「"安全動作領域"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その結果、半導体装置のスイッチング動作、安全動作領域の改善等を行うことができる。例文帳に追加

As a result, a switching operation and a safe operation region of the semiconductor device can be improved, etc. - 特許庁

高耐圧、低オン電圧であり、安全動作領域の広いＩＧＢＴを得ることである。例文帳に追加

To achieve IGBT having a high withstand voltage, a low on-voltage, and a wide area of safe operation. - 特許庁

低いオン状態の損失及び高いＳＯＡ（安全動作領域）能力を備えた、半導体装置を製造するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with low on-state loss and high SOA (safe operation area) capability. - 特許庁

製造コストの増大を招かず、装置の安全動作領域を広げることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of spreading its safe movement region, without incurring increase in manufacturing cost, and its manufacturing method. - 特許庁

ラッチアップ耐量を向上して、安全動作領域（ＳＯＡ）を広くした電力用半導体素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a power semiconductor element, the safety operation area(SOA) of which is expanded by improving the latch-up tolerance of the element. - 特許庁

パワー半導体素子として、動作時の熱暴走および熱破壊が防止でき、且つ、安全動作領域ＳＯＡが拡大されるトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a transistor, as a power semiconductor device, capable of preventing thermal runaway and thermal destruction during operation, and having an enlarged safe operating area SOA. - 特許庁

チャネル幅の損失を避け、熱電的ダイナミック特性と凹凸性と安全動作領域とを犠牲にすることなく、チャネル抵抗を減少させる。例文帳に追加

To avoid the loss of the channel width and reduce the channel resistance without sacrificing the thermoelectric dynamic characteristics, the irregularities and the safe operation range. - 特許庁

被測定素子の逆バイアス安全動作領域を、被測定素子または測定回路の構成要素の破壊を伴うことなく安定に測定する。例文帳に追加

To stably measure a reverse-bias area of the safe operation of an element to be measured without damaging the element to be measured or a component of a measuring circuit. - 特許庁

高耐圧で、安全動作領域が広く、かつ、熱散逸性がよく、有効コンダクタンスおよび周波数特性が良好なＳＯＩデバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a SOI device which is high in withstanding voltage, wide in safe operating range, good in heat dissipation property, and good in effective conductance and frequency characteristics. - 特許庁

過電流回路は、ＭＯＳＦＥＴを通る電流が予め定められた電流閾値を上回った時点でそれを検知し、その後、そのＭＯＳＦＥＴの安全動作領域（ＳＯＡ）曲線を超えないようにＭＯＳＦＥＴをオフに切換える。例文帳に追加

Over current circuitry senses when the current through the MOSFETs has exceeded a predetermined current threshold and then turns the MOSFETs off so that they do not exceed the MOSFETs' safe operating area (SOA) curve. - 特許庁

負荷の短絡時に駆動電流を瞬時に遮断でき、電流制御手段を安全動作領域内で動作させることができる駆動回路を提供すること。例文帳に追加

To provide a drive circuit capable of interrupting a driving current instantaneously when a load is short-circuited and capable of operating a current control means within a safety operation range. - 特許庁

ベース幅を広くして安全動作領域を広くしながら、スイッチング時間を早くし、かつ、電流増幅率を大きくすることができるパワー用バイポーラトランジスタおよびその製法を提供する。例文帳に追加

To provide a power bipolar transistor which can shorten the switching time and increase current amplification factor, while broadening a base width to broaden safe operational zone, and a method for manufacturing the transistor. - 特許庁

これにより、高温動作時のＭＯＳ-ＦＥＴ(4)が低下した安全動作領域内での動作に切り換わるので、高温動作時におけるＭＯＳ-ＦＥＴ(4)の特性劣化や破壊を防止できる。例文帳に追加

Since high-temperature operation of the MOS-FET (4) is switched to operation in the safe operating region of lowered detection voltage, deterioration in the characteristics or breakdown of the MOS-FET (4) can be prevented at high-temperature operation. - 特許庁

過電流回路は、ＭＯＳＦＥＴを通る電流が予め定められた電流閾値を上回った時点でそれを検知し、その後、そのＭＯＳＦＥＴの安全動作領域（ＳＯＡ）曲線を超えないようにＭＯＳＦＥＴをオフに切換える。例文帳に追加

Over current circuitry senses when the current through the MOSFETs has exceeded a predetermined current threshold and then turns the MOSFETs off so they do not exceed the MOSFETs' safe operating area (SOA) curve. - 特許庁

電力変換装置のスイッチング素子として用いられるＩＧＢＴの、安全動作領域が欠けているような場合でも、サージ電圧の抑制ができるようにする。例文帳に追加

To suppress surge voltage, even when a safe operation area is lacking in an IGBT (insulated gate bipolar transistor) which is used as a switching element for power conversion apparatus. - 特許庁

電力制限回路20が、充電電力Ｐｃを、リチウムセル１を安全に使用するための安全動作領域の境界値Ｐｍａｘ内に制限することにより、如何なる状態においても安全にリチウムセル１を動作させることができる。例文帳に追加

By limiting the charging power Pc, within the boundary value Pmax of a safety operation region for safety use of the lithium cell 1 by the power limiting circuit 20, the lithium cell 1 can be operated safely in any state. - 特許庁

高ドレイン−ソース間電圧領域での安全動作領域（順ＳＯＡ）の狭い出力ＭＯＳを有するハイサイドスイッチにおいて、出力ＭＯＳに印加される過電圧（出力負電圧、ダンプサージ）に対して、出力ＭＯＳが劣化および熱破壊することを防ぐことである。例文帳に追加

To prevent an output MOS from being deteriorated and thermally destroyed owing to overvoltage (output negative voltage, damp surge) applied to the output MOS in a high-side switch equipped with the output MOS having a narrow safe operating area (forward SOA) in a high drain-source voltage region. - 特許庁

逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。例文帳に追加

The reverse bias safe operation area measuring device 1 comprises: a power MOSFET 7; and a control voltage generation circuit 8 that generates a control voltage on the basis of a collector voltage of the measured IGBT 2 and applies the generated control voltage to a gate of the power MOSFET 7. - 特許庁