「"電子ガス"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、電子走行層１９における電子供給層１７側に、二次元電子ガスが形成される。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is formed on the electron supply layer 17 side in the electron transit layer 19. - 特許庁

二次元電子ガスによる核スピン操作方法、及び、その方法を用いた核スピン操作装置例文帳に追加

NUCLEAR SPIN MANIPULATING METHOD USING TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS AND NUCLEAR SPIN MANIPULATION DEVICE USING THE SAME - 特許庁

ソース電極近傍における２次元電子ガス層の生成不足を解消すること。例文帳に追加

To dissolve the generation insufficiency of a two-dimensional electron gas layer near a source electrode. - 特許庁

Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。例文帳に追加

Two-dimensional electron gas is generated on the interface of the Mg_XZnO layer 2 and an Mg_YZnO layer 3. - 特許庁

二次元電子ガスの濃度を高めることが可能な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can increase the concentration of two-dimensional electron gas. - 特許庁

第３の層Ｌ３のＡｌの割合が低いと２次元電子ガスの発生が抑制される。例文帳に追加

When the rate of Al in the third layers L3 is low, the occurrence of a two-dimensional electronic gas is suppressed. - 特許庁

Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。例文帳に追加

The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers. - 特許庁

この構造では、電子ガス排除電極１１２へ電圧を適当に設定して印加することにより、２次元電子ガスとグランドとの間の静電容量が可変制御される。例文帳に追加

In this structure, an electrostatic capacity between the two-dimensional electron gas and the ground is variably controlled by setting a voltage to the electron gas excluding electrode 112 at a suitable level and applying the voltage thereto. - 特許庁

バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。例文帳に追加

In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated. - 特許庁

ヘテロ界面１３５において２次元電子ガス層１３７を生じている半導体基体に、ソース電極１５１を、２次元電子ガス層１３７との接触部１７１が生じる深さまで埋め込む。例文帳に追加

A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed. - 特許庁

電子ガスは極めて高い移動度を有することとなり、発光面に均一に電流が供給されるように２次元電子ガス層において電子を高速に輸送することが可能となる。例文帳に追加

Then, the electron gas obtains an extremely high mobility, so electrons can be transferred at a high speed in the two-dimensional electron gas layer so that current may be supplied uniformly to the light emission plane. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体層１３と第１のバリア層１５とは、二次元電子ガスのためのヘテロ接合２１を形成する。例文帳に追加

The nitride gallium based semiconductor layer 13 and the first barrier layer 15 form the heterojunction 21 for two-dimensional electron gas. - 特許庁

第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas layer 13a is provided immediately below an interface between the first nitride semiconductor layer 13 and the second nitride semiconductor layer 14. - 特許庁

高いシートキャリア濃度を持つ電子ガスを与える窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device that gives an electron gas with a high sheet carrier concentration. - 特許庁

ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is generated near the heterojunction boundary of the GaN layer 23 and the AlGaN layer 24. - 特許庁

電子走行層１６と電子供給層１２とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１３を形成可能とする。例文帳に追加

The electron transit layer 16 and the electron supply layer 12 are formed into a heterojunction structure, and a two-dimensional gas channel 13 can be formed on the junction interface. - 特許庁

この２次元電子ガス層１５を介することによって、電極１４ａ、１４ｂはｎ−ＧａＮ層１２に対して低抵抗に接触することができる。例文帳に追加

Through the 2D electron gas layer 15, the electrodes 14a, 14b can be brought into contact with the n-GaN layer 12 with low resistance. - 特許庁

電流分散層（６）は２次元電子ガス効果を得るためのヘテロ接合を含む複数の第１及び第２の層（９）、（１０）の積層体からなる。例文帳に追加

The current diffusion layer (6) consists of multiple laminations of first and second layers (9), (10) including a heterojunction for obtaining a two dimensional electron gas effect. - 特許庁

これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層１１側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。例文帳に追加

In the electron transit layer 11 side of the interface (hetero junction interface) between the two layers, a two-dimensional electron gas (2DEG) layer 13 is formed. - 特許庁

伝導帯端に大きなエネルギーギャップを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造としてバッファ層１３と電子ガス層１４を形成する。例文帳に追加

A buffer layer 13 and an electron gas layer 14 are formed as an AlGaN/GaN hetero structure having a large energy gap at the end of the conduction band. - 特許庁

本発明によれば、チャネル層１４と電子供給層１６との界面に発生する二次元電子ガスの濃度を高めることができる。例文帳に追加

According to the present invention, the concentration of two-dimensional electron gas generated on the interface between the channel layer 14 and the electron supply layer 16 can be increased. - 特許庁

電子移動度の低下が抑制され、かつ二次元電子ガスの閉じ込めが高められた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of suppressing reduction in an electron mobility and enhancing confinement of a two-dimensional electron gas. - 特許庁

２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）において表面の安定化及び電流コラプスの改善が要求されている。例文帳に追加

To provide a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas wherein the stabilization of surface and the improvement in prevention of current collapse are required. - 特許庁

アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is produced at the upper side of the undioped GaN layer 102, and the upper side functions as the channel layer of the field effect transistor. - 特許庁

２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）においてコラプスの改善が要求されている。例文帳に追加

To improve collapse in a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas. - 特許庁

第２の領域は第１の領域のバンドギャップより大きなバンドギャップを有し、チャネル内に２Ｄ電子ガス（２ＤＥＧ）を引き起こす。例文帳に追加

The second region has a bandgap larger than that of the first region, and induces a 2D electron gas (2DEG) in the channel. - 特許庁

電子走行層１４における電子供給層１５との界面には動作時にチャネルとなる２次元電子ガス領域１６が形成される。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas region 16 which becomes a channel at an operation time, is formed at a boundary surface between an electronic transit layer 14 and an electron supply layer 15. - 特許庁

導電性層を超格子構造として二次元電子ガス領域を形成することで、導電性層の導通抵抗をより低減させることができる。例文帳に追加

Formation of a two-dimensional electronic gas region by forming the conductive layer into a super-lattice structure reduces conduction resistance of the conductive layer. - 特許庁

これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。例文帳に追加

Thereby, in a two-dimensional electron gas region 2g, carrier mobility is further enhanced while a carrier concentration is further lowered. - 特許庁

ＡｌＮ膜１３とｎ−ＧａＮ層１２との界面のｎ−ＧａＮ層１２側には、２次元電子ガス層１５が形成されている。例文帳に追加

At a side of the n-GaN layer 12 on an interface of the AlN film 13 and the n-GaN layer 12, a two-dimensional (2D) electron gas layer 15 is formed. - 特許庁

共振センサ装置は、２次元電子ガス層を提供する、その界面にヘテロ接合を有する活性層２４およびバリア層２５を備える。例文帳に追加

The resonance sensor system provides an active layer 24 and a barrier layer 25 which have a hetero junction on an interface providing a two-dimensional electron gas layer. - 特許庁

ゲートリセス部が2DEG（２次元電子ガス)層を貫通して形成されたMIS-HEMTにおいて、最大ドレイン電流の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent the lowering of the maximum drain current in MIS-HEMT wherein a gate recess portion is formed penetrating through a 2DEG (two-dimensional electron gas) layer. - 特許庁

二次元電子ガスを高効率に生成させることができ、かつコンタクト抵抗の抵抗値が小さな電界効果トランジスタを提供することである。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which can generate two-dimensional electron gas with high efficiency, and exhibits a small resistance value of a contact resistance. - 特許庁

バリア層２６上にわたって配置された１つ以上の層２８を設けることによって二次元電子ガスを発生させる。例文帳に追加

The two-dimensional electron gas is generated by providing more than one layer 28 arranged all over the barrier layer 26. - 特許庁

ＨＥＭＴにおいて、２次元電子ガス層の電気抵抗の増加が抑制された正孔排出用電極を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrode for hole discharge such that an increase in electric resistance of a two-dimensional electron gas layer is suppressed for an HEMT. - 特許庁

２次元電子ガス層を使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）においてノーマリオフ特性が要求されている。例文帳に追加

To cope with the problem that a normally-off characteristic is required in a field-effect transistor (HEMT) that uses a 2-dimensional electronic gas layer. - 特許庁

従って、ノンドープヘテロ構造中にバックゲートからの電界により電界誘起で高品質の電子ガス１１を形成する。例文帳に追加

Therefore, gas with high quality is formed by electric field induction due to an electric field from the back gate in the non-doped hetero-structure. - 特許庁

この溝１５によってｉ−ＡｌＧａＮ層１２が取り除かれたため、この取り除かれた領域において２次元電子ガス層が消滅する。例文帳に追加

The i-AlGaN layer 12 is removed by the groove 15, so that a two-dimensional electron gas layer is eliminated in the region where the i-AlGaN layer has been removed. - 特許庁

導電層１は、好ましくは、III族窒化物層を積層し、積層面に二次元電子ガス層を形成させる態様によって構成される。例文帳に追加

Preferably, the conductive layer 1 be composed of a lamination of group III nitride layers with a two-dimensional electronic gas layer formed on a lamination surface. - 特許庁

磁束を捕捉するための領域５を開けた二次元電子ガス３に超伝導体電極１，２を接続することにより、超伝導体−二次元電子ガス−超伝導体接合を超高感度な超伝導量子干渉素子として利用することができる。例文帳に追加

Superconductor electrodes 1 and 2 are connected with a two-dimensional electron gas 3 having a region 5 opened for capturing a magnetic flux, thereby a junction of the superconductor, the two-dimensional electron gas and the superconductor can be used as the highly sensitive superconducting quantum interference element. - 特許庁

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。例文帳に追加

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7. - 特許庁

また、２次元電子ガス除去領域２６０Ａは、２次元電子ガス除去領域２６０Ｂの長手方向外方に隣接すると共にソース電極２１２の一端部２１２Ａからソース電極接続部２１４に沿って短手方向に延在している。例文帳に追加

Also, a two-dimensional electron gas removal region 260A abuts on the outer side in the longer direction of the two-dimensional electron gas removal region 260B, and extends in the short direction along a source electrode connection part 214 from the end part 212A of the source electrode 212. - 特許庁

スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のスピン軌道相互作用はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。例文帳に追加

When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and spin orbit interaction of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction. - 特許庁

これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。例文帳に追加

This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance. - 特許庁

スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のｇ−因子はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。例文帳に追加

When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and the g-factor of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction. - 特許庁