聞く 例文帳に追加

更には民間も含めて下位者から上位者に出す文書は全て「解」と称されるようになるが、これは、律令制以前においては上申は全て口頭で申すことを原則としていたが、解の書式がその手続をそのまま文書化したための名残が反映されたものとも言われている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

By examining the presence and magnitude of the localized oscillating peak of a dopant atom that is observed by Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge, the present state (combined state and present location) of a dopant atom in the Ge is determined.例文帳に追加

ドーパント原子ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント原子の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、そのＧｅ中のドーパント原子の存在状態（結合状態や存在位置）を知る。 - 特許庁

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

最表面のＧｅ原子にＨ原子が付着すると、そのＧｅ原子と、その下層に存在するＳｉ原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のＧｅ原子がＳｉ原子と入れ替わることになる。 - 特許庁