「"resist development"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a resist development method and a resist development apparatus that can stabilize pattern dimensions and can suppress the defect generation.例文帳に追加

パターン寸法を安定させ、かつ欠陥発生を抑制させるレジスト現像方法およびレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

FLUID SUPPLY DEVICE, RESIST DEVELOPMENT DEVICE, AND MOLD MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 - 特許庁

FLUID SUPPLY DEVICE, RESIST DEVELOPMENT APPARATUS, AND MOLD MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING RESIST DEVELOPMENT, AND APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SURFACE例文帳に追加

レジスト現像処理装置とその方法及び表面処理装置とその方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EVALUATION OF RESIST DEVELOPMENT SPEED VARIATION例文帳に追加

レジスト現像速度ばらつき評価方法及びレジスト現像速度ばらつき評価装置。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for resist development which can advance development more accurately for the whole object to be processed.例文帳に追加

処理対象全体に対して、より正確に現像を進行させることができるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developing apparatus and a developing method which can improve the patterning precision of a resist development and have high reliability.例文帳に追加

レジストの現像のパターニング精度を向上させ、信頼性の高い現像装置及び現像方法を提供する。 - 特許庁

To restrain floating and separation of color resist caused in color resist development using a liquid alkaline developer.例文帳に追加

アルカリ性現像液によるカラーレジスト現像時に起こるカラーレジストの浮きやハガレによる欠陥を抑制すること。 - 特許庁

To stabilize resist application, exposure, and development processes by shortening the wafer processing time in a resist application unit or a resist development unit.例文帳に追加

レジスト塗布ユニット内あるいは現像ユニット内におけるウェハ処理時間を短縮化し、レジスト塗布・露光・現像プロセスの安定化を図る。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing an elastic wave apparatus by which electrode materials hardly corrode in resist development and reliability in electrical connection is improved.例文帳に追加

レジストの現像に際しての電極材料の腐食が生じ難く、電気的接続の信頼性に優れた弾性波装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for resist development for more accurately advancing development.例文帳に追加

より正確に現像を進行させることができるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

In this resist development method for forming the fine pattern of a resist film on a substrate, a resist film is formed with chemical amplification system resist, and an alternating electric field is applied to a resist film on the substrate after an exposure process to expose the resist film and before the resist development process.例文帳に追加

基板上にレジスト膜の微細パタンを形成するレジスト現像方法において、レジスト膜を化学増幅系レジストで形成するとともに、レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ、レジスト現像工程の前に、基板上のレジスト膜に交番電界を印加する。 - 特許庁

The planar development nozzle, used in a resist development process of photomask manufacturing, comprises unit nozzles of development liquid arrayed in two dimensions on a plane on a photomask substrate side which is to be developed.例文帳に追加

フォトマスク作製におけるレジスト現像工程で使用する平面状の現像ノズルであって、現像液の単位ノズルが被現像物であるフォトマスク基板側の平面に２次元配列されている現像ノズルとする。 - 特許庁

To simplify complex work or management caused by use of alkali solution during resist development in a method for manufacturing a master optical disk.例文帳に追加

光ディスク原盤作製方法において、レジストを現像する際にアルカリ溶液を用いることによって生じていた煩雑な作業や管理を簡便にすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist development apparatus that controls substrate transfer speed when supplying developer and substrate transfer speed when removing developer to uniformize resist patterns.例文帳に追加

現像液を供給するときの基板搬送速度と、現像液を除去するときの基板搬送速度とを制御し、レジストパターンを均一化するレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

To reduce resist development defects in development of a positive chemically amplifying photoresist film on a large diameter substrate of ≥8 in and to form a resist pattern of a good shape free from T-top shape or the like.例文帳に追加

８インチ以上の大口径基板におけるポジ型の化学増幅型フォトレジスト膜現像時のレジスト現像欠陥を低減するとともに、Ｔ−トップ形状などのない良好な形状のレジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a resist development method and a device for realizing highly precise fine pattern formation in a process for manufacturing a semiconductor device such as a super-LSI.例文帳に追加

超ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造工程において、高精度微細パタン形成を実現するレジスト現像方法および装置を提供する。 - 特許庁

To form a required skirt-like inclined part in a sidewall portion of a permanent resist layer by using parallel light exposure in a level of recommended exposure light quantity obtained with the use of a parallel light exposure device under an appropriate developing condition that no resist development residue remains.例文帳に追加

平行光露光機を用いた推奨露光量程度の平行光露光で、レジスト現像残渣が残ることがない適正現像条件のもとに、所要の裾引き傾斜部を永久レジスト層の側壁部に形成すること。 - 特許庁

To provide a curable composition for nanoimprint which can be used in nanoimprint and exhibits excellent resist development properties and etching resistance, and to provide a resist film using it.例文帳に追加

ナノインプリントに使用可能であり、且つレジスト現像性、エッチング耐性に優れる、ナノインプリント用硬化性組成物、及びこれを使用したレジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for resist development for detecting the end point of development of a resist such that the most optimum optical performance as an optical element, etc., can be obtained when the resist applied onto a substrate is developed.例文帳に追加

基材上に塗布されたレジストを現像する際に光学素子等として最も適正な光学性能を得ることができるようなレジストの現像終点を検出できるレジスト現像方法及びレジスト現像装置を提供する。 - 特許庁

(b) When a photoresist film 20 is formed on the reflection metal film 11 and is subjected to resist development using a specified pattern, the exposed part of the photoresist 20 is removed with TMAH and the reflection metal film 11 under the removed part is simultaneously etched off.例文帳に追加

（ｂ）反射金属膜１１の上にフォトレジスト２０を形成し、所定のパターンでレジストの現像を行う際に、ＴＭＡＨによりフォトレジスト２０の露光部分を除去するとともに、その除去部分の下側の反射金属膜１１をエッチングする。 - 特許庁

To provide a measuring method, a photolithography method, a manufacturing method for base material, and an electron beam lithography system which can grasp the influence of a shape after resist development and eliminate the limit of writing precision while accurately grasping an error generated at a border part between writing fields and an error in writing position.例文帳に追加

本発明は、各描画フィールドの境界部分に生じる誤差や描画位置の誤差を正確に測定しながらも、レジスト現像後の形状の影響を把握して描画精度の限界を解消することの可能な測定方法、描画方法、基材の製造方法、および電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁