「"アモルファス層"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

鉛フリーの錫めっきの表面に球状微粒子を高速で衝突させてアモルファス層４２_２を形成し、そのアモルファス層４２_２の表面に酸化による不動態被膜４２_３を形成する。例文帳に追加

An amorphous layer 42_2is formed by making globular particles impinge at a high speed on a surface treated with lead-free tin plating and a passivation coat 42_3 resulting from oxidization is formed on a surface of the amorphous layer 42_2. - 特許庁

非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を設け、この非磁性アモルファス層３中に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造が形成されている。例文帳に追加

A non-magnetic amorphous layer 3 is formed on a non-magnetic substrate 1, and medium distance ordered structures to become grain growth nuclei are formed by adjusting the heating temperature and time or the material compositions in the layer 3. - 特許庁

本発明では、第１の面方位を有するシリコン基板１１上の一部に、アモルファス層１３を形成する工程と、そのアモルファス層１３にマイクロ波を照射し、前記アモルファス層１３を第１の面方位を有する結晶層とする工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することができる。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an amorphous layer 13 partially on a silicon substrate 11 having a first plane orientation; and irradiating the amorphous layer 13 with microwaves to convert the amorphous layer 13 into a crystal layer having a first plane orientation. - 特許庁

非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を形成し、エキシマレーザーにより非磁性アモルファス層３の表面を加熱し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層３の材料を最適化することで結晶粒成長核となりうる中距離秩序構造の頻度を最適化することができる。例文帳に追加

By forming a non-magnetic amorphous layer 3 on the non-magnetic substrate 1 and heating the surface of the non-magnetic amorphous layer 3 with an excimer laser, the frequency of the medium distance ordered structures serving as the grain growth nuclei can be optimized by optimizing the materials of the non-magnetic amorphous layer 3 and the laser irradiation conditions. - 特許庁

半導体基板上に金属酸化物からなるアモルファス層を形成する工程と、このアモルファス層を酸素を含む雰囲気中で第１の温度で酸化処理する工程の２つの連続した工程を１サイクルとしたときに、この連続する工程を少なくとも２サイクルおこなった後に、前記第１の温度以上の第２の温度で熱処理をおこなってアモルファス層を結晶化する。例文帳に追加

Two successive steps of forming an amorphous metal oxide layer 13 on a semiconductor substrate and oxidating this layer 13 at a first temp. in an O-contg. atmosphere are set as one cycle, and at least two cycles of the successive steps are made, and then heat treatment is made at a second temp. which is lower than the first temp. to crystallize the amorphous layer 13. - 特許庁

六方晶単結晶の炭化珪素基板１１の（０００１）面にリン（Ｐ）をイオン注入することで、その部分をアモルファス層１２にする。例文帳に追加

Phosphorus (P) is ion-injected into a (0001) surface of the silicon carbide substrate 11 of hexagonal single crystal to make the part into an amorphous layer 12. - 特許庁

この後、ダウンフローエッチングにより、アモルファス層１５Ａを半導体基板（結晶層）に対して選択的にエッチングする。例文帳に追加

After that, by a downflow etching operation, the amorphous layer 15A is etched selectively with reference to the semiconductor substrate (a crystal layer). - 特許庁

透過型電子顕微鏡用試料のアモルファス層の厚さ評価方法および透過型電子顕微鏡用試料の作製方法例文帳に追加

METHOD FOR EVALUATING THICKNESS OF AMORPHOUS LAYER OF SAMPLE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE AND METHOD FOR PREPARING SAMPLE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE - 特許庁

導体回路３の表面及び裏面には、夫々アモルファス層３ａ及び３ｂが形成されており、その間に結晶層３ｃが設けられている。例文帳に追加

On the front and rear surfaces of the conductive circuit 3, amorphous layers 3a and 3b are formed, and a crystal layer 3c is sandwiched between the amorphous layers. - 特許庁

その結果、半導体基板１１の表面領域には、所定の深さのアモルファス層１５Ａが形成される。例文帳に追加

As a result, an amorphous layer 15A in a prescribed depth is formed in the surface region of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

層間絶縁膜とアルミニウム膜との境界領域に、ウェッテング層を構成する物質、ケイ素および酸素を含むアモルファス層が存在する。例文帳に追加

An amorphous layer containing silicon and oxygen, which are materials constituting the layer 63, exists at the boundary region between the film 12 and the film 65. - 特許庁

金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。例文帳に追加

To increase the dielectric constant of a metal oxide layer by reducing an amorphous layer on a surface of the metal oxide layer. - 特許庁

シリコン基板１００の表面から第１の深さＡまでの領域にアモルファス層１０１を形成する。例文帳に追加

An amorphous layer 101 is formed in a region extending from the surface of a silicon substrate 100 to a first depth A. - 特許庁

その後、固相成長により、不純物を取り込ませつつアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 while capturing the impurity through solid phase growth. - 特許庁

また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。例文帳に追加

Further, in the crystallizing step, the ultraviolet pulse laser beam of 60-400mJ/cm^2 per pulse is applied to the amorphous layer 20C of the oxide. - 特許庁

また、本発明は、上記中間層をアモルファス層および結晶質層から構成する磁気記録媒体に関する。例文帳に追加

The intermediate layer is constituted of an amorphous layer and a crystal layer. - 特許庁

この時のエッチング量の制御は、アモルファス層１５Ａなしに、単に、半導体基板１１をエッチングする場合に比べ、正確かつ容易となる。例文帳に追加

An etching amount at this time is controlled precisely and easily as compared with a case where merely the semiconductor substrate 11 is etched without the amorphous layer 15A. - 特許庁

これにより、基板１７表面にアモルファス層１８を形成すると同時に、ソース・ドレイン拡散領域１４を形成する。例文帳に追加

Consequently, a source-drain expansion region 14 is formed on the surface of the substrate 17 simultaneously with the formation of an amorphous layer 18. - 特許庁

また、絶縁膜とバリア膜は接しており、導電膜とバリア膜の間にはＳｉ，Ｃを含むアモルファス層が形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

Moreover, the insulating film contacts with the barrier film and an amorphous layer containing Si, C is formed between the conductive film and the barrier film. - 特許庁

最後に、基板９１の表面に電子ビームを照射することによりアモルファス層である撥水層９２を形成する。例文帳に追加

Lastly, an electronic beam is projected on the front face of the substrate 91 to form a water-repellent layer 92 of an amorphous layer. - 特許庁

平坦化トンネル磁気抵抗素子であって、ＭｇＯアモルファス層２とＭｇＯ（００１）高配向層３の二重層からなる下地層を有する。例文帳に追加

The flattened tunnel magnetoresistance element has a ground layer consisting of double layers of a MgO amorphous layer 2 and a MgO (001) high alignment layer 3. - 特許庁

これによって、シリコン基板１００の表面から第２の深さＢまでの領域がアモルファス層１０１となる。例文帳に追加

Consequently, a region from the surface of the silicon substrate 100 up to the second depth B becomes the amorphous layer 101. - 特許庁

磁性層６の結晶粒径分布を制御するため、非磁性基板１上にスパッタ法で非磁性アモルファス層３を形成する。例文帳に追加

A non-magnetic amorphous layer 3 is formed by a sputtering method on the non-magnetic substrate 1 to control the diameter distribution of the crystal grains in the magnetic layer 6. - 特許庁

さらに、ナノワイヤは１０Å未満の厚さを有するアモルファス層で覆われた単結晶ナノワイヤコアを備える。例文帳に追加

Further, the nanowire includes a single-crystal nanowire core covered with an amorphous layer having a thickness of less than 10 Å. - 特許庁

次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。例文帳に追加

Then a heat treatment is carried out to recrystallize the amorphous layer 12 into n-type silicon carbide 13 of cubic single crystal. - 特許庁

ＣＶＤ法によって形成されてなり、表面粗さＲａが１〜１０μｍの範囲にある無機化合物のアモルファス層を表面に有する研削材、及びこのアモルファス層の下に多孔性セラミック層が形成されている研削材。例文帳に追加

This is the abrasive material formed by a CVD method and having the amorphous layer of an inorganic compound of which the surface roughness Ra is in the range of 1-10 μm on the surface, and the abrasive material in which a porous ceramic layer is formed under this amorphous layer. - 特許庁

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。例文帳に追加

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant. - 特許庁

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer. - 特許庁

強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、アモルファス層間絶縁膜と当該アモルファス層間絶縁膜内に配される導電性プラグとに跨る領域の上部に、アモルファス金属膜と導電性結晶膜と強誘電体キャパシタの下部電極とをこの順に積層する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the ferroelectric capacitor; an amorphous metallic film, a conductive crystalline film, and a lower electrode of the ferroelectric capacitor are laminated in this order on an upper surface of a region which spreads across an amorphous interlayer insulating film and a conductive plug provided in the amorphous interlayer insulating film. - 特許庁

図１に示す電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。例文帳に追加

The substrate 100 for the electronic device is provided with the substrate 11 having an amorphous layer 15, a buffer layer 12 which is formed so as to make the orientation uniform at least in the thickness direction on the amorphous layer 15 and a conductive oxide layer 13 which is formed on the buffer layer 12 by epitaxial growth and contains a metal oxide having a perovskite structure. - 特許庁

ゲート電極１０２をマスクとしてインジウムをイオン注入してアモルファス層を形成した後、ゲート電極１０２をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。例文帳に追加

Indium ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask for the formation of an amorphous layer, and arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 as a mask. - 特許庁

収束されたイオンビームを、単結晶の半導体基板に、半導体基板を構成する元素からなるアモルファス層を介すことなく照射し、半導体基板にイオンを注入する。例文帳に追加

The converged ion beams are irradiated to a single-crystal semiconductor substrate, without interposing an amorphous layer having an element constituting the semiconductor substrate, and the ions are implanted into the semiconductor substrate. - 特許庁

無機アモルファス層又は有機固体層２の上に酸化物薄膜層３、４を形成し、更に、ペロブスカイト型酸化物薄膜５をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Oxide thin film layers 3, 4 are formed on the inorganic amorphous layer or the organic solid layer 2, and the perovskite-type oxide thin film 5 is grown epitaxially. - 特許庁

そしてさらに、水素等の不純物とならないイオン種をイオン注入し、ｐ型ベース領域３の表層部をアモルファス化させてアモルファス層４０を形成する。例文帳に追加

Furthermore, non-impurity ion species, i.e., hydrogen ions, are implanted in order to form an amorphous layer 40 at the surface layer part of the p type base region 3. - 特許庁

バリア層は、酸化マグネシウムで構成されており、下部磁気シールド膜は、結晶質層７１と、その積層方向上方に設けられたアモルファス層７３とを含む複層構造を有している。例文帳に追加

The barrier layer comprises a magnesium oxide, and the lower magnetic shield film has a multilayer structure including a crystalline layer 71 and an amorphous layer 73 provided at the upper part in its laminating direction. - 特許庁

プレアモルファス打ち込みプロセスは、ＢＦ__２^＋イオンを用いて基板２００のシリコン表面に衝撃を与え、その上にアモルファス層２２２が形成されるようにする。例文帳に追加

In the pre-amorphous implanting step, impact is applied to a silicon surface of the substrate 200 using BF2+ ions, and an amorphous layer 22 is formed thereon. - 特許庁

次に、熱処理によってアモルファス層１０１の結晶構造を第１の深さＡから第１の深さＡよりも浅い第２の深さＢまでの領域について回復させる。例文帳に追加

Then, the crystal structure of the amorphous layer 101 is recovered with a heat treatment for a region from the first depth A up to a second depth B shallower than the first depth A. - 特許庁

半導体基板１００に対して４００〜５５０℃の温度の熱処理を施して、アモルファス層をクリスタル層に回復させた後、ゲート電極１０２及びサイドウォール１０７をマスクとしてヒ素イオンをイオン注入する。例文帳に追加

The semiconductor substrate 100 is thermally treated at 400 to 550°C to turn the amorphous layer to a crystal layer, and then arsenic ions are implanted using the gate electrode 102 and a side wall 107 as a mask. - 特許庁

このように、不純物がドーピングされたアモルファス層４０を結晶化させて表面チャネル層５を形成すれば、確実に不純物を格子位置に置換させることができるため、不純物の活性化率を向上させることができる。例文帳に追加

Since the impurity can be replaced surely at the lattice positions when the surface channel layer 5 is formed by crystallizing the amorphous layer 40 doped with the impurity, activation rate of impurities can be enhanced. - 特許庁

かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。例文帳に追加

In the configuration, a quantum well caused by a band gap difference between the nanocrystal grain (d) and the amorphous layer of the semiconductor composing the nanocrystal grain (d) is formed, so that the photoelectric conversion device having a high photoelectric conversion rate can be obtained. - 特許庁

アモルファス層４２_２は結晶粒界や欠陥がほとんどなく、その上に形成される不動態被膜４２_３も欠陥がほとんどなく、このような不動態被膜４２_３の存在によってウイスカの発生を抑制する。例文帳に追加

There are hardly contains crystallized grain boundaries or defects in the amorphous layer 42_2, and also hardly defects in the passivation coat 42_3 formed over the amorphous layer so that the presence of such passive coat 42_3 restrains whiskers from occurring. - 特許庁

この手法により、アモルファス層を形成していないウェハ表面を効果的に活性化できるため、欠陥が少なく、かつ浅く低抵抗な接合が形成できる。例文帳に追加

By the use of the method, the wafer surface which does not form amorphous layers can be activated effectively, as well as a low-resistance shallow junction with few defects is thereby formed. - 特許庁

ｎ^+型基板１の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、ｎ^+型基板１の裏面１ｂにアモルファス層１２を形成する。例文帳に追加

After forming an element structure or a surface electrode on the surface side of an n^+-type substrate 1, an amorphous layer 12 is formed on the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1. - 特許庁

複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。例文帳に追加

Of the composite seed layer 15, the soft magnetic layer 3, the amorphous layer 4 and the soft magnetic layer 5 form an effective shield structure 14, together with the lower shielding layer 2. - 特許庁

最上層の導電性層８ｂは、シリコンと反応しやすい性質を有しているので、上記多結晶シリコン層の形成時にアモルファス層の形成を抑制している。例文帳に追加

The uppermost conductive layer 8b that has a character to react with silicon, suppresses a formation of an amorphous layer when the said polycrystalline silicon layer is formed. - 特許庁