「エミッタ接地」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エミッタ接地増幅回路の省電力、省スペース化を図ること。例文帳に追加

To attain power saving and space saving in an emitter grounded amplifier circuit. - 特許庁

各トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのエミッタは、接地されている。例文帳に追加

Emitters of each transistor TR1 to TRn are grounded. - 特許庁

第１のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを上げ、第２のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを下げ、混合回路１８が、第１のエミッタ接地アンプ、および第２のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する。例文帳に追加

The 1st grounded emitter amplifier increases the gain at a high frequency, the 2nd grounded emitter amplifier decreases the gain at the high frequency and the mixer circuit 18 mixes the output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier with a variable mixing ratio. - 特許庁

高域の周波数でゲインを上げる第１のエミッタ接地アンプと、高域の周波数でゲインを下げる第２のエミッタ接地アンプと、第１のエミッタ接地アンプ、および第２のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する混合回路１８と、備えている。例文帳に追加

The waveform correction circuit is provided with a 1st grounded emitter amplifier that increases a gain at a high frequency, a 2nd grounded emitter amplifier that decreases the gain at a high frequency, and a mixer circuit 18 that mixes an output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier at a variable mixing rate. - 特許庁

各ＨＢＴ４０のエミッタは、並列接続された第１のエミッタバラスト抵抗体４１及び第２のエミッタバラスト抵抗体４２を介して、エミッタ（接地）端子３にそれぞれ接続される。例文帳に追加

The emitter of each HBT (heterojunction bipolar transistor) 40 is connected to an emitter (ground) terminal 3 via a first emitter ballast resistance 41 and a second emitter ballast resistance 42 connected in parallel. - 特許庁

また、必要に応じて第１の接地電極、エミッタ、第２の接地電極をダクト内に配置する。例文帳に追加

The first ground electrode, the emitter and the second ground electrode may be mounted in a duct when necessary. - 特許庁

そして、エミッタ電極４を、エミッタ電極４ａ〜４ｄに分割し、これら分割したエミッタ電極４ａ〜４ｄ各々を、それぞれボンディングワイヤ（インダクタンス素子）１２ａ〜１２ｄを介して接地導体９に接地する。例文帳に追加

Then each emitter electrode 4 is split into emitter electrodes 4a-4d and each of the division emitter electrodes 4a-4d is grounded to a ground conductor 9 via bonding wires (inductive elements) 12a-12d. - 特許庁

好適な実施形態では、増幅器80は、ベース電極に入力抵抗83が接続され、コレクタ電極にＶccが印加され、エミッタ電極がエミッタ抵抗を介して接地されたトランジスタ84を有するエミッタフォロワ増幅器である。例文帳に追加

In a preferred embodiment, the amplifier 80 is an emitter follower amplifier with a transistor 84, in which the input resistor 83 is connected to a base electrode, Vcc is applied to the collector electrode, and the emitter electrode is grounded via an emitter resistor. - 特許庁

トランジスタＱ１がエミッタ接地、トランジスタＱ２がエミッタフォロアとなっており、抵抗Ｒ１、Ｒ２が直流的にはトランジスタＱ１の負荷になるとともに、トランジスタＱ２のエミッタ抵抗となっている。例文帳に追加

The high frequency mixer circuit employs a common emitter transistor(TR) Q1 and an emitter follower TR Q2, resistors R1, R2 are a load of the TR Q1 in terms of DC and act like an emitter resistor of the TR Q2. - 特許庁

ｎｐｎ型トランジスタ２２のコレクタがカソード１１１に接続され、エミッタは、接地されている。例文帳に追加

The collector of the transistor 22 is connected to a cathode 111 and the emitter is grounded. - 特許庁

信号線ＬＦは、バイポーラトランジスタ３２のコレクタ及びエミッタを介して接地されている。例文帳に追加

A signal wire LF is grounded via a collector and an emitter of a bipolar transistor 32. - 特許庁

エミッタ接地回路、ならびにそれを用いた高周波受信機および高周波送信機例文帳に追加

GROUNDED EMITTER CIRCUIT, HIGH FREQUENCY RECEIVER AND HIGH FREQUENCY TRANSMITTER EMPLOYING IT - 特許庁

増幅部１０は、トランジスタＱ１を用いたエミッタ接地型増幅回路である。例文帳に追加

The amplifying part 10 is an emitter-grounded type amplifying circuit using a transistor Q1. - 特許庁

本発明の駆動ユニットはエミッタ接地であり、結果として高電力利得を得る。例文帳に追加

The driving unit is emitter-grounded, eventually obtaining a high power gain. - 特許庁

入力端子ＴＩは、エミッタ接地されたトランジスタＱ１のベース端子に接続されている。例文帳に追加

The input terminal TI is connected to a base terminal of an emitter grounded transistor Q1. - 特許庁

トランジスタのコレクタを電圧入力端子に接続し、エミッタを接地する。例文帳に追加

The collector of a transistor is connected to the voltage input terminal, and the emitter of the transistor is grounded. - 特許庁

位相制御回路２０は、バイポーラトランジスタ１０１のエミッタと接地との間に配置される。例文帳に追加

A phase control circuit 10 is arranged between the emitter of a bipolar transistor 101 and a ground connection. - 特許庁

スポット残り防止回路５をトランジスタ１４のエミッタ端子１４ｅを介して接地に接続する。例文帳に追加

The residual spot prevention circuit 5 is connected to the ground through an emitter terminal 14e of the transistor 14. - 特許庁

複数のトランジスタ４のエミッタ（第２端子）に接地電極１１が共通に接続されている。例文帳に追加

A ground electrode 11 is connected commonly to the emitters (second terminals) of the plurality of transistors 4. - 特許庁

エミッタ抵抗１３−１４の中点と接地間にスピーカ１７が接続される。例文帳に追加

The speaker 17 is connected to a part between the center point of the emitter resistances 13 and 14 and the ground. - 特許庁

トランジスタ１，２のエミッタは、それぞれ抵抗５，６を介して接地端子に接続されている。例文帳に追加

Emitters of the transistors 1, 2 are connected to ground terminals via resistors 5, 6. - 特許庁

エミッタ接地増幅回路において、バーズビーク４の寄生容量を低減する。例文帳に追加

To reduce parasitic capacitance of a bird's beak 4 in a grounded emitter amplifier. - 特許庁

また、負荷用トランジスタＴ２のエミッタは接地電位ＧＮＤに接続される。例文帳に追加

Furthermore, an emitter of the load transistor T2 is connected to the ground potential GND. - 特許庁

前記エミッタと接地との間のインダクタンスは、インダクタ１０７を設けないときの前記エミッタと接地との間の寄生インダクタンスよりも大きいので、バイポーラトランジスタ１０２は、エミッタを大きくすることなく、出力を大きくすることができる。例文帳に追加

Since the inductance between the emitter and the ground is larger than parasitic inductance between the emitter and the ground, when the inductor 107 is not installed, the bipolar transistor 102 can make the output increase, without increasing the size of the emitter. - 特許庁

低入力インピーダンス回路とするためにベース接地したトランジスタＴｒ１による増幅器を含み、そのベース電位をトランジスタＴｒ２によるエミッタフォロア増幅器（エミッタ接地した増幅回路）により保持している。例文帳に追加

The front end of the ultrasonic diagnostic apparatus includes the amplifier by a transistor Tr1 base-grounded to be a low-input impedance circuit and the base potential is held by an emitter follower amplifier (emitter- grounded amplifier circuit) by a transistor Tr2. - 特許庁

高周波増幅回路は、１段目にトランジスタＴｒ１を用いたエミッタ接地増幅回路、２段目にダーリントン接続のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３を用いたエミッタ接地回路の２段増幅の構成となっている。例文帳に追加

The high-frequency amplifier circuit has a two-stage amplification configuration of a common-emitter amplifier circuit using a transistor Tr1 as a first stage and a common-emitter circuit using darlington-connected transistors Tr2, Tr3 as a second stage. - 特許庁

可変群遅延特性補償装置、ＦＥＴソース接地増幅器及びエミッタ接地増幅器、並びに可変利得増幅器例文帳に追加

VARIABLE GROUP DELAY CHARACTERISTICS COMPENSATING DEVICE, FET SOURCE GROUND AMPLIFIER, EMITTER GROUND AMPLIFIER AND VARIABLE GAIN AMPLIFIER - 特許庁

前記気流の方向に沿って、第１の接地電極２１とエミッタ１２と第２の接地電極２２と被除電物５０とを順次配置する。例文帳に追加

The first ground electrode 21, the emitter 12, a second ground electrode 22 and the object 50 from which the static electricity is to be eliminated, are successively arranged along the direction of the air flow. - 特許庁

高周波増幅器は、コレクタに電源電圧が印加されるエミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗と、第１のバイポーラトランジスタのエミッタに、抵抗と並列に接続されたコンデンサと、を備える。例文帳に追加

The high-frequency amplifier comprises a first bipolar transistor having a collector with a power voltage applied thereto and also having an emitter grounded, a resistor connected to the emitter of the first bipolar transistor, and a capacitor connected to the emitter of the first bipolar transistor in parallel to the resistor. - 特許庁

エミッタ出力型（コレクタ接地）電力増幅器のように動作する周波数では動作が安定であり、コレクタ出力型（エミッタ接地）電力増幅器として動作する周波数ではトランジスタのＶｂｅによる損失が無いので エミッタ出力型（コレクタ接地）電力増幅器よりも大きな出力電圧を取り出すことができる。例文帳に追加

Since operation is stable in the frequency for operating as an emitter output (collector-grounded) power amplifier and there is no loss caused by the Vbe of the transistor in the frequency for operation as a collector output (emitter-grounded) power amplifier, an output voltage greater than that of the emitter output (collector-grounded) power amplifier can be extracted. - 特許庁

上記基準電源からのバイアス用電圧を上記エミッタホロワ回路により、上記バイアス印加素子を介して上記エミッタ接地増幅回路のベースに印加することでバイアス電流を供給する。例文帳に追加

Bias current is supplied by impressing voltage for bias from the reference power sources to a base of the emitter grounding amplifier circuit via the biasing elements by the emitter follower circuit. - 特許庁

更に、圧電トランスを用いてエミッタに高電圧を印加し、また、エミッタをパイプ状に形成してその内部に第１の接地電極方向へ向かう気流を形成させる。例文帳に追加

Further the high voltage is applied to the emitter by using a piezoelectric transformer, or the emitter is formed into the pipe shape to form the air flow toward the first ground electrode direction inside thereof. - 特許庁

電力増幅回路（１００）は、基準電源（４１，４２）とエミッタホロワ回路（４３）とバイアス印加素子（１０，１１）とエミッタ接地増幅回路（５）とを含む。例文帳に追加

The power amplifier circuit (100) includes: reference power sources (41, 42); an emitter follower circuit (43); biasing elements (10, 11); and an emitter grounding amplifier circuit (5). - 特許庁

第１トランジスタ６６のエミッタ端子６６ｅに接続し、抵抗器７４を介して接地されるエミッタ端子７６ｅを有する第２トランジスタ７６を設ける。例文帳に追加

A second transistor 76 having an emitter terminal 76e connected to an emitter terminal 66e of the first transistor 66 and grounded through a resistor 74 is provided. - 特許庁

１段目の回路はｎｐｎトランジスタＱ_１から成るコレクタ−エミッタ分割形回路で、２段目の回路はｐｎｐトランジスタＱ_２から成るエミッタ接地形増幅回路である。例文帳に追加

A 1st step circuit is a collector/emitter separating circuit composed of an npn transistor Q_1, and a 2nd step circuit is a grounded emitter amplifier circuit composed of a pnp transistor Q_2. - 特許庁

トランジスタＱ３とＱ４によりカレントミラーを構成し、トランジスタＱ３のエミッタはノードＮＤ１に接続し、トランジスタＱ４のエミッタは抵抗素子Ｒ３を介して接地する。例文帳に追加

TRs Q3, Q4 configure a current mirror, an emitter of the TR Q3 is connected to the node ND1, and an emitter of the TR Q4 is connected to ground via a resistive reception R3. - 特許庁

第３のトランジスタＱ３のエミッタを接地し、ベースを第２の結合コンデンサＣ６を介して第１のトランジスタＱ１のエミッタに接続し、コレクタを平衡出力端子Ｓｏ２に接続する。例文帳に追加

An emitter of a 3rd transistor Q3 is grounded, its base is connected to the emitter of the 1st transistor Q1 through a 2nd coupling capacitor C6, and its collector is connected to a balanced output terminal So2. - 特許庁

ｐ基板を接地し、エミッタには、可変直流電圧源Ｖ_ｄｃ１から抵抗Ｒ_ｅを介して正のバイアス電位を印加する。例文帳に追加

A p substrate is grounded and positive bias potential is impressed from a variable DC voltage source V_dc1 to an emitter through a resistor R_e. - 特許庁

増幅素子Ｔｒ１，Ｔｒ２のベースには入力信号が入力され、コレクタにはコレクタ電圧が印加され、エミッタは接地されている。例文帳に追加

Input signals are input to the bases of amplification elements Tr1 and Tr2, collector voltages are applied to collectors, and emitters are grounded. - 特許庁

高周波増幅用トランジスタ１のエミッタと基準電圧発生用ダイオード５のカソードをインダクタ２０を介して接地する。例文帳に追加

An emitter of a high-frequency amplifying transistor 1 and a cathode of a reference voltage generating diode 5 are grounded via an inductor 20. - 特許庁

上記エミッタ接地形増幅回路の増幅度Ａ及び電圧分割比βは（１＋Ａβ）＜Ａとなるように設定される。例文帳に追加

The amplification degree A of the grounded emitter amplifier circuit and a voltage division ratio β is set as (1+Aβ)<A. - 特許庁

増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのバイアス回路とを備える。例文帳に追加

The amplifier circuit is provided with an emitter-grounded first bipolar transistor and a bias circuit of the first bipolar transistor. - 特許庁

また、エミッタ接地増幅回路として機能するトランジスタＱ_２にも、ミラー効果補償用トランジスタＱ_２３が接続されている。例文帳に追加

Furthermore, a transistor Q_2 functioning as an emitter grounded amplification circuit is also connected with a mirror effect compensation transistor Q_23. - 特許庁

増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのバイアス回路と、を備える。例文帳に追加

This amplifier circuit includes a grounded-emitter first bipolar transistor, and a bias circuit of the first bipolar transistor. - 特許庁

抵抗器Ｒ２の他端とトランジスタＴのコレクタとを接続し、トランジスタＴのエミッタを接地させる。例文帳に追加

The other end of the resistor R2 is connected to a collector of a transistor T and an emitter of the transistor T is grounded. - 特許庁