「"水素プラズマ処理"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

レーザー結晶化を行った後、水素プラズマ処理、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に酸素プラズマ処理を行う。例文帳に追加

After laser crystallization, hydrogen plasma treatment is conducted, and then formation of a gate insulating are conducted sequentially and thereafter, oxygen plasma treatment is conducted. - 特許庁

水素プラズマ処理時間を大幅に短縮し、多結晶半導体層の水素化効率を大幅に改善する。例文帳に追加

To significantly improve hydrogenation efficiency of a polycrystal semiconductor layer by significantly shorting a hydrogen plasma process time. - 特許庁

この製造に際して、前記金属面に対して水素プラズマ処理（ステップＳ６）を行った後に、保護膜を形成する（ステップＳ７）。例文帳に追加

In this production, hydrogen plasma treatment is performed to the metallic face (step S6), and after that, the protection film is formed (step S7). - 特許庁

微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。例文帳に追加

This method includes a process of depositing a microcrystal silicon film and a process of conducting hydrogen plasma processing alternately each several times. - 特許庁

表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。例文帳に追加

To reduce effect due to hydrogen in carrying out hydrogen plasma treatment in the thin-film transistor substrate of a display device. - 特許庁

金属部材１の表面１１に水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理を行うステップと、水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理された表面１１上に、ダイヤモンド状炭素膜２を形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method for forming the diamond-like carbon film includes: a step of executing the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing on a surface 11 of a metal member 1; and a step of forming the diamond-like carbon film 2 on the surface 11 subjected to the hydrogen plasma processing and the nitrogen plasma processing. - 特許庁

次に、真空チャンバー内に、水素ガスと窒素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入すると共に、該混合ガスからなるプラズマを発生させることにより、有機無機複合膜に対して水素プラズマ処理を行なう。例文帳に追加

Next the organic/inorganic composite film is subjected to a hydrogen plasma process by introducing a mixture of hydrogen, nitrogen and oxygen gases into the vacuum chamber and generating plasma of the mixture gas. - 特許庁

レーザー結晶化を行った後、ゲート絶縁膜を連続形成し、しかる後に水素プラズマ処理または酸素プラズマ処理を行うことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中の捕獲準位を不活性化させる。例文帳に追加

A gate insulating film is formed sequentially after laser crystallization, however after that by subjecting it to hydrogen plasma treatment or oxygen plasma treatment a trapping level in a poly-Si film is made inert. - 特許庁

また、第１の成膜条件の前に、基板上の吸着水を除去するため、アルゴンプラズマ処理などの希ガスプラズマ処理及び水素プラズマ処理を行う。例文帳に追加

Further, rare gas plasma treatment such as argon or hydrogen plasma treatment is performed before formation of the film under the first deposition condition for removing adsorbed water on a substrate. - 特許庁

一方、シリコン基板の表面に水素を照射する工程においては、触媒ＣＶＤ法または水素プラズマ処理法を用いることが好ましい。例文帳に追加

On the other hand, either a catalyst CVD method or a hydrogen plasma processing method is preferably employed in the process for irradiating hydrogen against the surface of the silicon substrate. - 特許庁

また、そのＣＭＰ後洗浄後、キャップ膜用の絶縁膜１９ｂの形成前に、半導体基板１に対して、水素プラズマ処理およびアンモニアプラズマ処理を施す。例文帳に追加

The method further comprises the steps of hydrogen plasma treating and ammonia plasma treating a semiconductor substrate 1, prior to the formation of an insulating film 19b for a cap film, after cleaning after the CMP. - 特許庁

上記複合処理においては、少なくとも酸素プラズマ処理および水素プラズマ処理は高圧水蒸気熱処理より先におこなうと更に好適である。例文帳に追加

At least oxygen plasma treatment and hydrogen one are made preferably prior to the high-pressure vapor heat treatment in the composite treatment. - 特許庁

本発明によれば、貴金属シード層を処理するために水素プラズマ処理が用いられ、その結果、処理された貴金属シード層は表面酸化に対して非常に耐性がある。例文帳に追加

According to this structure, a hydrogen plasma treatment is used in order to treat the noble metal seed layer, so that the treated noble metal seed layer is very highly resistant to surface oxidation. - 特許庁

水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜９の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜９を形成する。例文帳に追加

After a hydrogen plasma treatment, nitrogen plasma treatment is conducted, so as to sufficiently discharge gaseous hydrogen and then the passivation film 9 which does not contain gaseous hydrogen from the initial period of the formation of the passivation film 9 is formed by a gas which contains nitrogen. - 特許庁

そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。例文帳に追加

After that, this evaporated insulating film 2 is processed by at least one type selected from the group of hydrogen plasma processing and oxygen plasma processing by setting the temperature of the substrate 1 at 300 to 500°C. - 特許庁

モールド材料１６０のパターン表面に、ダイヤモンド膜１６１を形成し、さらに水素プラズマ処理１６２をすることで離型層１６３を形成する。例文帳に追加

A diamond film 161 is formed on the pattern surface of a mold material 160 and hydrogen plasma treatment 162 is applied to the diamond film 161 to form the mold release layer 163. - 特許庁

ＳｉＯＣＨ膜を複数のＳｉＯＣＨ膜部分の積層により形成し、各々のＳｉＯＣＨ膜部分は、プラズマＣＶＤ法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。例文帳に追加

An SiOCH film is formed by lamination a plurality SiOCH films, and each of the SiOCH films is formed by a deposition step by a plasma CVD method, and a modification step by a hydrogen plasma processing. - 特許庁

特に、水素プラズマ処理を用いることにより、ゲート上に堆積したグラファイト系炭素膜の除去とダイアモンド系炭素膜あるいはダイアモンド膜を針状構造にするプロセスを同時に行うことができる。例文帳に追加

In particular, by using hydrogen plasma processing, the removal of a graphite-based carbon film deposited on the gate and the process for forming a diamond-based carbon film or diamond film into the needle-like structure can be carried out at the same time. - 特許庁

製造方法においては、ゲート絶縁膜を成膜した後、水素プラズマ処理、又は水素イオンによる逆スパッタリングを行うことによって、ゲート絶縁膜の表面層に対して水素化還元を行い、その表面層上に前記ゲート導電膜を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method, after performing film forming of the gate insulation film, by conducting hydrogen plasma treatment or reverse sputtering by hydrogen ion, the hydrogenation reduction is conducted to the surface layer of the gate insulating film, and the gate conductive film is formed on the surface layer. - 特許庁

該シリコンナノワイヤは、一次元構造の結晶シリコンナノワイヤにＯ^２＋イオンを注入してから不活性ガス雰囲気下にアニールしてその内部にシリコンナノ結晶を析出させ、その後、加熱と共に水素プラズマ処理することにより得られる。例文帳に追加

The silicon nanowire is obtained by implanting O^2+ ions into a crystalline silicon nanowire of a one-dimensional structure, depositing silicon nanocrystals within the nanowire by annealing the nanowire in an inert gas atmosphere, and carrying out hydrogen plasma treatment with heating. - 特許庁

そして、そのベーク処理後の塗膜上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＣ等でバリア膜を形成した後、その際のＣＶＤ装置から取り出すことなくそのＣＶＤ装置を用いてバリア膜越しに水素プラズマ処理を行う（ステップＳ４，Ｓ５）。例文帳に追加

After a barrier film by SiC, etc. is formed using a CVD method on the film coating after the baking treatment, a hydrogen plasma treatment is performed over the barrier film using a CVD device without taking out from the CVD device in that case (steps S4 and S5). - 特許庁

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。例文帳に追加

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film. - 特許庁

そして、この蒸着絶縁膜２に対して、６００℃以下の温度条件下で、大気中で熱処理、窒素中で熱処理、酸素中で熱処理、真空中で熱処理、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。例文帳に追加

At least one type of treatment selected from a group formed of heat treatment in an atmosphere, heat treatment in nitrogen, heat treatment in oxygen, and heat treatment, hydrogen plasma treatment and oxygen plasma treatment in a vacuum is performed on the evaporated insulating film 2 under a temperature condition of not more than 600°C. - 特許庁

少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程（工程Ｐ６）と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程（工程Ｐ７）と、を含む。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step (step P6) in which an intrinsic silicon layer and an impurity doped layer are formed on the substrate, with oxygen, for example, being contained at least in one of the layers, and a step (step P7) in which a low frequency hydrogen plasma treatment is applied through the intrinsic silicon layer and the impurity doped layer formed on the substrate and containing the oxygen. - 特許庁

本実施形態の水素プラズマ処理方法は、水素ガスが封入された真空容器１内にて、プラズマを発生させて絶縁性被処理材４の表面処理を行う際に、絶縁性被処理材４に生ずるフローティングポテンシャルに応じて高周波の電力を変えて基板ホルダ5に高周波を印加し絶縁性被処理材４の表面電位を任意にコントロールする。例文帳に追加

In a method for hydrogen plasma treatment, the surface potential of an insulating material 4 to be treated is controlled arbitrarily, by impressing radio frequency upon a substrate holder 5 by changing radio-frequency power according to the floating potential generated in the material 4 when implementing the surface treatment of the material 4, by generating a plasma in a vacuum vessel 1 which encloses a hydrogen gas. - 特許庁

半導体基板１上にトンネル酸化膜１４を介して電荷の蓄積を行なうシリコン窒化膜１５を形成した後、当該シリコン窒化膜１５に対して水素プラズマ処理を行なってシリコン窒化膜１５に蓄積された電荷を除去するようにして、半導体記憶装置の製造工程を通じてシリコン窒化膜１５に蓄積された不要な電荷を効率的に除去することができるようにする。例文帳に追加

The unnecessary charge stored in a silicon nitride film 15 can be efficiently removed by the manufacturing process of the semiconductor storage device by forming the silicon nitride film 15 for storing the charge via a tunnel oxide film 14 on a semiconductor substrate 1, then performing a hydrogen plasma process for the silicon nitride film 15 to remove the charge stored in the silicon nitride film 15. - 特許庁

本発明の多結晶シリコン膜の水素化処理方法は、プラズマＣＶＤ装置のチャンバー２０内をクリーニングする工程と、同チャンバー２０の内壁にシーズニング膜２２を堆積させる工程と、チャンバー２０内に多結晶シリコン膜が形成された基板Ｗを導入し、基板Ｗに水素プラズマ処理を施す工程とを有する。例文帳に追加

This hydrogenation treatment method of a polycrystalline silicon film is provided with a process for cleaning the inside of a chamber 20 of a plasma CVD system, a process for depositing a seasoning film 22 on the inner wall of the chamber 20, and a process for introducing a substrate W on which a polycrystalline silicon film is formed into the chamber 20 to give a hydrogen plasma treatment to the substrate W. - 特許庁

薄膜トランジスタの製造方法であって、基板（１０１）上の半導体層（１０３）に光照射（１０４）をおこない当該半導体層（１０３）の結晶化をおこなう工程と、結晶化後の半導体層（１０３）に酸素プラズマ処理（１０７）、水素プラズマ処理（１０８）および高圧水蒸気熱処理（１０９）の複合処理をおこなう工程を少なくとも有することを特徴とする。例文帳に追加

A method for manufacturing a thin-film transistor at least includes a process for irradiating a semiconductor layer (103) on a substrate (101) with light (104) for crystallizing the semiconductor layer (103); and a process for performing a composite treatment of oxygen plasma treatment (107), hydrogen plasma treatment (108), and high-pressure vapor heat treatment (109) to the crystallized semiconductor layer (103). - 特許庁

原料黒鉛を酸化処理して酸化黒鉛となす酸化処理工程と、酸化黒鉛を、１０００℃以上２８００℃以下の水素プラズマ雰囲気中で熱処理して、原料黒鉛に対する膨張率が１.１以上、１.４以下である改質黒鉛となす水素プラズマ処理工程と、を備える非水電解質二次電池用改質黒鉛の製造方法。例文帳に追加

This manufacturing method of reformed graphite for a nonaqueous electrolyte secondary battery comprises: an oxidation treatment process for forming oxidized graphite by oxidatively treating material graphite; and a hydrogen plasma treatment process for forming reformed graphite having an expansion coefficient of 1.1 to 1.4 with respect to the material graphite by heat-treating the oxidized graphite in a hydrogen plasma atmosphere at 1,000-2,800°C. - 特許庁

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。例文帳に追加

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer. - 特許庁

（Ａ）基板に、紫外線照射処理、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、ヘリウムプラズマ処理、アルゴンプラズマ処理、水素プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理から選ばれる少なくとも１種の処理を行った後、（Ｂ）ポリシロキサンならびに有機溶剤を含む膜形成用組成物を塗布し、加熱することを特徴とする膜形成方法。例文帳に追加

The film forming method comprises a step for (A) processing a substrate by at least one process selected from among the UV irradiation process, oxygen plasma process, nitrogen plasma process, helium plasma process, argon plasma process, hydrogen plasma process, and ammonia plasma process, and a step for (B) coating and heating it with a film forming composition containing polysiloxane and an organic solvent. - 特許庁