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みしりみしりするの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 213



例文

人見知りする例文帳に追加

shy of strangers  - 日本語WordNet

人見知りする例文帳に追加

to be afraid of strangers  - EDR日英対訳辞書

彼は人見知りする.例文帳に追加

He's shy with strangers.  - 研究社 新英和中辞典

彼女は人見知りをする例文帳に追加

She is shy of strangers. - Tatoeba例文

例文

彼は人見知りする例文帳に追加

He is shy of strangers. - Tatoeba例文


例文

私は人見知りをする例文帳に追加

I'm shy. - Tatoeba例文

人見知りをする例文帳に追加

a person who is shy of strangers  - EDR日英対訳辞書

彼女は人見知りをする例文帳に追加

She is shy of strangers.  - Tanaka Corpus

彼は人見知りする例文帳に追加

He is shy of strangers.  - Tanaka Corpus

例文

紙資料の廃棄を確実に証明することができる紙資料消去証明システムを提供する例文帳に追加

To provide a system for guaranteeing elimination of paper documents that can surely guarantee disposal of paper documents. - 特許庁

例文

大人しいというよりも人見知りをする例文帳に追加

I am more shy than I am quiet.  - Weblio Email例文集

球面キャロットを有するクレーン引込みシリンダ軸受例文帳に追加

CRANE-LUFFING CYLINDER BEARING HAVING SPHERICAL CALOTTE - 特許庁

高品質な歪シリコン基板の提供を可能とすること。例文帳に追加

To provide a high quality strained silicon substrate. - 特許庁

歪シリコンをガラス基板上に好適に製造する方法を提供する例文帳に追加

To provide a method of preferably manufacturing a distorted silicon on a glass substrate. - 特許庁

水性処置に適さない紙資料に対しても水性処置を行うことを可能にする紙資料の保存修復方法を提供する例文帳に追加

To provide a preservation and restoration method for paper data, with which even paper data not suitable for aqueous treatment are aqueously treated. - 特許庁

イ 各眼が裸眼で〇・七以上の遠見視力を有すること。例文帳に追加

(a) A person shall have at least 0.7 of distant vision for each naked eye.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

歪シリコン・フィン型ボディを有するマルチ・ゲートMOSFET構造例文帳に追加

MULTI-GATE MOSFET STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON FIN BODY - 特許庁

コンタクトレンズは、遠見および近見視力領域を有する例文帳に追加

The contact lens has a distance vision zone and a near vision zone. - 特許庁

縦形歪シリコン・デバイスの方法および構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and structure of a vertical strained silicon device. - 特許庁

ステップS1で、使用済みシリコンウェハの表面を研磨する例文帳に追加

The surface of a used silicon wafer is polished in a step S1. - 特許庁

歪シリコン層23のドレイン領域上だけにエピタキシャル成長法を使用して歪シリコン層35を形成する例文帳に追加

A strained silicon layer 35 is formed only on the drain region of a distorted silicon layer 23 by epitaxial growth method. - 特許庁

二重焦点コンタクトレンズにおいて遠見視力から近見視力に位置を変化させるとき目の表面での切換を支援する例文帳に追加

To provide a soft bifocal contact lens that supports translation across the surface of the eye when the eye changes a position from distance vision to near vision. - 特許庁

近見視力領域は近見視力矯正を与える第2の曲率半径を有し、瞳孔を覆う程度の大きさである第2の区域を有する例文帳に追加

The near vision zone has a second radius of curvature that provides near vision correction and has a second area that is sufficient to overlay a pupil of a user. - 特許庁

歪みシリコン層における貫通転位密度の一層の低減化を図る歪みシリコンウェーハを提供する例文帳に追加

To provide a strained silicon wafer for further reducing through dislocation density in a strained silicon layer. - 特許庁

半導体装置10のトレンチ22が形成されている側の表面に埋込シリコン25を配置した後、トレンチ22の上方にレジスト28を配置し、埋込シリコン25の上方から埋込シリコン25にイオンを注入する例文帳に追加

After embedded silicon 25 is provided on the surface of the semiconductor device 10 where the trench 22 is formed, a resist 28 is provided above the trench 22, and ions are implanted into the embedded silicon 25 from above the silicon 25. - 特許庁

近見視力領域は、水平方向のポイントより下の近見視力ポイントを見ている時にユーザーの瞳孔が近見視力領域に対面するように配置される。例文帳に追加

The near vision zone is disposed such that the user's pupil is subtended by the near vision zone when the user gazes a near vision point below the horizontal point. - 特許庁

より簡易な工程により歪みシリコン層を有する半導体装置を形成する例文帳に追加

To form a semiconductor device having a strained silicon layer in a further simple process. - 特許庁

ガラス基板上の歪シリコン上にCMOSデバイスを製造する方法を提供する例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a CMOS device on distorted silicon on a glass substrate. - 特許庁

歪みシリコンをもつP型MOSFETの構造及びこれを製造する方法を提供する例文帳に追加

To provide a P-type MOSFET structure having strained silicon, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

円筒シリンダー内に独立して回転する二つのロータを組み込み、シリンダー内部を分割する例文帳に追加

The two rotors independently rotating in a cylindrical cylinder are assembled, and the inside of the cylinder is divided. - 特許庁

歪シリコン基板のシリコン・ゲルマニウム層をエピタキシャル成長することによる転位の発生を回避し、このシリコン・ゲルマニウム層の転位に起因する結晶欠陥の回避された良質な歪シリコン基板を実現し、また歪シリコン基板を用いた半導体装置を提供する例文帳に追加

To realize a high quality strain-silicon substrate which prevents a defective crystal caused by dislocation of a silicon-germanium layer, by preventing an occurrence of the dislocation by an epitaxial growth of the silicon-germanium layer on the strain silicon substrate, and to provide a semiconductor device which uses the strain silicon substrate. - 特許庁

イ 各眼が裸眼で〇・七以上及び両眼で一・〇以上の遠見視力を有すること。例文帳に追加

(a) A person shall have at least 0.7 of naked vision for each eye and 1.0 of distant vision for both eyes.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

歪みシリコンCMOSを利用してシリコンゲルマニウム転位領域を分離するシステムおよび方法例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD TO ISOLATE SILICON GERMANIUM DISLOCATION REGION BY USING STRAINED SILICON CMOS - 特許庁

犠牲シャロートレンチアイソレーション酸化物ライナーを有する歪みシリコンチャネルCMOS例文帳に追加

STRAINED-SILICON CHANNEL CMOS WITH SACRIFICIAL SHALLOW TRENCH ISOLATION OXIDE LINER - 特許庁

歪みシリコン技術を用いて効果的に駆動力を向上させた半導体装置を提供する例文帳に追加

To provide a semiconductor device effectively improved in drive force by using a distortion silicon technique. - 特許庁

シリコン窒化膜ST1が露出するまで埋込シリコン酸化膜BIの表面側が研磨される。例文帳に追加

The front surface side of the embedded silicon oxide film BI is polished until the silicon nitride film ST1 is exposed. - 特許庁

ステップS3で、表面加工処理を行い使用済みシリコンウェハの表面を平滑化する例文帳に追加

Surface treatment is performed to smooth the surface of the used silicon wafer in a step S3. - 特許庁

孔封止層13にシリコンを堆積されることで歪みシリコン層14を形成する例文帳に追加

A strained silicon layer is formed by depositing silicon onto the pores sealing layer 13. - 特許庁

半導体ウェハ10において、(B)のように埋込シリコン酸化膜12を形成する例文帳に追加

In a semiconductor wafer 10, an embedded silicon oxide film 12 is formed as shown in Figure B. - 特許庁

ホワイトボードや紙資料等の撮影対象の矩形を撮影する作業を効率化させる。例文帳に追加

To realize efficient operation for photographing a rectangle of an imaging target such as a white board or a paper document. - 特許庁

歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びこの方法の中間生成物例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF WAFER STRUCTURE HAVING STRAINED SILICON LAYER, AND INTERMEDIATE PRODUCT OF THE METHOD - 特許庁

その後、レジスト28を除去し、ドライエッチングにより埋込シリコン25を除去する例文帳に追加

Thereafter, the resist 28 is removed, and the embedded silicon 25 is removed by dry etching. - 特許庁

このレンズオプティクスは、近見視力の能力を提供する責任を担う表面変調を具備している。例文帳に追加

The lens optics has surface modulations that are responsible for providing the near vision power. - 特許庁

部分映像表示装置11は、看視領域特定部5の出力に基づいて、看視領域特定部が特定する看視領域に表示されるべき部分映像についての部分映像データを映像データ蓄積部9から取得し、映像表示部3上の看視領域WRに部分映像を表示する例文帳に追加

The partial video display device 11 obtains from the video data storage part 9, partial video data about a partial video to be displayed in the watching range specified by the watching range specification part, on the basis of the output of the watching range specification part 5, and then, displays the partial video in the watching range WR on the video display part 3. - 特許庁

本願発明は、例えば、歪み緩和シリコンゲルマニウム層上に歪みシリコン層を成長させ、しかるのちに部分的にシリコンゲルマニウム層を除去することによって、歪みシリコン層によってチャネル層を構成する例文帳に追加

For example, a strained silicon layer is grown on a strain-relaxed silicon germanium layer, and then the silicon germanium layer is partially removed to compose a channel layer out of the strained silicon layer. - 特許庁

SiGe層を有する歪みシリコンウエハにおいて、SiGe層上に形成される歪みSi層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウエハおよびその製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a distorted silicon wafer and a manufacturing method thereof which is capable of further reducing the threading dislocation density of a distorted Si layer formed on a SiGe layer in a distorted silicon wafer with the SiGe layer. - 特許庁

SiGe層を有する歪みシリコンウェーハにおいて、SiGe層上に形成される歪みSi層における貫通転位密度の一層の低減化を図ることができる歪みシリコンウェーハの製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a strained silicon wafer capable of further reducing feed through dislocation density in a strained Si layer formed on an SiGe layer in the strained silicon wafer including the SiGe layer. - 特許庁

劣化した紙資料を確実に強化することができ、しかも長期的に見ても紙資料に予測できない損傷を与える虞のない、紙の強化方法及びそのための処理液を提供する例文帳に追加

To provide a method for reinforcing paper, with which deteriorated paper data are surely reinforced and which has no fear of unpredictably damaging paper data even in a long-term view point and to obtain a treating solution therefor. - 特許庁

より転位が少なく、かつ歪み緩和されたSiGe層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a manufacturing method for manufacturing a strained silicon substrate wafer having less dislocation and a SiGe layer in which strain is relaxed. - 特許庁

例文

より転位が少なく、かつ歪み緩和された層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a strained silicon substrate wafer having a layer which is further reduced in dislocation and relieved in strain. - 特許庁

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