「"amorphous structure"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for producing the phosphor, forming a precursor of the phosphor by a liquid phase method, then forming liquid droplet state suspension containing the precursor, drying and heating to form the phosphor is characterized with that the precursor has an amorphous structure and the changing rate of the component ratio of each of the main constituting elements of the precursor and phosphor is ≤5%.例文帳に追加

液相法によって蛍光体の前駆体を形成した後、その前駆体を含有する懸濁液を液滴状にして乾燥および加熱することによって蛍光体を形成する蛍光体の製造方法において、当該前駆体がアモルファス構造を有し、かつ当該前駆体と蛍光体の各主要構成元素の組成比の変化率が５％以下であることを特徴とする蛍光体の製造方法。 - 特許庁

The hydrogen permeable film unit is obtained by bonding a structure 3 consisting of one or more metallic material selected from Ni, Ni alloy, Cu, Cu alloy, Al, and Al alloy for reinforcing an amorphous metal membrane 2 to the amorphous metal membrane 2 having hydrogen permeability, and it is characterized in that the amorphous metal membrane 2 in the bonded part substantially holds an amorphous structure.例文帳に追加

水素透過性能を有する非晶質金属膜材２に、この非晶質金属膜材２を補強するＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｌおよびＡｌ合金のうちの１以上の金属からなる構造体３が接合されてなり、かつ上記接合部における非晶質金属膜材２は、実質的に非晶質構造を保持していることを特徴とする。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium wherein at least a base layer, an intermediate layer, a recording layer, a protective layer and a lubricating layer are successively layered on a substrate, the intermediate layer has an amorphous structure and thereby the grain size of the material of the recording layer formed on the intermediate layer is micronized and the grain size distribution thereof is uniformized.例文帳に追加

本発明は、基板上に少なくとも下地層、中間層、記録層、保護層および潤滑層を順次積層した垂直磁気記録媒体において、前記中間層がアモルファス構造を有し、前記中間層をアモルファス構造とすることにより中間層上に形成された前記記録層の材料が、結晶粒径が微細化し、粒径分布が均一化される垂直磁気記録媒体に関する。 - 特許庁

Moreover, the charged particle beam forming material 300 is constituted by forming the conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface, side surface and rear surface of the charged particle beam forming material 40, where an aperture 33 is formed to the thin film (membrane) 31a joined to the supporting frame 11a via a silicon oxide 21a.例文帳に追加

また、本発明の荷電粒子線成形体３００は、支持枠部１１ａに酸化シリコン２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに開口部（アパーチャ）３３が形成された荷電粒子線成形体４０の表面、側面及び裏面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the material for the anisotropic exchange spring magnet comprises the steps of: forming a ribbon having an amorphous structure by rapidly quenching a magnet alloy; coating the surface of the ribbon with a film having a different composition from that of the ribbon; and heat-treating the ribbon coated with the film.例文帳に追加

磁石合金を超急冷法によりアモルファスの組織を有する薄帯とする工程と、前記薄帯の表面にこの薄帯とは組成が異なる皮膜を被覆する工程と、この皮膜を被覆した薄帯に熱処理を行う工程からなることを特徴とする異方性交換スプリング磁石材料の製造方法。 - 特許庁

This coating film comprising a diamond-like carbon hard multi- layered film 3 which has an amorphous structure containing carbon as a main component and is obtained by alternately laminating low hardness hard carbon layers 4 containing graphite clusters having an average diameter of ≥2 nm and high hardness hard carbon layers 5 containing graphite clusters having an average diameter of ≤1 nm.例文帳に追加

本発明のコーティング膜は、炭素を主成分としたアモルファス構造体であって、平均径２ｎｍ以上からなるグラファイトクラスターを含む低硬度硬質炭素層４と平均径１ｎｍ以下からなるグラファイトクラスターを含む高硬度硬質炭素層５が交互に積層されたＤＬＣ硬質多層膜３である。 - 特許庁

A plurality of recessed parts 25 forming a part of the molding cavity 11 and having smooth surfaces are formed to the DLC film 25 having an amorphous structure not having crystal orientation properties by a converged ion beam capable of being converged up to several nm so as to be accurately matched with a desired molding shape.例文帳に追加

この結晶方位性のないアモルファス構造のＤＬＣ被膜２５に数ｎｍまで集束可能な集束イオンビームによって、成形キャビティ１１の一部をなす複数の凹部２５を形成することで、所望の成形形状に合わせて正確に凹部２５を形成することができると共に、表面がなめらかな凹部２５を形成することができる。 - 特許庁

In this manner, the underlaid TiN film of the Al alloy film is formed of the amorphous structure, whereby the surface energy of the TiN film is increased, a wettability to the Al alloy film of the TiN film can be enhanced more than conventional, and embedding properties of the Al alloy film into the hole can be enhanced more than conventional.例文帳に追加

このように、Ａｌ合金膜の下地となるＴｉＮ膜をアモルファス構造にすることで、ＴｉＮ膜の表面エネルギーを大きくし、ＴｉＮ膜のＡｌ合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのＡｌ合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 - 特許庁

This manufacturing method of a sample for a transmission type electron microscope includes a process for forming a protective film of an amorphous structure to the observation cross section of the specific place of a semiconductor device, a process for removing the periphery of the observation cross section to which the protective film is formed and a process for forming the region containing the protective film into a thin film state.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This is an X-ray mask which has an X-ray absorber made selectively on an X-ray transmitting film 2, and as this X-ray absorber 1, amorphous structure of TaSiAl, TaSiTi, TaSiCr, TaSiMo, TaSiCu, TaGeAl, TaGeTi, TaGeCr, TaSiMo, or TaGeCu is used.例文帳に追加

Ｘ線透過膜２上に選択的に形成されたＸ線吸収体１を有するＸ線マスクであって、このＸ線吸収体１として、アモルファス構造のＴａＳｉＡｌ、ＴａＳｉＴｉ、ＴａＳｉＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＳｉＣｕ、ＴａＧｅＡｌ、ＴａＧｅＴｉ、ＴａＧｅＣｒ、ＴａＳｉＭｏ、ＴａＧｅＣｕを用いる。 - 特許庁

Further, the observation method for observing the cross section of the semiconductor device includes a process for observing the cross section of the specific place of the semiconductor device by a scanning microscope and a process for forming the protective film of an amorphous structure to the cross section and further observing the cross section by the transmission type electron microscope through the protective film.例文帳に追加

また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An alloy 31 which has glass transition temperature and crystallization temperature and also has an amorphous structure is disposed between a semiconductor chip 11 and a wiring layer 14, and while they are pressed, the alloy 31 is heated to the level of a temperature between the glass transition temperature and crystallization temperature to bond the semiconductor chip 11 and wiring layer 14 together.例文帳に追加

ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金３１を半導体チップ１１と配線層１４との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金３１をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ１１と配線層１４接合する。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁