「"wafer backside"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PROCESS FOR WAFER BACKSIDE POLYMER REMOVAL, AND WAFER FRONT SIDE SCAVENGER PLASMA例文帳に追加

ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ - 特許庁

SEMICONDUCTOR WAFER SUCTION HOLDER AND SEMICONDUCTOR WAFER BACKSIDE GRINDER例文帳に追加

半導体ウェーハ吸着保持具及び半導体ウェーハ裏面研削装置 - 特許庁

PROCESS FOR WAFER BACKSIDE POLYMER REMOVAL WITH WAFER FRONT SIDE GAS PURGE例文帳に追加

ウェハ正面側ガスパージを用いたウェハ背面重合体除去方法 - 特許庁

INDIRECT QUALITY EVALUATION METHOD FOR GETTERING LAYER FORMED ON WAFER BACKSIDE例文帳に追加

ウェーハ裏面に形成されるゲッタリング層の良否の間接評価方法 - 特許庁

To provide an inspection method for a silicon wafer backside projection that can easily and accurately evaluate projections produced at a silicon wafer backside and a production process of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハ裏面生じた突起を容易かつ高精度に判別できるシリコンウェーハ裏面の突起検査方法およびこれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The end of the fiber facing the wafer backside coincides with the end of the hollow wafer lift pin.例文帳に追加

ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。 - 特許庁

To provide an SOG application device where back rinse for cleaning a wafer backside is performed without using organic solvent.例文帳に追加

有機溶剤を用いずにウェハ裏面を洗浄するバックリンスが行えるＳＯＧ塗布装置を提供する。 - 特許庁

This results in reducing damage to the film quality of the wafer backside due to plasma generated during the high density plasma processing.例文帳に追加

これにより、高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができる。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for wafer backside inspection to automatically inspect contamination, cracks, scratches and the like on the backside of a wafer.例文帳に追加

ウェーハ裏面の汚染、クラック、スクラッチなどを自動的に検査するウェーハ裏面検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁

Under this condition, the wafer is back-grind-processed, and a semiconductor layer on a wafer backside and a back electrode are formed to make a thin wafer 41.例文帳に追加

その状態で、ウエハーをバックグラインドし、ウエハー裏面側の半導体層および裏面電極を形成し、薄型ウエハー４１とする。 - 特許庁

SUBSTRATELESS ADHESIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROTECTION, SEMICONDUCTOR WAFER BACKSIDE GRINDING METHOD USING THE ADHESIVE SHEET, AND PRODUCTION METHOD OF THE ADHESIVE SHEET例文帳に追加

半導体ウエハ保護用基材レス粘着シート、その粘着シートを用いた半導体ウエハ裏面研削方法及びその粘着シートの製造方法 - 特許庁

To reduce silicon waste melting on the wafer backside, even at heat treatment in any temperature zone for reducing exposure failure at wafer exposure.例文帳に追加

如何なる温度帯の熱処理を行った場合でもウェーハ裏面に融着するシリコン屑をできるだけ小さくし、ウェーハ露光の際の露光不良を低減する。 - 特許庁

To provide a chuck assembly that reduces damage to the film quality of a wafer backside due to plasma during a high density plasma processing, and a high density plasma device using same.例文帳に追加

高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができるチャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置を提供する。 - 特許庁

When a wafer formed by sticking an epitaxial wafer to a base substrate is thinned from the wafer backside, the thinning stop of the wafer can be accurately performed by using the thinning stop layer.例文帳に追加

また、エピタキシャルウェーハとベース基板との貼り合わせウェーハを、ウェーハ裏面側から薄膜化する際には、薄膜化ストップ層を利用し、ウェーハの薄膜化ストップを高精度に行える。 - 特許庁

To reliably divide a metal film on a wafer backside without causing breakage of a chip or misalignment of chips when breaking a laser modified semiconductor wafer on which the metal film is formed on the backside.例文帳に追加

裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割する。 - 特許庁

After forming a linear groove 3 along a circumference on the outer periphery 2 of the backside of a semiconductor wafer 1; a dicing tape is pasted to the wafer backside, and the wafer is diced with a dicing blade.例文帳に追加

半導体ウェハー１の裏面の外周部２に、円周に沿った線状の溝部３を形成した後、前記半導体ウェハーの裏面にダイシングテープを貼り、前記半導体ウェハーをダイシングブレードによりダイシングする。 - 特許庁

Prior to discharging the etchant supplied from a first or second liquid chemical supply source 211 or 212 from a lower surface treatment nozzle 2, DIW is discharged from the lower surface treatment nozzle 2 and supplied to a wafer backside Wb.例文帳に追加

第１または第２の薬液供給源２１１，２１２から供給されるエッチング液を下面処理ノズル２から吐出するのに先立って、ＤＩＷを下面処理ノズル２から吐出させてウエハ裏面Ｗｂに供給しておく。 - 特許庁

To provide wafer holder including wafer stage on which the wafer is loaded and wafer stage outer-ring surrounding said wafer stage used in the plasma processing chamber for reducing edge exclusion (EE) while preventing wafer backside contamination.例文帳に追加

本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。 - 特許庁

The sheet for surface protection is tentatively attached on a semiconductor wafer surface with a circuit formed thereon in wafer backside grinding, wherein the side of the sheet attached on the wafer is composed of resin with a probe tack value of <100 mN, and the holding time of the sheet face is 70,000 or more.例文帳に追加

本発明に係る表面保護用シートは、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値１００ｍＮ未満の樹脂からなり、該シート面の保持時間が７００００秒以上であることを特徴としている。 - 特許庁

The FWD-integrated IGBT has a p^+ heavily-doped collector layer 12 which determines the hole injection quantity, a p^- light-doped collector layer 11 serving for absorbing the variations in the wafer backside polishing quantity, and an n^+ collector short-circuited region 13 piercing the p^+ heavily-doped collector layer 12 and the p^- lightly-doped collector layer 11.例文帳に追加

本発明のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴは、正孔の注入量を決めるｐ^＋高濃度コレクタ層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^−低濃度コレクタ層１１と、ｐ^＋高濃度コレクタ層１２及びｐ^−低濃度コレクタ層１１を貫通しているｎ^＋コレクタ短絡領域１３とを有している。 - 特許庁

The apparatus for wafer backside inspection comprises: a wafer loading cassette where a plurality of wafers are loaded; a wafer transfer arm located near the wafer loading cassette for transferring the wafer; a wafer flip/aligner provided near the wafer transfer arm for flipping the wafer; and a wafer inspecting unit disposed adjacently to the wafer flip/aligner and near the wafer transfer arm for inspecting the backside of the wafer.例文帳に追加

本発明は、複数のウェーハが積載されたウェーハ積載カセットと、ウェーハ積載カセットに隣接して設けられ、ウェーハを移送するウェーハ移送アームと、ウェーハ移送アームに隣接して設けられ、ウェーハを反転するウェーハ反転／整列部と、ウェーハ反転／整列部に隣り合って設けられるものの、ウェーハ移送アームに隣接して設けられ、ウェーハの裏面を検査するウェーハ検査部と、を含むウェーハ裏面検査装置を提供する。 - 特許庁