「"film resistance"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PLATING BATH FOR FORMING THIN FILM RESISTANCE LAYER, THIN FILM RESISTANCE LAYER FORMING METHOD, CONDUCTIVE BASE MATERIAL WITH THIN FILM RESISTANCE LAYER, AND CIRCUIT BOARD MATERIAL WITH RESISTANCE LAYER例文帳に追加

薄膜抵抗層形成用めっき浴、薄膜抵抗層形成方法、薄膜抵抗層付き導電性基材及び抵抗層付き回路基板材料 - 特許庁

GLASS PASTE FOR OVER COAT AND THICK FILM RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

オーバーコート用ガラスペースト及び厚膜抵抗素子 - 特許庁

THICK FILM RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

厚膜抵抗素子、及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING RESISTANCE VALUE OF FILM RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

膜抵抗素子の抵抗値調整方法 - 特許庁

THIN FILM RESISTANCE ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING THE ELEMENT例文帳に追加

薄膜抵抗素子およびその製造方法 - 特許庁

THIN FILM RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

薄膜抵抗素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with thin-film resistance that suppresses higher contact resistance between a thin-film resistance and a wiring part.例文帳に追加

薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the magnetic head slider 1 includes a first thin-film resistance heater element 4 and a second thin-film resistance heater element 4.例文帳に追加

さらに、磁気ヘッド・スライダ１は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４とを有する。 - 特許庁

To provide a thin-film resistance device and its adjusting method whereby the resistance-temperature characteristic of a nano-granular thin-film resistance can be adjusted.例文帳に追加

ナノグラニュラー薄膜抵抗の抵抗温度特性が調整可能な薄膜抵抗装置及びその調整方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

THIN FILM RESISTANCE HEATING ELEMENT AND TONER HEATING/ FIXING MEMBER USING IT例文帳に追加

薄膜抵抗発熱体及びそれを用いたトナーの加熱定着用部材 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD INCORPORATING FILM RESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

膜状抵抗素子を内蔵した多層プリント配線板の製造方法 - 特許庁

THIN FILM RESISTANCE MATERIAL, RESISTOR USING SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTOR例文帳に追加

薄膜抵抗材料、これを用いた抵抗器、及び抵抗器の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MEASURING THIN-FILM RESISTANCE, AND METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT例文帳に追加

薄膜抵抗測定方法およびトンネル磁気抵抗素子の製造方法 - 特許庁

The thin film resistance 5 has the strain sensing thin film resistance part 8 and an electrode connection part 9 connected with the strain sensing thin film resistance part 8, and the electrode connection part 9 is extended to the electrode pad part 10.例文帳に追加

薄膜抵抗体５は、歪検出用薄膜抵抗部８及び歪検出用薄膜抵抗部８に接続された電極接続部９を有し、この電極接続部９は電極パッド部１０まで延設される。 - 特許庁

CIRCUIT COMPONENT HAVING THIN FILM CAPACITOR AND THIN FILM RESISTANCE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄膜キャパシタおよび薄膜抵抗を有する回路部品ならびにその製造方法 - 特許庁

A dielectric layer is provided between the ceramic diaphragm (support) and the thick film resistance and thick film conductor path.例文帳に追加

セラミックダイアフラム（支持体）と厚膜抵抗および厚膜導体路の間に誘電層を設ける。 - 特許庁

SIMULATION METHOD AND SYSTEM FOR TRIMMING THICK FILM RESISTANCE, AND PROGRAM例文帳に追加

厚膜抵抗トリミングのシミュレーション方法、シミュレーションシステム及びプログラム - 特許庁

Accordingly, the following effects are obtained: (1) Variation of a resistance value of the thick film resistance 6 is reduced after laser trimming.例文帳に追加

（１）レーザートリミング後の厚膜抵抗６の抵抗値変動を低減することができる。 - 特許庁

After removing the resist mask 13, the forming of the metallic thin film resistance circuit is completed (E).例文帳に追加

レジストマスク１３を除去し、金属薄膜抵抗体回路の形成を完了する（Ｅ）。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a structure for reducing film resistance of an electrode constituting a light emitting element.例文帳に追加

発光素子を構成する電極の膜抵抗を低下させる構造を持つ発光装置を提供する。 - 特許庁

At this point, a time constant τ=C×R found from a discharge capacity C and a protective film resistance is referred to.例文帳に追加

その際に、放電容量Ｃと保護膜抵抗から求められる時定数τ＝Ｃ×Ｒを参照する。 - 特許庁

The film thickness of the thin-film resistance 30 is set below the skin depth at a frequency to be compensated.例文帳に追加

薄膜抵抗３０の膜厚は補償すべき周波数での表皮深さ以下に設定する。 - 特許庁

To provide a thin film resistance element whose electric resistance thin film is hardly separated from its substrate.例文帳に追加

電気抵抗薄膜が基板から剥がれにくい薄膜抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To stabilize contact resistance value of a metal thin film resistance material and contact resistance thereof to a wiring pattern in a semiconductor device including the metal thin film resistance material.例文帳に追加

金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、金属薄膜抵抗体の抵抗値及び配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現する。 - 特許庁

The second thin-film resistance heater element is located on a layer lower than the first thin film resistance heater element and exists near the floating surface and magnetoresistance effect element than the position of the first heater element.例文帳に追加

第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。 - 特許庁

The thin-film resistance contact sensor element is formed on a layer which is higher than the second thin-film resistance heater element and is located closer to the floating surface than to the position of the second heater element.例文帳に追加

薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。 - 特許庁

(3) Since the window is not opened in the residual glass insulating layers 3, 4 including at least the uppermost layer on the thick film resistance 6, a wiring pattern can be laid thereon to protect the thick film resistance 6.例文帳に追加

（３）厚膜抵抗６上の少なくとも最上層を含む残部のガラス絶縁層３、４に窓を開口しないので、この上に配線パタンを布設でき、厚膜抵抗６を保護することができる。 - 特許庁

The invention comprises a thin film resistance 5 provided on a strain generation part 2 through an insulating film 4 and an electrode thin film 6 furnished with an electrode pad part 10 installed on the thin film resistance 5.例文帳に追加

起歪部２に絶縁膜４を介して設けられた薄膜抵抗体５と、この薄膜抵抗体５に設けられた電極パッド部１０を形成した電極薄膜６とを備える。 - 特許庁

In each above electrode, metallization films 12, 14 with high evaporated film resistance and metallization films 11, 13 with low evaporated film resistance are made intermingled.例文帳に追加

上記各電極においては、蒸着膜抵抗が大である金属化フィルム１２、１４と、蒸着膜抵抗が小である金属化フィルム１１、１３とを混在させる。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

A thin film resistance element 30 formed of chromium silicon (CrSi) is formed on the upper surface of the TEOS film 21.例文帳に追加

そして、このＴＥＯＳ膜２１の上面には、クロムシリコン（ＣｒＳｉ）からなる薄膜抵抗素子３０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a metal thin film resistance body can be irradiated with the laser beam in the width smaller than the beam diameter.例文帳に追加

ビーム径よりも小さい幅で金属薄膜抵抗体にレーザビームを照射することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide curing thick film resistance paste capable of forming a thick film resistor having a small temperature coefficient by heating and curing at a comparatively low temperature.例文帳に追加

温度係数の小さい厚膜抵抗体を比較的低温の加温硬化で形成することができる効果型厚膜抵抗ペーストを提供する。 - 特許庁

The resistor is constituted by forming the thin film resistance material with a desired pattern on one surface of a substrate made of an insulator.例文帳に追加

抵抗器を、絶縁体製基板の一面に、薄膜抵抗材料を所望のパターンで形成した構成とする。 - 特許庁

An electrode is formed so that a current flows horizontal to a thin film resistance layer in a high resistance element and flows vertical in a low resistance element.例文帳に追加

高抵抗素子は薄膜抵抗層に対し電流が水平に流れ、低抵抗素子は垂直に流れるように電極を形成する。 - 特許庁

To enhance productivity and to realize a good and stable deposition distribution and reproducibility of film resistance by a plasma cleaning method in the deposition by a CVD process.例文帳に追加

ＣＶＤ法による成膜におけるプラズマクリーニング法で、生産性を高め、良好で安定した成膜分布、膜抵抗の再現性を実現する。 - 特許庁

To provide a pleats type membrane module suppressed in the increase of film resistance and capable of efficient gas liquid contact operation.例文帳に追加

境膜抵抗の増加を抑制し、効率的な気液接触操作が可能なプリーツ型膜モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a chromium-free transparent anticorrosion paint composition excellent in appearance of coating film, resistance against filiform rust, and water resistance.例文帳に追加

塗膜外観、耐糸錆性、耐水性のいずれも良好なクロムフリーの透明防食塗料組成物の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a thin-film resistance capable of improving the value of resistance and performing integration, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

抵抗値を向上させつつ高集積化が可能な薄膜抵抗を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

THIN-FILM RESISTANCE ELEMENT, SILICON OPTICAL BENCH HAVING THE SAME MOUNTED RESISTANCE ELEMENT, LASER DIODE MODULE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

薄膜抵抗素子、これを搭載したシリコンオプティカルベンチ及びレーザダイオードモジュール、並びに製造方法 - 特許庁

Namely, the thin-film resistance α and the capacitor β form a lamination structure on a silicon substrate 11.例文帳に追加

つまり、シリコン基板１１上において、薄膜抵抗素子αとキャパシタ素子βとが積層構造になっている。 - 特許庁

The pull-up resistance 17 comprises a serial circuit constituted of a magnetic resistance element MRE15 functioning as a thin film resistance and a diffusion resistance DR.例文帳に追加

このプルアップ抵抗１７は、薄膜抵抗として機能する磁気抵抗素子ＭＲＥ１５と拡散抵抗ＤＲとの直列回路からなっている。 - 特許庁

The first thin-film resistance heater element is formed on a position far from the floating surface than the positions of a magnetoresistance effect element and a recording magnetic pole.例文帳に追加

第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。 - 特許庁

A metal thin film is formed to form the metal thin film resistance material 23 within the connecting holes 21 and on the insulating film 19.例文帳に追加

接続孔２１内及び絶縁膜１９上に金属薄膜抵抗体２３を形成するための金属薄膜を形成する。 - 特許庁

The metal thin film resistance material 23 is formed by patterning the metal thin film for leaving the metal thin film also to the connecting hole 21.例文帳に追加

接続孔２１にも金属薄膜を残存させるように金属薄膜をパターニングして金属薄膜抵抗体２３を形成する。 - 特許庁