異型接合体の英語

また、従来例のような異種半導体材料とのヘテロ接合ではなく、ｉ型ＺｎＯ発光層２とｎ型ＺｎＯ層３とのＺｎＯ系半導体によるホモ接合でｐｎ界面を形成しているので、ホール注入効率が高い。例文帳に追加

Since a pn interface is formed not by hetero-junction with different kind semiconductor material like the conventional case but by homojunction with ZnO based semiconductor of the i-type ZnO light emitting layer 2 and the n-type ZnO layer 3, hole injection efficiency is high. - 特許庁

異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。例文帳に追加

The dissimilar material junction-type diode includes: a semiconductor substrate 1; a first conductivity type drift region 2 formed on the semiconductor substrate 1; the anode electrode 6 joined to a main surface of the drift region 2 and comprising a material of type different from that of a material of the drift region 2; and a cathode electrode 7 connected to the semiconductor substrate 1. - 特許庁

遺伝子型の特定の特質が未知であり、未知の遺伝子型はその子孫からのみ計測できるために有機体が劣性のホモ接合性である有機体間の異種交配例文帳に追加

a cross between an organism whose genotype for a certain trait is unknown and an organism that is homozygous recessive for that trait so the unknown genotype can be determined from that of the offspring発音を聞く  - 日本語WordNet

異方性半導体材料は、ドナー／アクセプタ有機接合デバイスを提供するように形成されまたは互いに貼合される異なる小型分子有機化合物からなる２つの層を含む。例文帳に追加

The anisotropic semiconductor material comprises two layers that are so formed as to provide a donor/acceptor organic bonding device or comprise different small molecule organic compounds pasted to each other. - 特許庁

接合面に凹凸形状を形成した金属部材３０を設置する下金型３と、金属部材３０が設置された下金型３と型締めされた状態で樹脂１０を成型する上金型２とをそれぞれ異なる温度に設定して、成型された樹脂３１と金属部材３０の接合体３２を製造する。例文帳に追加

The temperature of a lower mold 3 in which the metal member 30 with the uneven shape formed is installed on a joining surface and the temperature of an upper mold 2 which molds the resin 10 while being clamped with the lower mold 3 with the metal member 30 installed are set to be different from each other, and the joined body 32 of the molded resin 31 and the metal member 30 is produced. - 特許庁

複数のシングルスキン型のパネル構造体を備え、第一パネル構造体のリブ方向と第二パネル構造体のリブ方向とが異なる状態で接合されている側構体の剛性を高める。例文帳に追加

To enhance the rigidity of a side structure, which includes a plurality of single-skin type panel structures while joining a first panel structure and a second panel structure with their rib directions different from each other. - 特許庁

ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。例文帳に追加

A plurality of (first to third) light receiving pn junction diodes D1 to D3 are formed by providing a plurality of (first to third) p-type regions 31 to 33 at different depths from the surface of an n-type semiconductor layer 2 at different positions of the n-type semiconductor layer 2 which is provided on a p-type semiconductor substrate 1 with substantially uniform thickness. - 特許庁

そして、半導体レーザ１ａ・１ｂと対物レンズ１１との間には、屈折率の波長依存性が互いに異なる２つの素材を結合して形成され、その接合面に格子形状を有する接合型回折素子１０が設けられている。例文帳に追加

Then, a diffraction element 10 which is formed by joining two materials whose wavelength dependence of refractive indexes are difference with each other and which has grid geometry at its joined surface, is provided among the semiconductor lasers 1a, 1b and the objective lens 11. - 特許庁