「アモルファス層」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ゲート絶縁層と半導体層との間に、アモルファスＳｉ酸化膜、アモルファスＳｉ窒化膜およびアモルファスＳｉ酸窒化膜の少なくともいずれか１つを含む中間層を設けることもできる。例文帳に追加

An intermediate layer containing at least any one of an amorphous Si oxide layer, an amorphous Si nitride film and an amorphous Si oxide nitride film may be provided between the gate insulating film and the semiconductor layer. - 特許庁

具体的には、ｎ層がｎ型アモルファスカーボン及びカーボンナノチューブによって構成され、ｉ層１４がｉ型アモルファスカーボン、ｐ層がｐ型アモルファスカーボンによって構成された太陽電池が例示される。例文帳に追加

Specifically, a solar cell is disclosed which has an n-layer composed of n-type amorphous carbon and carbon nanotubes, an i-layer 14 composed of an i-type amorphous carbon, and a p-layer composed of p-type amorphous carbon. - 特許庁

（ｉ）薄いアモルファス化層を生成するためのイオン注入と、（ｉｉ）アモルファス化層上への高応力膜の堆積と、（ｉｉｉ）アモルファス化層を再結晶させるための熱アニールと、（ｉＶ）高応力膜の除去とを含む。例文帳に追加

The method disclosed includes (i) ion implantation to create a thin amorphization layer, (ii) deposition of a high stress film on the amorphization layer, (iii) a thermal anneal to recrystallize the amorphization layer, and (iv) removal of the high stress film. - 特許庁

電解用電極１は、基体２と、当該基体２の表面に構成された表面層５を備えて成るものであって、表面層５は、アモルファスの絶縁体、例えば、アモルファス型の酸化タンタル、アモルファス型の酸化タングステン、アモルファス型の酸化アルミニウムの薄膜により構成されている。例文帳に追加

The electrode 1 for electrolysis includes a substrate 2 and a surface layer 5 formed on the surface of the substrate 2, and the surface layer 5 is made of an amorphous insulator, for example, a thin film of amorphous tantalum oxide, amorphous tungsten oxide or amorphous aluminum oxide. - 特許庁

保護層を有するアモルファスシリコン系感光体の長期使用品を保護層を再成膜することにより素管及びアモルファスシリコン系感光体を再使用することを特徴とするアモルファスシリコン系感光体の再生方法及び再生アモルファスシリコン感光体。例文帳に追加

In the objective method for regenerating an amorphous silicon photoreceptor with a protective layer used over a long period of time, a rough tube and the amorphous silicon photoreceptor are reused by forming a protective layer again. - 特許庁

アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS CHANNEL LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS CHANNEL LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING AMORPHOUS OXIDE FILM - 特許庁

下層に配置される電極の材料として、アモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜を用いる。例文帳に追加

As for the material of the electrode disposed in the lower layer, a transparent conductive film of amorphous indium zinc oxide, amorphous indium germanium oxide or amorphous oxide essentially comprising the above oxides is used. - 特許庁

シールド層の代わりに電極層をアモルファス金属層で形成してもよい。例文帳に追加

The electrode layers may be formed of the amorphous metallic layers in place of the shielding layers. - 特許庁

ＴｉＮ層１４２よりもさらに薄いＴｉＯ_X層１４３はアモルファス層となっている。例文帳に追加

The TiOX layer 143 which is thinner than the TiN layer 142 is formed as an amorphous layer. - 特許庁

エネルギ強度によってアモルファス層を全て結晶化し、プロトン伝導層１１０Ａを形成してもよいし、アモルファス層１１５の表面近傍を結晶化させ、基材１２０、アモルファス層１１５、プロトン伝導層１１０という積層構造を実現してもよい。例文帳に追加

A proton conductive layer 110A may be formed by crystallizing the entire amorphous layer by the energy intensity, or a laminated structure comprising the base material 120, the amorphous layer 115 and a proton conductive layer 110 may be formed by crystallizing a part in the vicinity of the surface of the amorphous layer 115. - 特許庁

不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。例文帳に追加

First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1. - 特許庁

絶縁層２上にアモルファスシリコン層を形成するステップと、アモルファスシリコン層に酸素を導入するステップと、酸素が導入されたアモルファスシリコン層を窒化し、シリコン酸窒化層３を形成するステップと、を備えている。例文帳に追加

A manufacturing method of a semiconductor device includes a step of forming an amorphous silicon layer on an insulating layer 2, a step of introducing oxygen to the amorphous silicon layer, and a step of forming a silicon oxynitride layer 3. - 特許庁

そのアモルファスシリコン層に対してレーザーアニールが行われ、ポリシリコン層１３が形成される。例文帳に追加

Laser annealing is executed for the amorphous silicon layer to form a polysilicon layer 13. - 特許庁

一実施形態では、半導体装置はアモルファス金属層２２および結晶金属層４２を含む。例文帳に追加

In one embodiment, the semiconductor device comprises an amorphous metal layer 22 and a crystal metal layer 42. - 特許庁

ガラス基板1上に基板カバー層２を介してアモルファスシリコン層３を形成する。例文帳に追加

An amorphous silicon layer 3 is formed onto a glass substrate 1 through a substrate cover layer 2. - 特許庁

ポリシリコン層１８に電気的に不活性なイオンを注入して表層２０をアモルファス化する。例文帳に追加

Electrically inactive ions are implanted into the polysilicon layer 18 to amorphize a surface layer 20. - 特許庁

次に、アモルファス媒体層を第１の好適でない成長層上に形成する。例文帳に追加

Subsequently, an amorphous medium layer is formed on the first unpreferable growth layer. - 特許庁

表層２０をアモルファス化したポリシリコン層１８を熱酸化処理する。例文帳に追加

The amorphous polysilicon layer 18 formed on the surface layer 20 is thermally oxidized. - 特許庁

チャンネル層の製作は次のステップを含む：低蒸着率（ＬＤＲ）を用いて第一のアモルファス・シリコン層を形成し（化学蒸着、ＣＶＤ）；高蒸着率（ＨＤＲ）を用いて第二のアモルファス・シリコン層を形成し；Ｎ＋ミクスト・アモルファス・シリコン層を形成する。例文帳に追加

The manufacturing of a channel layer comprises following steps of forming a first amorphous silicon layer by using a low deposing rate(LDR)(chemistry vapor deposition(CVD)), and forming a second amorphous silicon layer by using a high deposing rate(HDR) to form an N + mixed amorphous silicon layer. - 特許庁

Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。例文帳に追加

This manufacturing method includes an amorphous layer forming step of forming amorphous layers 20B, 20C of the oxide containing Ba and Ti on a metal layer 14, and a crystallizing step of crystallizing the amorphous layer 20C of the oxide containing Ba and Ti. - 特許庁

本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the substrate equipped with the anti- reflection layer provides the substrate (a), deposits amorphous silicon on the substrate (b), and etches the amorphous silicon layer and the substrate with an etching solution, and removes the amorphous silicon layer with the etching solution (c). - 特許庁

感光体における表面保護層５は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を１２〜３５原子％含有してなるフッ素化アモルファス層６ｅのみを複数積層形成してなり、且つ、その表面自由エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以下である。例文帳に追加

The surface protective layer 5 in the photoreceptor is formed, by stacking a plurality of fluorinated amorphous layers 6e containing 12-35 at.% of fluorine in amorphous silicon carbide or amorphous carbon, and the surface protective layer 5 has surface free energy of 40 mN/m or smaller. - 特許庁

感光体における表面保護層５は、アモルファスシリコンカーバイドもしくはアモルファスカーボンにフッ素を１２〜３５原子％含有してなるフッ素化アモルファス層６ｅのみを複数積層形成してなり、且つ、その動的押し込み硬さが９０〜５００ｋｇｆ／ｍｍ^２である。例文帳に追加

The surface protective layer 5 of the photoreceptor comprises a plurality of layers of fluorinated amorphous layers 6e, comprising amorphous silicon carbide or amorphous carbon and 12 to 35 atomic% of fluorine, and has a dynamic indentation hardness of 90 to 500 kgf/mm^2. - 特許庁

本発明による半導体の製造方法は、基板を設ける工程と、誘電体層を基板の上に形成する工程と、アモルファス半導体層を誘電体層の上に成長させる工程と、アモルファス半導体層に不純物をドープする工程と、そして高温処理工程をアモルファス層に施して前記アモルファス半導体から結晶化層を形成する工程とを備える。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor includes a step of providing a substrate, a step of forming a dielectric layer on the substrate, a step of growing an amorphous semiconductor layer on the dielectric layer, a step of doping impurity in the amorphous semiconductor layer, and a step of forming a crystallized layer from the amorphous semiconductor by performing a high-temperature process on the amorphous layer. - 特許庁

ソース／ドレイン層１１ａ、１１ｂ上にノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをそれぞれ形成してから、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂ上に金属膜１３を成膜し、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂと金属膜１３とを反応させ、ノンドープアモルファス半導体層１２ａ、１２ｂをシリサイド化する。例文帳に追加

After non-doped amorphous semiconductor layers 12a and 12b are respectively formed on source/drain layers 11a and 11b, a metallic film 13 is formed on the amorphous semiconductor layers 12a and 12b and the amorphous semiconductor layers 12a and 12b are silicified by making the semiconductor layers 12a and 12b and metallic film 13 to react with each other. - 特許庁

アモルファス酸化シリコン層を真空雰囲気中で脱水素処理して水素分子を遊離させる。例文帳に追加

The amorphous silicon oxide layer is subjected to dehydrogenation process within the vacuum atmosphere to isolate hydrogen molecule. - 特許庁

アモルファス炭素マスクを選択的にスペーサまで除去して、基板層をさらす。例文帳に追加

The amorphous carbon mask is selectively removed as far as the spacer to expose the substrate layer. - 特許庁

アモルファス珪素層３は、炭素繊維膜４の生成のための触媒金属粒子５を含む。例文帳に追加

The amorphous silicon layer 3 contains catalytic metal particles 5 for generating the carbon fiber film 4. - 特許庁

このシールド層は、高抵抗ポリシリコン、単結晶シリコン又はアモルファスシリコンからなる。例文帳に追加

The shielding layer 103 is formed of high-resistance polysilicon, single crystal silicon or amorphous silicon. - 特許庁

六角格子状にレイアウトされた方形読出し層を有するアモルファスシリコン能動画素センサ例文帳に追加

AMORPHOUS SILICON ACTIVE PIXEL SENSOR WITH SQUARE READ LAYER LAID OUT IN HEXAGONAL LATTICE STRUCTURE - 特許庁

これらの方法は、原子酸素を用いてアモルファス・シリコン層の酸化を特徴とする。例文帳に追加

The methods are characterized by the oxidization of an amorphous silicon layer using atomic oxygen. - 特許庁

透明基板３１に透明電極３２及びｐ型アモルファスシリコン層３３を形成する。例文帳に追加

A transparent electrode 32 and a p-type amorphous silicon layer 33 are formed in a transparent substrate 31. - 特許庁

ポリシリコン又はアモルファスシリコンの薄い層（たとえば１５）が、接触開孔内に形成される。例文帳に追加

A thin layer of polysilicon or amorphous silicon (for example, 15) is formed in a contact bore. - 特許庁

その後、アモルファス層１１５の表面をレーザで照射加熱することで、結晶化させる。例文帳に追加

Thereafter, the surface of the amorphous layer 115 is irradiated and heated with laser beams to be crystallized. - 特許庁

又、好ましくは、表面層のアモルファスナイロンの混合割合を５乃至４０ｗｔ％とする。例文帳に追加

It is also preferable that the mixing ratio of the amorphous nylon contained in the surface layer is 5 to 40wt.%. - 特許庁

また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。例文帳に追加

A collector region is formed preferably by an intrinsic layer of amorphous silicon. - 特許庁

被処理体に対してアモルファス状又は多層状に固体潤滑膜を成膜する。例文帳に追加

An amorphous or multilayer solid lubricant film is formed on the body to be treated. - 特許庁

前記親水性アモルファス酸化チタン層は、水との接触角が１０°以下である。例文帳に追加

The contact angle of the hydrophilic amorphous titanium oxide layer with water is not more than 10°. - 特許庁

アモルファス酸化物膜をゲート絶縁層に用いた電界効果型トランジスタ例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE FILM AS GATE INSULATING LAYER - 特許庁

実施形態において、基板、例えば、ダマシン層の上にアモルファス炭素マスクを形成する。例文帳に追加

An amorphous carbon mask is formed on a substrate such as a damascene layer. - 特許庁

基板１０上に形成された絶縁層１１の上に、アモルファスシリコン薄膜１２ａを堆積する。例文帳に追加

An amorphous silicon thin-film 12a is deposited on an insulating layer 11 formed on a substrate 10. - 特許庁

ポーラス層として、例えば、低誘電率絶縁膜、又はアモルファスカーボンを用いる。例文帳に追加

For example, a low dielectric constant insulating film or an amorphous carbon is used as the porus layer. - 特許庁

半導体基板の表層部にイオンを注入してアモルファス化させる。例文帳に追加

The surface layer section of a semiconductor substrate is made into an amorphous form by implanting ions into the section. - 特許庁

第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。例文帳に追加

The first intermediate layer 151b is formed of amorphous semiconductor such as amorphous silicon or the like. - 特許庁

Ａ層内にはアモルファス微細結晶（Ａｌ_ａＳｉ_１−ａ）（Ｎ_ｘＢ_１−ｘ）が介在する。例文帳に追加

In the layer A, an amolphous microcrystal (Al_aSi_1-a)(N_xB_1-x) is interposed. - 特許庁