thin film x ray diffractionとは 意味・読み方・使い方

The Al electrode layer 4 is an oriented film grown by epitaxial growth and is also a polycrystalline thin film having a twin structure in which a diffraction pattern observed in an X-ray diffraction pole figure has a plurality of symmetry centers.例文帳に追加

Ａｌ電極層４は、エピタキシャル成長した配向膜であり、かつＸ線回折極点図において観察される回折パターンが複数の対称中心を有する双晶構造を持つ多結晶薄膜となるようにされる。 - 特許庁

In an X-ray diffraction chart made out by irradiating the thin diamond film layer, the diffraction peak intensity on the (110) surface of W exceeds 100 times that on the (200) surface of Cu.例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜層にＸ線を照射して得られるＸ線回折チャートにおいて、Ｗの（１１０）面の回折ピーク強度がＣｕの（２００）面の回折ピーク強度の１００倍以上である。 - 特許庁

This silicon steel sheet has an extra-thin ceramic film consisting of crystallites having dominantly such orientations that a ratio of diffraction peak intensity (222)/(200) by X-ray diffraction can be 1.2 or higher, which is coated on the surface of the grain-oriented silicon steel sheet that has been finish-annealed.例文帳に追加

仕上げ焼鈍済の一方向性珪素鋼板の表面に、Ｘ線回折による（２２２）／（２００）回折ピーク強度比が1.2 以上に優先配向した結晶質に成る、極薄セラミック被膜を被成する。 - 特許庁

Specifically, a vacuum annealing treatment is carried out after the TaXN thin film is formed into a film, and a protecting film is fabricated on it, thereby determining an optimum annealing condition while observing a change of Ta-N coupling by the X-ray diffraction method.例文帳に追加

具体的には、ＴａＸＮを成膜してその上に保護膜を製作した後、真空アニール処理を行い、Ｘ線回折法によりＴａーＮ結合の変化を観察しながら、最適なアニール条件を決める方法がある。 - 特許庁

To measure the thickness of a thin film by an X-ray diffraction method by performing the parameter fitting of a theoretical rocking curve of diffracted X-ray intensity considering orientation to a measured rocking curve, even when film thickness measurement by an X-ray reflectivity method can not be performed because of a reason as existence of a contiguous layer having an approximate density or the like.例文帳に追加

密度が近い隣接層が存在するなどの理由でＸ線反射率法による膜厚測定ができない場合でも，配向性を考慮した回折Ｘ線強度の理論ロッキングカーブを測定ロッキングカーブにパラメータフィッティングすることで，Ｘ線回折法によって薄膜の膜厚を測定可能にする。 - 特許庁

This thin film of the wax composition consists of a composition containing the wax and has >1.0 value of a ratio (Ib/Ia) of diffraction intensity Ia in the normal direction of surface of the thin film of the wax composition in X-ray diffraction peaks developed by accompanying with the orientation of the crystallized wax to diffraction intensity Ib in a direction making right angle to the normal direction.例文帳に追加

本発明のワックス組成物薄膜は、ワックスを含有する組成物からなり、結晶化した前記ワックスの配向に伴い発現するＸ線回折ピークの前記ワックス組成物薄膜表面の法線方向の回折強度Ia及び該法線方向と９０度をなす方向における回折強度Ibの比Ib/Iaが１．０より大きい値である。 - 特許庁

The BiTe-based thin film is patterned and a c-axis orientation degree which is a ratio of the peak value of a (001) plane to the peak value of a (015) plane in X-ray diffraction is at least 1.0.例文帳に追加

そのＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする。 - 特許庁

In the substrate for flexible print circuit having a crystalline thin film layer of copper on a sheet-like substrate, composed of aromatic polyamide, X-ray diffraction intensity ratio of the (200) face, and the (111) face of copper crystal is in the range of 0.3≤I(200)/I(111)≤1.0.例文帳に追加

芳香族ポリアミドからなるシート状基材上に結晶性の銅の薄膜層を有するフレキシブルプリント回路用基板であって、銅結晶の（２００）面と（１１１）面のX線回折強度比が０．３≦Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）≦１．0の範囲であることを特徴とするフレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁