v biとは 意味・読み方・使い方

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

In the formula, M1 represents at least one selected from the group consisting of Zr, Si and Sn, and M2 represents at least one selected from the group consisting of V, Ta and Bi.例文帳に追加

上記式において、前記M1はZr、Si及びSnから成る群から選択される少なくとも１つであり、前記M2はV、Ta及びBiから成る群から選択される少なくとも1つである。 - 特許庁

The light limiting material consists of a transparent substrate and oxides of at least one kind of metal selected from among Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir and Bi (but except VO2).例文帳に追加

透明基板とTi，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Nb，Mo，Ru，In，Sn，Sb，Ta，W，Re，Os，IrおよびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物(但し、VO_2 を除く)とから形成される光制限材料。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The metal oxide catalyst is characterized in that the metal ions of the metal oxide catalyst are ions of In, Ga, Al, B, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Sb, Bi, W, Mo or Cr, or combination of these metals.例文帳に追加

金属イオンは、Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｂ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ、または、これらの組み合わせであることを特徴とする。 - 特許庁

The powdery composition may further contain at least one of compounds of Mg, Ca, Sr, Ba, Pb, rare earth metals, Ti, Zr, Hf, Sn, V, Nb, Ta, Bi, Sb, W, Mo, Cr, Mn, Cu, Ni, Co, Fe, Zn, Al and Si.例文帳に追加

前記チタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物と、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、希土類金属、Ti、Zr、Hf、Sn、V、Nb、Ta、Bi、Sb、W、Mo、Cr、Mn、Cu、Ni、Co、Fe、Zn、AlおよびSiの化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含むチタン酸バリウム系焼結体製造用粉末組成物。 - 特許庁

To obtain an output buffer, input buffer, and bi-directional buffer of 1.8 V which may be of small chip size in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路において、チップサイズが小さくて済む１．８Ｖの出力バッファ、入力バッファ、双方向バッファを得る。 - 特許庁