「"電子ガス"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

注入されたホールは、ヘテロ接合界面に同量の電子を引き寄せるので、チャネル領域として２次元電子ガスの濃度が高くなり、スイッチ素子１０のオン抵抗は小さくなる。例文帳に追加

Since the injected holes attract electrons of same amount to the heterojunction interface, the density of the secondary electron gas in a channel region is increased, and thus the on-resistance of the switching element 10 is reduced. - 特許庁

ＩｎＧａＮチャネル層／ＩｎＡｌＧａＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、２次元電子ガスの電子移動度をさらに向上させる。例文帳に追加

To improve the electron mobility of two-dimensional electronic gas in high electronic mobility transistor, which has hetero-structure consisting of an InGaN channel layer/InAlGaN wide band gap layer. - 特許庁

電子走行層１７と電子供給層１５とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１６を形成可能なＨＥＭＴとする。例文帳に追加

The electron transit layer 17 and the electron supply layer 15 are formed into a heterojunction structure, and is set to be HEMT, where a two-dimensional gas channel 16 can be formed at the junction interface. - 特許庁

２次元電子ガス除去領域３１の存在によって、スイッチング時の動的な電界変動によってソース電極１１の端部からドレイン電極１２の端部へ向かって電子流が集中することを回避できる。例文帳に追加

Since the two-dimensional gas removal region 31 exists, concentration of an electron flow from the end of the source electrode 11 toward the end of the drain electrode 12 due to dynamic electric field variation can be avoided at the time of switching. - 特許庁

ユニポーラダイオード１００は、ｉ−ＡｌＧａＮから成る高抵抗層１とｎ−ＧａＮから成るチャネル層２の界面２ａに２次元電子ガスが形成される。例文帳に追加

In the unipolar diode 100, two-dimensional electron gas is formed on the interface 2a of a high resistance layer 1 composed of i-AlGaN and a channel layer 2 composed of an n-GaN. - 特許庁

陰極Ｃａｔｈが負電位となり電子が注入されると、界面４ａ付近の空乏層が縮小して２次元電子ガスが広がり、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間に電流が流れる。例文帳に追加

When the cathode Cath has a negative potential and electrons are injected, the depletion layer in the vicinity of the interface 4a contracts to spread the two-dimensional electron gas, and thereby a current flows between the cathode Cath and the anode An. - 特許庁

HEMT１０では、ゲート電極３６に電圧を印加していないときは、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生していない。例文帳に追加

In this case, when no voltage is applied to the gate electrode 36 in the HEMT 10, no two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in a boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26. - 特許庁

電極１７と２次元電子ガス層１３ａの部分とは、第１のコンタクト面１６ａの下に接続された第２のコンタクト面１６ｂにて接する。例文帳に追加

The electrode 17 comes into contact with a portion of the two-dimensional electron gas layer 13a on a second contact surface 16b connected to a lower part of the first contact surface 16a. - 特許庁

半導体素子１は、空乏領域１７に光を照射しない状態で、２次元電子ガス領域１６の空乏領域１７が空乏化しているため、ドレイン電極１１・ソース電極１２間が非導通となる。例文帳に追加

In a semiconductor element 1, a region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is non-conductive, because the depletion region 17 in the two-dimensional electron gas region 16 is depleted under the condition that the depletion region 17 is not irradiated with light. - 特許庁

２次元電子ガス層が形成されるｉ型ＧａＮ層が高い電気抵抗率を有し、ゲートバイアス電圧が０Ｖのときでもピンチオフ状態を実現することができるＧａＮ系高移動度トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a GaN based high mobility transistor in which an i-type GaN layer for forming a two-dimensional electron gas layer has a high electric resistivity and pinch-off state can be realized even when the gate bias voltage is 0 V. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層の表面を平坦とし、かつ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に存在する二次元電子ガスにダメージを与えない半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device in which the front surface of AlGaN layer is formed flat and any damage is not given to two-dimensional gas existing on the AlGaN/GaN interface. - 特許庁

また、Ａｌ含有領域８ａ、８ｂの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。例文帳に追加

Further, two-dimensional electron gas layer is prevented from occurring on both front and rear surfaces of the Al-containing regions 8a, 8b, and a leak current is prevented from flowing. - 特許庁

開口部が設けられ、当該開口部に二次元電子ガスで形成されるチャネルを備える縦型半導体装置の耐圧性能を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve the breakdown voltage performance of a vertical semiconductor device that has an opening and a channel formed by a two-dimensional gas in the opening. - 特許庁

アノード電極１６がメサ１８の側面部１８ａに接触することで、アノード電極１６と２次元電子ガス層１７とが電気的に接続されている。例文帳に追加

The anode electrode 16 is electrically connected with a two-dimensional electron gas layer 17 owing to contact of the anode electrode 16 with the side surface part 18a of the mesa 18. - 特許庁

ソース・ゲート間およびドレイン・ゲート間に発生する２次元電子ガスの濃度を最適にしたまま、オン抵抗を低くして、消費電力の低い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device reduced in on-resistance and power consumption while maintaining optimum a concentration ratio of a two-dimensional electron gas generated between a source and a gate and between a drain and the gate. - 特許庁

ゲート電極１９は、電流ブロック層２５の側面２５ａ上に設けられたチャネル層１５における二次元電子ガス３５の濃度を変調するように設けられる。例文帳に追加

The gate electrode 19 is provided to modulate a concentration of a two-dimensional electron gas 35 in the channel layer 15 provided on a side surface 25a of a current block layer 25. - 特許庁

二次元電子ガス３８が、ＩＩＩ族窒化物バリア層２６およびＩＩＩ族窒化物半導体層を含む１対の活性層２８の間の界面において、またはこの界面付近において存在する。例文帳に追加

In this enhancement mode field effect device, a two-dimensional electron gas 38 exists on, or in the vicinity of, an interface between a group III nitride barrier layer 26 and a pair of active layers 28 containing a group III nitride conductor layer. - 特許庁

オン動作時には電子移動の抵抗が低く、かつオフ動作時にはゲート電極と２次元電子ガスとのゲートリーク電流が発生しにくいＩＩＩ族窒化物系へテロ電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride-based hetero field-effect transistor that has low resistance against electron transfer during ON-operation, and in which gate leakage current of a gate electrode and two-dimensional electron gas is hard to occur during OFF-operation. - 特許庁

高電子移動度トランジスタにおける２次元電子ガスの濃度を向上させながら、オン抵抗を低減でき、且つ挿入損失が小さい高周波デバイスを実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a high frequency device wherein, while the concentration of a two-dimensional electron gas is improved in a high-electron-mobility transistor, the ON-state resistance thereof can be reduced and the insertion loss thereof is small. - 特許庁

２次元電子ガス効果を有する電流分散層（６）の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。例文帳に追加

Since a resistance in a transverse direction of the current diffusion layer (6) having the two dimensional electron gas effect is small, there occurs current broadening, and consequently the light extraction efficiency improves. - 特許庁

バッファ領域３に２次元電子ガスが発生することが抑制されるので、バッファ領域３が高抵抗になり、ＨＥＭＴの漏れ電流が抑制される。例文帳に追加

Since the occurrence of the two-dimensional electronic gas in the buffer region 3 is suppressed, the buffer region 3 becomes higher in resistance and the leakage current of a HEMT element is suppressed. - 特許庁

このような層構造にすれば、ｍ面は非極性面であるため、ピエゾ電界が発生しないので、ゲート電圧が印加されない場合における２次元電子ガス層の発生が抑制され、ノーマリーオフが実現できる。例文帳に追加

In a layer structure like this, (m) planes are nonpolar planes, so no piezoelectric field is produced, so generation of a two-dimensional electron gas layer in the absence of an applied gate voltage is suppressed to obtain the normally OFF type. - 特許庁

従来よりも高い移動度と高いキャリア濃度をもつ二次元電子ガスを実現するのでより高速に動作し、なおかつ電離衝突によるイオン化を抑制することにより高耐圧化が図れる。例文帳に追加

Since the two-dimensional electron gas, having mobility and carrier concentration higher than those of a conventional gas, is realized, the transistor can operate at a higher speed, and can have a higher withstand voltage, while ionization due to ionization collisions is restrained. - 特許庁

この２層構造のダイアフラムには、窒化物半導体に特有の強い圧電性によって高濃度の２次元電子ガスからなるチャネル（負の分極電荷の面状の集合体）がヘテロ接合界面上に形成される。例文帳に追加

In the diaphragm of two-layer structure, a channel (face-like collector of negative polarized pole) composed of a highly concentrated two-dimensional electronic gas is formed on a hetrojunction interface by a piezoelectricity peculiar to a nitride semiconductor. - 特許庁

固体の核スピン偏極を高効率に、かつ、所望の特定の個所の核スピン偏極を制御できる、二次元電子ガスによる核スピン操作方法と、その方法を用いた核スピン操作装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nuclear spin manipulating method using two-dimensional electron gas and a nuclear spin manipulation device using the same, by which solid nuclear spin polarization can be controlled efficiently and that at a spcific optional and specific point be also controlled. - 特許庁

炭化ケイ素からなる基板１１上には、バッファ層１２と、窒化ガリウムからなりその上部に２次元電子ガス層が形成されるチャネル層１３と、ｎ型の窒化アルミニウムガリウムからなりチャネル層１３にキャリアを供給するキャリア供給層１４とが順次形成されている。例文帳に追加

A buffer layer 12, a gallium nitride channel layer 13 on which a two-dimensional electron gas layer is formed, and an n-type aluminum nitride gallium channel layer 14 for supplying carriers to the channel layer 13 are formed sequentially on a silicon carbide substrate 11. - 特許庁

本発明は、ＨＥＭＴ構造に適した“大きなバンドギャップの半導体／小さなバンドギャップの半導体／基板”構造で、２次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a high electron mobility ZnO device having a "semiconductor with large band gap/semiconductor with small band gap/substrate" structure suitable for HEMT structure in which a two-dimensional electron gas layer is utilized as a channel layer. - 特許庁

この量子演算回路では、一対の超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）に対して静電的に結合された２次元電子ガス層を電気的に制御することによって、超伝導電荷量子ビット素子（超伝導量子箱電極１０１、１０２）間の結合の強さを制御する。例文帳に追加

The quantum operation circuit adjusts a coupling force between a pair of superconducting charge quantum bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102) by electrically controlling a two-dimensional electron gas layer electrostatically coupled to the pair of bit elements (superconducting quantum box electrodes 101, 102). - 特許庁

半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer. - 特許庁

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。例文帳に追加

Gate voltage can be increased because a pn junction produced by two-dimensional electron gas generated at an interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer, and the p-type GaN layer 105 is formed in a gate region. - 特許庁

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor device having a channel layer composed of a group III nitride semiconductor containing Al and capable of improving current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and to provide a group III nitride semiconductor stacked wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device. - 特許庁

ゲート直下となる部分では、ゲートを設けていない状態でも、障壁層とチャネル層とのヘテロ接合界面には、二次元電子ガスは発生しないように、チャネル層上に形成されるＩｎＡｌＧａＮ障壁層を構成する、ＩｎＡｌＧａＮの組成を選択する。例文帳に追加

A composition of InAlGaN constituting an InAlGaN barrier layer formed on a channel layer is selected to prevent generation of a secondary electron gas on a heterojunction interfacial surface between the barrier layer and the channel layer even in a state without forming the gate in a part immediately under the gate. - 特許庁

２次元電子ガス除去領域２６０Ａ,２６０Ｂの存在によって、スイッチング時の動的な電界変動によってソース電極２１２の端部２１２Ａからドレイン電極２１１の端部２１１Ａへ向かって電子流が集中することを回避できる。例文帳に追加

The presence of the two-dimensional electron gas removal regions 260A and 260B prevent the concentration of electron flows heading from the end part 212A of the source electrode 212 toward the end part 211A of the drain electrode 211 due to dynamic fluctuations in electric field at switching time. - 特許庁

ダイオードは、素子形成層１０の上に選択的に形成されたｐ型の窒化物半導体層１７及びオーミック電極１８を有し且つヘテロ接合界面により生じた２次元電子ガスをｎ型領域とし且つｐ型の窒化物半導体層１７をｐ型領域とする。例文帳に追加

The diode has a p-type nitride semiconductor layer 17 that is selectively formed on the element forming layer 10 and an ohmic electrode 18, with a two-dimensional electronic gas generated by a heterojunction interface as an n-type region and the p-type nitride semiconductor layer 17 as a p-type region. - 特許庁

化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。例文帳に追加

The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B. - 特許庁

アンドープＡｌＧａＮ層１０４とアンドープＧａＮ層との界面で発生する２次元電子ガスとｐ型ＧａＮ層１０５とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。例文帳に追加

The pn-junction generated by the two-dimensional electron gas generated at the interface between the undoped AlGaN layer 104 and the undoped GaN layer and by the p-type GaN layer 105 is formed at a gate region to be capable of enlarging the gate voltage. - 特許庁

Ａｌを含むIII族窒化物系半導体からなるチャネル層を備え、二次元電子ガスの移動度を高め電流特性を向上させることが可能なIII族窒化物半導体デバイス、及び該III族窒化物半導体デバイスの作製に用いられるIII族窒化物半導体積層ウェハを提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor device that includes a channel layer comprising a group III nitride-based semiconductor containing Al, and improves current characteristics by enhancing mobility of two-dimensional electron gas, and also to provide a group III nitride semiconductor laminate wafer used for manufacturing the group III nitride semiconductor device. - 特許庁

第１のオーミック電極１４は、下部が第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３及び第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１を貫通し且つ第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２における２次元電子ガス層よりも下側の領域に達するように形成されている。例文帳に追加

The lower part of each ohmic electrode 14 is formed to pierce the second group III-V nitride semiconductor layer 13 and the third group III-V nitride semiconductor layer 21 and to reach a region on the lower side than a two-dimensional electron-gas layer of the first group III-V nitride semiconductor layer 12. - 特許庁

各オーミック電極３、４は、ＧａＮキャップ層２６表面のリセス２８周辺部位に接触する第１電極５１と、第１電極５１に接触して、リセス２８を介して２次元電子ガス層２７に及ぶ第２電極５２とを有している。例文帳に追加

Each of ohmic electrodes 3 and 4 has a first electrode 51 brought into contact with the peripheral portion of a recess 28 of the surface of a GaN cap layer 26, and a second electrode 52 which is brought into contact with the first electrode 51 and reaches a two-dimensional electron gas layer 27 via the recess 28. - 特許庁

ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。例文帳に追加

The concentration of a two-dimensional electron gas to be stored in the vicinity of the hetero-junction interface between the GaN layer and the AlGaN layer is preferably controlled, thereby achieving the magnetic sensor operating with substantially the same measurement sensitivity at a temperature ranging from a room temperature to a high temperature. - 特許庁

アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。例文帳に追加

A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607. - 特許庁

HEMT１０では、ゲート電極３６に印加する正の電圧を増加していくと、第２半導体層２６とゲート絶縁膜３４の界面２７に反転層が発生するのに先立って、第１半導体層２４と第２半導体層２６の界面２５に２次元電子ガス層（2DEG）が発生する。例文帳に追加

In the HEMT 10, as positive voltage applied to the gate electrode 36 increases, the two-dimensional electron gas layer (2DEG) is produced in the boundary 25 between the first semiconductor layer 24 and the second semiconductor layer 26 prior to the production of an inversion layer in the boundary 27 between the second semiconductor layer 26 and the gate insulation film 34. - 特許庁

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier. - 特許庁

チャネル層に導入するＰとＮの濃度を調節してバンド構造を最適化することにより、駆動時には従来よりも高い移動度が高く、キャリア濃度が高い二次元電子ガスを生じるとともに、電離衝突によるイオン化が抑制される。例文帳に追加

Concentrations of P and N injected into the channel layer are controlled to optimize a band structure so that a two-dimensional electron gas improved in its mobility and concentrated in its carrier density is generated and ionization due to a ionization collision is suppressed when it is driven. - 特許庁

これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。例文帳に追加

Due to this structure, there are positive fixed electric charges arising out of the spontaneous polarization effect or piezo polarization effect in the interface between an electron supply layer and the diamond semiconductor layer, and at the same time, a two-dimensional electron gas 13 is generated near the interface between the electron supply layer and the diamond semiconductor layer. - 特許庁