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Μωを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 21



例文

It is so structured that a heating element formed with a sintering body including a carbon system matter which can adjust a resistivity value at several thousands to several millions μΩ/cm is sealed inside a quartz glass tube.例文帳に追加

固有抵抗値を数千〜数百万μΩ/cmに調整できる炭素系物質を含む燒結体で形成した発熱体を石英ガラス管の内部に封入した構造とする。 - 特許庁

A specific resistance of a multilayer film equipped with the Al alloy film 5 and the Ti film 6 is10 μΩ cm.例文帳に追加

Al合金膜5とTi膜6とを備えた多層膜の比抵抗が10μΩ・cm以下である。 - 特許庁

Such an iron-aluminum alloy sheet for a pole shoe has a resistivity higher than about 60 μΩ per cm.例文帳に追加

このような磁極片用の鉄−アルミニウム合金のシートは、約60マイクロオーム・cmよりも大きい抵抗率を持っている。 - 特許庁

To realize short time high quality welding under the condition of 100 μΩ or more of impedance and 10000 mm^2 or more of a cross-sectional area.例文帳に追加

インピーダンス100μΩ以上、部材断面積10000mm^2 以上の条件において、短時間高品質溶接を実現できるようにする。 - 特許庁

例文

Consequently, the heat-resisting rare earth magnet of which the specific resistance is ≥5 μΩ m and the coercive force is ≥2MA/m is obtained.例文帳に追加

比抵抗が5μΩ・m以上、保磁力が2MA/m以上の耐熱性希土類磁石が得られる。 - 特許庁


例文

Further, by carrying out film deposition while properly controlling the atmospheric pressure of gaseous oxygen and gaseous nitrogen, film characteristics can be widely controlled, e.g. from 2 μΩ to infinity in the case of resistivity.例文帳に追加

さらにこの時、酸素ガスと窒素ガスの雰囲気圧を適切に制御しながら成膜することで、比抵抗で2μΩmから無限大まで幅広く膜質を調整することが可能となった。 - 特許庁

The carbon electrode is preferably a graphite molded body, and more preferably the carbon electrode is a graphite molded body having a bulk density of 1.90 g/cm^3 or more and a volume resistivity of 1,200 μΩ cm or less.例文帳に追加

炭素電極がグラファイト成形体からなることが好ましく、炭素電極が嵩密度1.90g/cm^3以上、かつ体積固有抵抗1200μΩ・cm以下であるグラファイト成形体がより好ましい。 - 特許庁

This composite sheath MgB_2 superconducting wire is made by combining a high stability metal having a specific electric resistance of 7 μΩ cm or less and a high strength metal having a Vickers hardness of 50 or more at room temperature.例文帳に追加

室温での比電気抵抗が7μΩcm以下の高安定金属と、室温でのビッカース硬さが50以上の高強度金属とを、組み合わせた複合シースMgB_2超電導線材によって解決できる。 - 特許庁

The square copper wire is provided in which a copper strand whose volume resistivity is 2.5 μΩ cm or less and which has been annealed at 300-800°C is applied with cold rolling or cold drawing process of work efficiency 5-15%.例文帳に追加

体積抵抗率が2.5μΩ・cm以下で、300〜800℃で焼鈍処理が施された銅素線に、5〜15%加工率の冷間圧延又は冷間伸線加工が施された平角銅線である。 - 特許庁

例文

The surface of a mother board made of materials including one of iron, copper, and aluminum as components is coated with metal (for example, gold, silver, or copper) whose electric resistance is not more than 5.5 μΩ cm so as to be used as the materials of the metallic thin board.例文帳に追加

金属薄板の材料としては、例えば、鉄、銅、アルミニウムのうちの一つを成分に含む材料からなる母材の表面を、電気抵抗率が5.5μΩ・cm以下の金属(例えば、金、銀、銅)で被膜したもが使用される。 - 特許庁

例文

In the case structure, non-magnetic members 42, 43 whose electric resistivity is set to 7.0 μΩ-cm or less in the watch case 30 for accommodating an antenna 37 and a watch device are provided.例文帳に追加

このケース構造においては、アンテナ37と時計装置とを収納した時計ケース30内に電気抵抗率が7.0μΩ−cm以下に設定された非磁性部材42,43を設けている。 - 特許庁

The silver fine powder is mixed with an organic medium to form a silver coating material; this silver coating material has such a property that, when a coating film prepared by application of the silver coating material is fired at 120°C in the air, the film becomes a conductive film having25 μΩ cm resistivity.例文帳に追加

この銀微粉は、有機媒体と混合して銀塗料とし、これを塗布した塗膜を大気中120℃で焼成したときに比抵抗25μΩ・cm以下の導電膜となる性質を備える。 - 特許庁

By this setup, the thin film magnetic head having a saturation magnetic flux density of 1.6 T or above, a specific resistance of 40 μΩ cm or above, and a small loss in a high-frequency signal region can be obtained.例文帳に追加

これにより飽和磁束密度を1.6T以上、比抵抗40μΩ・cm以上にでき、高周波信号領域における損失の小さい薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 - 特許庁

A wiring board is constituted of an insulating base substance 1 whose relative dielectric constant is at most 7, and the wiring conductor which is formed on the insulating base substance 1 and in which specific resistivity is at most 2.5 μΩ cm (20°C) and the unevenness on the outer surface is at most 50 μm.例文帳に追加

比誘電率が7以下の絶縁基体1と、該絶縁基体1に形成され、比電気抵抗が2.5μΩ・cm(20℃)以下、外表面の凹凸が50μm以下の配線導体とからなる配線基板。 - 特許庁

The electrode wire for a solar cell comprises: a core material (2) which has a volume sensitivity of 2.3 μΩ cm or less and a proof strength in the range of 19.6 MPa to 85 MPa; and a molten solder plating layer (3A) and (3B) laminated on a surface of the core material (2).例文帳に追加

本発明の太陽電池用電極線材は、体積抵抗率が2.3μΩ・cm以下で、かつ耐力が19.6MPa以上、85MPa以下^ である芯材(2)と、前記芯材(2)の表面に積層形成された溶融はんだめっき層(3A),(3B)を備える。 - 特許庁

Otherwise, the square copper wire in which the copper strand whose volume resistance is 2.5 μΩ cm or less and which has been annealed at 300-800°C is applied with cold rolling or cold drawing process at work efficiency 0-15%, and after that, expansion of 0.5-1% is applied.例文帳に追加

また、体積抵抗率が2.5μΩ・cm以下で、300〜800℃で焼鈍処理が施された銅素線に、0〜15%加工率の冷間圧延又は冷間伸線加工が施された後に0.5〜1%の伸びを付与した平角銅線である。 - 特許庁

A body 30 and a back cover 33 of the watch case are made of a nonmagnetic member whose electric resistivity is set at 7.0 μΩ-cm or less, or one of them is made of the nonmagnetic member, for which the surface finishing is performed.例文帳に追加

この時計ケースにおける胴30及び裏蓋33は、電気抵抗率が7.0μΩ−cm以下に設定された非磁性部材で形成されるか、又はその一方が当該非磁性部材で形成され、且つ表面仕上げが施されたものとなっている。 - 特許庁

The core material 2 is 2.3 μΩ cm or less in average volume resistivity and 19.6 MPa or more and 85 MPa or less in average yield strength, and recesses 4 are repeatedly formed on at least one surface of the core material 2 along the widthwise direction of the core material in the lengthwise direction at a space P.例文帳に追加

前記芯材2はその平均体積抵抗率が2.3μΩ・cm以下で、かつ平均耐力が19.6MPa以上、85MPa以下とされ、前記芯材2の少なくとも一方の表面にその長さ方向に間隔Pを置いて芯材幅方向に沿って凹んだ凹部4が繰り返し形成される。 - 特許庁

In this case structure, a recessed part is provided in an inside face of a case back 33 of a timepiece case 30 with an antenna 37 and a timepiece device housed therein and nonmagnetic members 42 and 43 are engaged therewith, whose electrical resistivity are set at 7.0 μΩ-cm or less.例文帳に追加

このケース構造においては、アンテナ37と時計装置とを収納した時計ケース30、裏蓋33の内側面に凹部を設け、この凹部に電気抵抗率が7.0μΩ−cm以下に設定された非磁性部材42、43を係合している。 - 特許庁

A good copper wiring film having a specific resistance of 1.8 μΩ×cm can be formed by evaporating this solution with an evaporator at 200°C, then introducing the vapor and gaseous hydrogen into a CVD chamber equipped with a RF induction coil, and depositing on an SiO_2/Si substrate heated to 170°C under a reaction pressure of 2 Torr.例文帳に追加

この溶液を200℃の蒸発器で蒸発させ、反応圧力2Torr、170℃に加熱されたSiO_2/Si基板上に、H_2ガスと共にRF誘導コイルを設置したCVD室に導入して、堆積させると、比抵抗率1.8μΩ・cmの良好な銅配線膜が形成できる。 - 特許庁

例文

By the use of a conductive film with low electrical resistivity (40 μΩ cm or less) containing 0.03 ppm or less, preferably 0.01 ppm or less, of sodium for a gate wiring material of a TFT or for another wiring material, a semiconductor device including the TFT can have drastically improved operation performance or reliability.例文帳に追加

こうして、膜中に含まれるナトリウムが0.03ppm以下、好ましくは0.01ppm以下であり、且つ、低い電気抵抗率(40μΩ・cm以下)を有する導電膜をTFTのゲート配線材料やその他の配線材料として用いることにより、TFTを備えた半導体装置の動作性能や信頼性を大幅に向上させることができる。 - 特許庁

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