「"inside the gate"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The carriage is waiting inside the gate―outside the gate. 例文帳に追加

馬車が門の内に（門の外に）待っている - 斎藤和英大辞典

in a Japanese castle, a place for warriors to gather inside the gate, called 'mushadamari' 例文帳に追加

武者溜りという,城門内の場所 - EDR日英対訳辞書

Inside the Gate, there are a pair of statues of Kongo Rikishi (Nio, Guardians of the Temple) and a pair of stone lions (Important Cultural Property). 例文帳に追加

門内左右には金剛力士（仁王）像と石造獅子1対（重要文化財）を安置する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The fierce fighting resumed, and Tametomo, whose force was very small, briefly pulled his soldiers back inside the gate, but Yoshitomo's forces only continued to press their attack. 例文帳に追加

再び乱戦になり、無勢の為朝はいったん門内に兵を引くが、義朝勢は追撃にかかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A gate insulating film 7 is formed on the inside wall surface of the trench 5 and a gate electrode 8 is formed inside the gate insulating film 7.例文帳に追加

トレンチ５の内壁面にはゲート絶縁膜７が形成され、その内部にはゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a gate insulation film (insulation film 15) and a gate electrode (low resistance metallic film 16) are embedded inside the gate groove.例文帳に追加

その後、このゲート溝の内部にゲート絶縁膜（絶縁膜１５）およびゲート電極（低抵抗金属膜１６）を埋め込む。 - 特許庁

An interlayer insulation film 65 is formed inside the gate polysilicon 52 and its inside is filled with the polysilicon 63 which electrically connects to the drain region.例文帳に追加

ゲートポリシリコン５２の内側に層間絶縁膜６５を設け、その内側をドレイン領域に電気的に接続するポリシリコン６３で埋める。 - 特許庁

Then, after forming a gate electrode 114 inside the gate trench, the silicon nitride film 102 is removed and a contact plug is embedded in a contact hole, formed by the removal of the silicon nitride film 102.例文帳に追加

次に、ゲートトレンチ内にゲート電極１１４を形成した後、シリコン窒化膜１０２を除去し、これにより形成されたコンタクトホール内にコンタクトプラグを埋め込む。 - 特許庁

Thermal treatment is performed thereon diffusing an n-side cap layer 8A inside the gate electrode metal film M beneath the n-side cap layer 8A and allowing the former to react with the latter, thereby forming an n-side gate electrode metal film MA inside the nFET region Rn.例文帳に追加

その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。 - 特許庁

The pump gate comprises a pedestal 33 inside the gate door body 21 having a through-hole 33a gradually reducing in diameter from the upper side to the lower side thereof formed therein and a mounting plate 38 for the gate pump 27 gradually reducing in diameter from the upper side to the lower side thereof.例文帳に追加

上方から下方に向けて径が漸次縮小する貫通孔３３ａが形成されたゲート扉体２１内部の台座３３と、上方から下方に向けて径が漸次縮小するゲートポンプ２７の取付板３８とを備える。 - 特許庁

Since latch operation is carried out by the 2nd load latch 4b after latching by the 1st load latch 4a, and rearranging data on the glass substrate, it becomes unnecessary to rearrange the digital pixel data inside the gate array, and the gate array becomes unnecessary.例文帳に追加

第１ロードラッチ４ａでラッチした後、ガラス基板上でデータの並び替えを行ってから第２ロードラッチ４ｂでラッチ動作を行うため、ゲートアレイ内部でデジタル画素データの並び替えを行う必要がなくなり、ゲートアレイが不要になる。 - 特許庁

A unit cell has gate electrodes G having an open-loop structure formed on a semiconductor substrate 1, a fin-shaped drain region 2 formed in a region inside the gate electrodes G and a fin-shaped source region 3 formed in a region outside the gate electrodes G.例文帳に追加

ユニットセルは、半導体基板１上に形成された開ループ構造のゲート電極Ｇと、前記ゲート電極Ｇの内方となる領域にフィン状に形成されたドレイン領域２と、前記ゲート電極Ｇの外方となる領域に形成されたフィン状のソース領域３とを有する。 - 特許庁

Further, the radio wave is propagated in a turning manner while being often reflected inside the gate 4, the radio wave also hits the wireless IC tag 30 attached to a bucket 32 with conductive articles such as electronic substrates being stored therein, and the reading ratio can be enhanced.例文帳に追加

また、電波がゲート４内部で何度も反射しながら回り込むように伝搬するため、電子基板等の導電性の物品が収納されたバケット３２に付された無線ＩＣタグ３０にも当たるようになり、読み取り率を向上させることができる。 - 特許庁

An insulating screen 250 and an insulating gate wall 251 are provided inside the gate 205 containing the gate valve 244, and the electrical impedance of the gate 205 is set higher from the viewpoint of plasma P than that of the processing chamber 201 where the insulating processing chamber wall 280 is provided.例文帳に追加

ゲートバルブ２４４を含むゲート２０５の内側に絶縁性のスクリーン２５０及びゲートウォール２５１を設け、プラズマＰから見たゲート２０５の電気インピーダンスを絶縁性の処理室ウォール２８０を設けた処理室２０１よりも高くする。 - 特許庁

Immediately after the gate electrode 35 is formed inside the gate recess 32 following the formation of the gate recess 32, the side face and the bottom face defining the gate recess 32 are subject to radical oxygen 40 for an oxide treatment to form an oxide treatment layer 37, and then the protective film 36 is formed.例文帳に追加

ゲートリセス３２を形成し、ゲートリセス３２内にゲート電極３５を形成した直後に、ゲートリセス３２を規定する側面および底面を、ラジカル酸素４０によって酸化処理することによって、酸化処理層３７を形成した上で、保護膜３６を形成するようにする。 - 特許庁

After resin injection, the top part 11 and the intermediate part 12 are separated from a bottom part, the support plate 52 is moved forward inside the top part 11, the pin 55 is dashed into the gate 36, and thereby an unwanted resin part alone inside the gate 36 is separated surely from encapsulating resin inside a cavity 21.例文帳に追加

樹脂注入後、上型１１，中間型１２を下型から離間させ、支持板５２を上型１１内で前進させ、ピン５５をゲート３６に突入させ、これにより、キャビティ２１内の封止樹脂からゲート３６内の不要樹脂部のみを確実に分離する。 - 特許庁

The pump 28 has a pump casing 34 for connecting a suction port 45 and a delivery port 47 on the inside of the gate door body 22, and an impeller 39 arranged in this pump casing 34, and is detachably arranged inside the gate door body 22.例文帳に追加

ポンプ２８は、ゲート扉体２２の内部で吸込口４５と吐出口４７を接続するポンプケーシング３４と、このポンプケーシング３４内に配置されたインペラ３９とを備え、ゲート扉体２２の内部に着脱可能に配置される。 - 特許庁

Since the semiconductor layer 4 is hidden inside the gate wiring 2a when it is viewed from the back face of the array substrate, backlight does not fall on the semiconductor layer 4, and the increase of carriers due to the light from the back surface of the array substrate is more suppressed compared with a conventional liquid crystal display device.例文帳に追加

半導体層４はアレイ基板の裏面から見てゲート配線２ａの内側に隠れるため、半導体層４にバックライト光が入射せず、従来の液晶表示装置と比較して、アレイ基板側の裏面からの光によるキャリアの増大が抑制される。 - 特許庁

Being the station nearest to Kyoto University Hospital and University Hospital, Kyoto Prefectural University of Medicine, this station was provided, even at the very start, with barrier-free measures such as two elevators for physically handicapped persons (one between the ground level and the concourse and the other between the concourse area inside the gate and platform), a multipurpose lavatory, a Braille guide map and a Braille fare table. 例文帳に追加

京都大学医学部付属病院・府立医大付属病院への最寄り駅ということも有り、開業時から身障者対応エレベーター2基（地上とコンコース・改札内コンコースとホームに各1基）・多目的トイレ・点字案内図、点字料金表などのバリアフリー対策が施された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A semiconductor device 1 includes a substrate 10, a transistor 20b having a ring-shaped gate electrode 21 formed on the substrate 10, a plurality of external dummy patterns 40 which are disposed outside the gate electrode 21, and are formed in the same layer as for the gate electrode 21, and at least one internal dummy pattern 41 which are disposed inside the gate electrode 21, and are formed in the same layer as for the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１は、基板１０と、基板１０上に形成されたリング形状のゲート電極２１を有するトランジスタ２０ｂと、ゲート電極２１の外側に配置され、ゲート電極２１と同層に設けられる複数の外部ダミーパターン４０と、ゲート電極２１の内側に配置され、ゲート電極２１と同層に設けられる少なくとも１つの内部ダミーパターン４１とを備える。 - 特許庁

The method includes steps of forming a silicon nitride film 103 on a p-type silicon substrate 101, forming an aperture of a predetermined pattern on the silicon nitride film 103, forming a gate trench 104 on a semiconductor substrate 101 with a silicon nitride film 108 used as a mask, and thereafter embedding a polysilicon film 106 inside the gate trench 104 and in the aperture thereby self-alignedly forming a gate electrode.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上にシリコン窒化膜１０３を形成し、シリコン窒化膜１０３に所定のパターンの開口を形成し、シリコン窒化膜１０８をマスクとして用いて半導体基板１０１にゲートトレンチ１０４を形成した後、ゲートトレンチ１０４の内部および開口内にポリシリコン膜１０６を埋め込むことにより、ゲート電極を自己整合的に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first-conductive-type base layer; a second-conductive-type base layer provided on the first-conductive-type base layer; gate insulating films; first-conductive-type source layers selectively provided on a surface of the second-conductive-type base layer, adjacent to the gate insulating films; gate electrodes provided inside the gate insulating films in trenches; and main electrodes.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１導電形ベース層と、第１導電形ベース層の上に設けられた第２導電形ベース層と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に隣接して第２導電形ベース層の表面に選択的に設けられた第１導電形ソース層と、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられたゲート電極と、主電極とを備えた。 - 特許庁

The RFID reader 100 includes a gate frame 101 set on both sides of an entrance separated by a fixed space; an envelope-shaped reflecting plate 130 provided vertically inside the gate frame; an array antenna 150, arranged on the reflecting plate to receive tag information transmitted from an RFID tag 1; and an RFID reader unit 170, which controls the operation of the array antenna and converts the tag information received by the array antenna to tag data.例文帳に追加

リーダ機１００を、出入り口の両側に一定の距離をおいて設置されるゲートフレーム１０１、ゲートフレームの内側に垂設される包絡面形態の反射板１３０、反射板に配列されて、ＲＦＩＤタグ１から送出されるタグ情報を受信するアレイアンテナ１５０、及びアレイアンテナの動作を制御し、アレイアンテナに受信されたタグ情報をタグデータに変換するＲＦＩＤリーダ部１７０を含む構成とする。 - 特許庁