「"amorphous structure"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The carbon film A is constituted in such a way that a lubrication part 3 in which a hard part 1 is graphitized is formed in the prescribed part of the surface of the hard part 1 composed of a carbon film of amorphous structure.例文帳に追加

炭素膜Ａの構成を、アモルファス構造の炭素膜からなる硬質部１の表面の所定部分に、硬質部１をグラファイト化した潤滑部３が形成されるようにした。 - 特許庁

The composite metallic glass has a composite structure in which pure copper and/or a copper alloy or pure silver and/or a silver alloy, which are superior in electroconductivity, are dispersed in a parent phase of the metallic glass having an amorphous structure and is superior in strength.例文帳に追加

この複合化金属ガラスは、アモルファス構造を有し強度に優れた金属ガラス母相中に、導電性に優れた純銅・銅合金、または純銀・銀合金が分散した複合組織から成る。 - 特許庁

The abrasive grains are made of diamond and/or cBN particles, a bonding material including the abrasive grains is mainly made of carbon with an amorphous structure, and the overall tool is formed of a burned body consisting of the abrasive grains and the bonding material.例文帳に追加

砥粒がダイヤモンド及び／またはｃＢＮの粒子からなり、該砥粒を内包するボンド材が主として非晶質構造の炭素からなり、上記砥粒とボンド材との焼成体により工具全体を構成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a boron-containing organosilazane polymer suitable as a precursor of a ceramic which has an amorphous structure even at a high temperature of ≥1,800°C and oxidation resistance at ≥1,500°C.例文帳に追加

1800℃以上の高温でも非晶質構造を有し、また1500℃以上の温度で耐酸化性であるようなセラミックスを得るための前駆体として好適なホウ素含有オルガノシラザンポリマーの製造方法を提供する。 - 特許庁

The one of a ceramic thin layer of high refractive index and a ceramic thin layer of low refractive index has a dense amorphous structure and the other has a columnar structure.例文帳に追加

高屈折率セラミック薄膜層あるいは低屈折率セラミック薄膜層の一方が緻密なアモルファス構造であり、他方が柱状構造であることを特徴とする。 - 特許庁

The thickness of a TiN protection film deposited on a Co film in the salicide process is reduced so that the TiN protection film may have a nano grain structure or an amorphous structure.例文帳に追加

サリサイド工程の際にＣｏ膜上に堆積されるＴｉＮ保護膜の膜厚を、ナノグレイン構造あるいはアモルファス構造を有するように減少させる。 - 特許庁

A TiN film 4 of amorphous structure is laminated on the substrate 10, and a W film 6 is laminated thereon, and further the W film 6, TiN film 4 and Ti film 1 are removed to form a W plug 6a.例文帳に追加

基板１０の上にアモルファス構造のＴｉＮ膜４を堆積し、その上にＷ膜６を堆積し、Ｗ膜６、ＴｉＮ膜４およびＴｉ膜１を除去して、Ｗプラグ6aを形成する。 - 特許庁

To provide large-sized bulk metallic glass formable in a critical diameter at which an amorphous structure is maintained to a size not possible heretofore, and a method for manufacturing the large-sized bulk metallic glass (CAP casting method).例文帳に追加

非結晶組織が維持されている臨界径を、従来にない大きさにすることができる大型バルク金属ガラスおよび大型バルク金属ガラスの製造方法（ＣＡＰ鋳造法）を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for treating a metallic material by which the minute or amorphous structure of the metallic material can be obtd. and the prevention of environmental pollution and the reduction of cost can be obtd., too.例文帳に追加

金属材料の微細化或いはアモルファス化を図り得ると共に、公害防止及び費用低減をも図り得る金属材料の処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The DLC thin films 11, 12a are composed of a carbon element with a dense amorphous structure, and attached to a base material by PVD processing or CVD processing with a thickness of approximately 1-5 μm.例文帳に追加

このＤＬＣ薄膜１１，１２ａは、炭素元素から構成され緻密なアモルファス構造を有し、ＰＶＤ処理あるいはＣＶＤ処理により厚さ1〜5μm程度で基材に付着させる。 - 特許庁

This protective film 25 has such modes that the silicon has either one of a crystal structure of the silicon itself, the amorphous structure, or the SiC crystal structure, or a mixture of several kinds of these structures.例文帳に追加

この保護被膜２５中において、珪素は珪素自身による結晶構造またはアモルファス構造、もしくはＳｉＣの結晶構造のいずれかもしくはこれらのうちの複数種類の構造が混在する態様とする。 - 特許庁

The protective film for the surface of a metal working tool is composed of a mixed film or a stacked film of the nitride of a transition metal element and carbon having an amorphous structure and deposited on a metal surface by a vapor phase thin film deposition process.例文帳に追加

気相薄膜形成法によって金属表面に形成される、遷移金属元素の窒化物と非晶質構造の炭素との混合膜又は積層膜からなる金属加工工具表面保護膜。 - 特許庁

This provides a relatively uniform surface for producing a dielectric thereon, which results in that a dielectric layer having a substantially uniform thickness and a homogeneous amorphous structure is formed, thereby improving a leakage current and stability.例文帳に追加

これは、誘電体の生成のための比較的均一な表面を提供し、それは、次に、実質的に均一な厚み及び均質なアモルファス構造を有する誘電体層をもたらし、従って、漏れ電流及び安定性が改善される。 - 特許庁

This hydrophilic azo-based organic pigment is characterized by containing at least one sulfonic group and a monovalent or more-valent inorganic counter ion to be coupled with the sulfonic group and exhibiting an amorphous structure in X-ray diffraction spectrum.例文帳に追加

少なくとも1つのスルホン酸基及び該スルホン酸基と結合する1価及び2価以上の無機対イオンを含み、X線回折スペクトルにおいて非晶質構造を示すことを特徴とする親水性アゾ系有機顔料により上記の課題を解決する。 - 特許庁

To remove catalyst element used for crystallization of a semiconductor film having an amorphous structure, a region whereto rare gas element is added, or a semiconductor film whereto rare gas element is added is formed, heat treatment is carried out, and catalyst element is moved there and gettering is accomplished.例文帳に追加

非晶質構造を有する半導体膜の結晶化に用いた触媒元素を除去するために、希ガス元素を添加した領域又は希ガス元素が添加された半導体膜を形成し、加熱処理を施してそこに触媒元素を移動させ、ゲッタリングを完遂させるものである。 - 特許庁

In the golf club which includes a pipe-shaped metal material and includes a shaft 1 where a plating layer on the surface is formed, a diamond like carbon film 3 comprising an amorphous structure with carbon as the main component is formed on the shaft.例文帳に追加

パイプ状の金属材料から構成され、表面にメッキ層を形成したシャフト１を備えたゴルフクラブにおいて、前記シャフトに炭素を主成分としたアモルファス構造体からなるダイヤモンドライクカーボン膜３を形成したことを特徴とするゴルフクラブである。 - 特許庁

In a front panel, the protective film 8 is formed with a composition of an oxide containing Sr and Zr to include a part of an amorphous structure, and the quantity of Sr in the oxide is set larger than that of Zr in the oxide.例文帳に追加

フロントパネルにおいて、保護膜８をＳｒ及びＺｒを含む酸化物の組成で且つアモルファス構造体の部分を有するように構成し、さらに、当該酸化物中のＳｒ量が、当該酸化物中のＺｒ量よりも多く設定する。 - 特許庁

A crystallization promoting film is formed to promote crystallization in contact with an interfacial magnetic film having an amorphous structure, thus promoting crystallization from the side of a tunnel barrier layer, and adjusting the interface between the tunnel barrier layer and the interfacial magnetic film layer.例文帳に追加

アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。 - 特許庁

A method for forming a gettering site comprises; a step for forming the semiconductor film having an amorphous structure such as, typically, an amorphous silicon film; a step for adding compound ions such as, typically, a fluorine compound, carbon compound, nitrogen compound or oxygen compound; and a step for performing heat treatment for gettering.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、化合物イオン、代表的にはフッ素化合物、炭素化合物、窒素化合物、または酸素化合物を添加した後、加熱処理してゲッタリングを行うものである。 - 特許庁

Crystallization on the side of a tunnel barrier layer is promoted by forming a crystallization promoting film which promotes crystallization in contact with an interfacial magnetic film having an amorphous structure to match the tunnel barrier layer and the interfacial magnetic layer.例文帳に追加

アモルファス構造を有する界面磁性膜に接するように結晶化を促進する結晶化促進膜を形成することにより、トンネルバリア層側から結晶化を促進し、トンネルバリア層と上記界面磁性膜層との界面を整合させる。 - 特許庁

A tantalum nitride film formed by CVD, etc. in a temperature range of 200-400°C is thermally oxidized by the wet oxidizing method to form an insulation film, i.e., a tantalum oxide film having a laminate structure of a non-stoichiometric composition film, and a stoichiometric composition film having an amorphous structure.例文帳に追加

ウェット酸化法により２００〜４００℃の温度範囲でＣＶＤ法等を用いて成膜した窒化タンタル膜を熱酸化することにより、非化学量論的組成膜とアモルファス構造を有する化学量論的組成膜との積層構造を有する酸化タンタル膜を上記絶縁膜として形成する。 - 特許庁

The method for morphologically changing this silicon film includes the steps of irradiating a silicon film formed by a coating method with flashing light to molecular morphologically change the silicon film, that is, to morphologically change the film at a molecular level, such as, for example, change the film between an amorphous structure and a crystal structure, and changing the film between crystal structures.例文帳に追加

塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化、すなわち分子レベルにおける形態学的変化、例えばアモルファス構造と結晶構造間の変化、結晶構造間の変化を生じさせる、シリコン膜の形態学的変化法。 - 特許庁

To provide a producing method of an amorphous soft magnetic alloy injection formed body which has large shape and is excellent in the soft magnetic characteristic and the amorphous structure in the whole body, and also, a molding die for injection forming which can evenly and rapidly cool the injected molten steel.例文帳に追加

軟磁気特性に優れて大きな形状であると共に、全体が非晶質組織である非晶質軟磁性合金射出成形体の製造方法を提供すると共に、射出された溶湯をむらなく急冷することが可能な射出成形用の成形金型を提供する。 - 特許庁

The insertion material foil 50 contains more than or equal to 50 atom.% of B (boron), Fe (iron) or Ni (nickel) and 0.1 to 25 atom.% of V (vanadium) and is not more than 100 μm and not less than 30 μm in thickness having amorphous structure in mode substantially.例文帳に追加

インサート材箔５０は、Ｂ（ホウ素）とＦｅ（鉄）乃至はＮｉ（ニッケル）を５０原子％以上含有し、かつＶ（バナジウム）を０．１〜２５原子％含有し、形態が実質的に非晶質の構造を有する厚さ１００μｍ以下で、３０μｍ以上である。 - 特許庁

The carbon nanotube has ≤500 nm outer diameter and ≥50 nm length and has the wall portion composed of carbon and is characterized in that the outer region of the wall portion has an amorphous structure and the inner region of the wall portion has a crystalline structure.例文帳に追加

外径が５００ｎｍ以下、長さが５０ｎｍ以上であり、炭素から成る壁部を有するカーボンナノチューブであって、壁部の外側領域がアモルファス構造であり、壁部の内側領域が結晶構造であることを特徴とするカーボンナノチューブ。 - 特許庁

This phase changing optical recording medium has a recording film, by irradiating light over which a reversible phase change occurs between a crystalline structure and an amorphous structure, and an interfacial film, which is formed in contact with at least one side of the recording film and is made of a compound including Hf (hafnium), O (oxygen) and N (nitrogen).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜と、前記記録膜の少なくとも一方の面に接して形成された、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｏ（酸素）およびＮ（窒素）を含有する化合物からなる界面膜とを有することを特徴とする相変化光記録媒体。 - 特許庁

The protective film 25 is formed on one face 21a of the base 21 by PVD (physical vapor deposition) and CVD (chemical vapor deposition), it has mainly an amorphous structure having carbon as its main component and silicon added thereto, and has crystalline crystallized partially.例文帳に追加

保護被膜２５は、ＰＶＤやＣＶＤ等によって台金２１の一面２１ａ上に形成されるものとし、その構成は、炭素を主体として珪素が添加された主としてアモルファス構造をなし一部に結晶質を析出させたものとする。 - 特許庁

The thermal stress relaxing substance 20 is provided with insulation properties and a polycrystalline or an amorphous structure of superior stress-relaxing properties by slippage in an interface between crystal grains, or has a structure which does not exist in a precise crystal arrangement having small density.例文帳に追加

熱応力緩和物質２０は電気絶縁性を有し、結晶粒界に於けるすべりなどにより応力の緩和性に優れた多結晶又はアモルファス構造を有し、或いは密度が小さく緻密な結晶配置にない構造を有している。 - 特許庁

The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure.例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 - 特許庁

To provide a boron-containing organosilazane polymer suitable as a precursor for obtaining a ceramic having an amorphous structure which is stable even at a high temperature of ≥1,800 °C, being oxidation-resistant at ≥1,700°C and having a low density and high radiation ratio in a high yield and to provide a method for producing the polymer.例文帳に追加

１８００℃以上の高温でも安定な非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性である、低密度、高輻射率のセラミックスを高収率で得るための前駆体として好適なホウ素含有オルガノシラザンポリマーとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the iron or steel products, metal films 12 are fixed onto surfaces constituting a part of the road surface of the iron or steel manufactures 4 and 5 by flame spraying, and the material of the metal films is composed of an alloy having an amorphous structure or stainless steel.例文帳に追加

鉄鋼製品４、５の路面の一部を構成する面に溶射により金属膜１２を固着したことを特徴とし、さらに、その金属膜の材料がアモルファス構造の合金又はステンレス鋼であることを特徴とする鉄鋼製品 - 特許庁

Furthermore, after the cross section of the specific place of the semiconductor device is observed by the scanning microscope, the protective film of the amorphous structure is provided on the observation cross section in an observation sample formed in order to observe the same observation cross section by the transmission electron microscope.例文帳に追加

更に、半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察した後、同一観察断面を透過型電子顕微鏡で観察すべく作製される観察試料において、前記観察断面上に非晶質構造の保護膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

This has an amorphous structure in which indium oxide is the main component, in which tungsten element is contained by the proportion of W/In atomic ratio of 0.004 to 0.023, and in which zinc element is contained by the proportion of Zn/In atomic ratio of 0.004 to 0.100.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分として、タングステン元素がＷ／Ｉｎ原子数比で０．００４〜０．０２３の割合で含有され、亜鉛元素がＺｎ／Ｉｎ原子数比で０．００４〜０．１００の割合で含有され、非晶質構造である。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced ceramic composite material composed of an Si-N-B-C quaternary ceramic having amorphous structure even at a high temperature of ≥1,800°C and oxidation resistance at ≥1,700°C as a parent phase ceramic, and a process for producing the same.例文帳に追加

本発明は、１８００℃以上の高温でも非晶質構造を有し、また１７００℃以上の温度で耐酸化性であるＳｉ−Ｎ−Ｂ−Ｃ四元系セラミックスを母相セラミックスとする繊維強化セラミックス基複合材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new carbon nanotube characterized in that the carbon nanotube is susceptible to the addition of a functional group to the surface thereof due to the amorphous structure of the outer region of the wall portions thereof and exhibits high electric conductivity and high strength due to the crystalline structure of the inner region of the wall portion thereof.例文帳に追加

カーボンナノチューブの壁の外側領域がアモルファス構造であるため表面に官能基が付加し易く、また、カーボンナノチューブの壁部の内側領域が結晶構造であるため電気伝導度および強度が高いという特徴を有する、新規なカーボンナノチューブを提供する。 - 特許庁

The charged particle beam forming material 100 is constituted by forming a conductive film layer 41 of the amorphous structure on the front surface of the charged particle beam forming material 30, wherein a through-hole 32 is formed to a thin film (membrane) 31a joined to a supporting frame 11a via a joining layer 21a.例文帳に追加

本発明の荷電粒子線成形体１００は、支持枠部１１ａに接合層２１ａを介して接合された薄膜部（メンブレン）３１ａに貫通孔３２が形成された荷電粒子線成形体３０の表面にアモルファス構造の導電膜層４１が形成されたものである。 - 特許庁

This hard-carbon coated material is characterized by having the hard carbon film of an amorphous structure on the substrate, which contains fine particles of crystal diamond with the particle size of 100 nm or less, through an intermediate layer consisting of elements in the groups of IVa, Va, VIa, VIII, IIIb, and IVb in the periodic table, or nitrides or carbides thereof.例文帳に追加

基材上に元素周期表のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、IIIｂ族、IVｂ族の元素、もしくはその窒化物、炭化物からなる中間層を介して結晶粒径１００ｎｍ以下の微細ダイヤモンド結晶粒を含むアモルファス構造の硬質炭素膜を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The transparent electroconductive film has a multilayer structure comprising a first ITO film, a metallic thin film, and a second ITO film, and is characterized by not exposing the film to an atmosphere of 300°C or higher, through start of formation to etching of the transparent film, to make the first and the second ITO films keep an amorphous structure.例文帳に追加

第１のＩＴＯ膜と金属薄膜と第２のＩＴＯ膜との積層構造になっている透明導電膜において、透明導電膜の形成開始からエッチングまでの間に、３００℃以上の高温にせず、第１、第２のＩＴＯ膜にアモルファス構造を維持させる。 - 特許庁

In the method for producing the nanocarbon particles, carbon black particles each having an amorphous structure with a diameter of 10-500 nm are exposed to a discharge plasma to rearrange carbon atoms, thereby obtaining a structure wherein intermittent carbon hexagonal net-like planes are arranged in a nearly concentric state and laminated.例文帳に追加

直径が１０〜５００ｎｍであるアモルファス構造のカーボンブラック粒子を、放電プラズマ中に曝して炭素原子を再配列させ、断続した炭素六方網平面が略同心円状に配列して積層化した構造とする。 - 特許庁

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the electrode active material for the lithium secondary battery composed of the complex oxide having the amorphous structure and containing: lithium; at least one transition metal element; and at least one element glass-formable in a form of an oxide together with oxygen.例文帳に追加

本発明により、アモルファス構造を有する複合酸化物であって、リチウムと、少なくとも１種の遷移金属元素と、酸素と共に酸化物の形態でガラス形成可能な少なくとも１種の元素とを含む、複合酸化物からなるリチウム二次電池用の電極活物質を製造する方法が提供される。 - 特許庁

A process for forming a gettering site comprises the steps of: forming a semiconductor film containing a rare gas element; forming a semiconductor film having an amorphous structure containing a high-concentration rare gas element, amorphous silicon film as a major example, on the surface of a second semiconductor film by treating the film for generating plasma of a rare gas element, carbon, or oxygen; and gettering the semiconductor film.例文帳に追加

ゲッタリングサイトを形成する工程として、希ガス元素を含む半導体膜を形成した後、希ガス元素、炭素、または酸素のプラズマを発生させる処理を行うことで第２の半導体膜表面に高濃度の希ガス元素を含ませた非晶質構造を有する半導体膜、代表的にはアモルファスシリコン膜を形成した後、ゲッタリング処理を行うものである。 - 特許庁

To provide a growth method for a nitride semiconductor, whereby a nitride semiconductor layer satisfactory in crystallinity can be formed stably by solving the crystallinity irregularities of a nitride semiconductor due to the growth of an amorphous structure on a substrate, because of the exposure of the substrate which is incapable of epitaxially growing the nitride semiconductor in the lateral growing process of the nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体の横方向の成長過程で、窒化物半導体がエピタキシャル成長不可能な基板が露出していることにより基板上に成長するアモルファスによる結晶性の乱れを解決し、結晶性の良好な窒化物半導体層を安定して形成することのできる窒化物半導体の成長方法を提供することである。 - 特許庁

A semiconductor substrate comprises a first semiconductor layer 12 composed of a III-V or II-IV semiconductor in which an amorphous area 12b with an amorphous structure and a crystalline area 12a with a crystalline structure are formed on an upper surface, and a second semiconductor layer 20 formed on the first semiconductor layer through crystalline growth from the crystalline area.例文帳に追加

上面に非晶質構造を有する非晶質領域１２ｂと結晶構造を有する結晶質領域１２ａとが形成されたIII−Ｖ族半導体またはII−IV族半導体からなる第１半導体層１２と、結晶質領域から結晶成長されることにより第１半導体層上に形成された第２半導体層２０と、を備える。 - 特許庁

In the transistor where the oxide semiconductor is used as a channel layer, at least an amorphous structure is included in a region of an oxide semiconductor layer between a source electrode layer and a drain electrode layer, where a channel is to be formed, and a crystal structure is included in a region which is electrically connected to an external portion such as the source electrode layer and the drain electrode layer.例文帳に追加

チャネル層を酸化物半導体で設けるトランジスタにおいて、酸化物半導体層の領域のうち、ソース電極層とドレイン電極層の間に位置しチャネルが形成される領域を少なくとも非晶質構造で設け、ソース電極層及びドレイン電極層等の外部と電気的に接続する領域を結晶構造で設ける。 - 特許庁