「ガリウム」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for supplying gallium to an apparatus for producing a gallium nitride crystal, which can prevent clogging of a gallium supply pipe. - 特許庁

ガリウムフタロシアニンの製造方法、クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の製造方法、ガリウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM PHTHALOCYANINE, CHLOROGALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL AND HYDROXYGALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, GALLIUM PHTHALOCYANINE, CHLORO GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, HYDROXY GALLIUM PHTHALOCYANINE CRYSTAL, ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE - 特許庁

２　主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極例文帳に追加

ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material  - 日本法令外国語訳データベースシステム

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。例文帳に追加

The epitaxial substrate E includes a gallium nitride substrate 11 and a gallium nitride epitaxial film 13. - 特許庁

この窒化ガリウム層は、ガリウム砒素半導体のエッチング液に対して不溶あるいは難溶となる。例文帳に追加

This gallium nitride layer becomes insoluble or hardly soluble to the etchant of the gallium arsenic semiconductor. - 特許庁

液体金属ガスケットは水銀、ガリウム又はガリウム合金のような液体金属を含んでいてよい。例文帳に追加

The liquid metal gaskets may contain a liquid metal such as mercury, gallium or a gallium alloy. - 特許庁

トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層１３を成長させる。例文帳に追加

Trimethyl gallium and ammonia gas are used as growth gas and a gallium nitride layer 13 is grown. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム単結晶基板例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

少なくとも一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。例文帳に追加

At least one column thus formed contains a gallium nitride top section and gallium nitride sidewalls. - 特許庁

窒化ガリウム結晶の成長方法および窒化ガリウム結晶の製造方法例文帳に追加

GROWTH METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD OF GALLIUM NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

窒化ガリウム基板の製造方法、および窒化ガリウム基板ならびに半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

次に第１の窒化ガリウム層４の表面に第２の窒化ガリウム層６を形成する。例文帳に追加

Secondly, a second nitride gallium layer 6 is formed on a surface of the first nitride gallium layer 4. - 特許庁

その水素化ガリウムガスを含窒素化合物と反応させることで、窒化ガリウムの結晶を成長させる。例文帳に追加

The gallium hydride gas is made to react with a nitrogen-containing compound to grow a gallium nitride crystal. - 特許庁

ハロゲン化ガリウムペンタアンモニエートとその製造方法、および窒化ガリウム単結晶の製造方法例文帳に追加

HALOGENATED GALLIUM PENTAAMMONIATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

酸化ガリウム層で被覆された窒化ガリウムナノワイヤーの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium nitride nanowire coated with a gallium oxide layer. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE, ITS PRODUCING PROCESS, GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

窒化ガリウム系単結晶の育成方法およびそれにより得られる窒化ガリウム系単結晶例文帳に追加

GROWING METHOD OF GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY IT - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体基板の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体基板例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

金を含有するガリウムの精製方法、及び金を含有するガリウムからの金の採取方法例文帳に追加

METHOD FOR REFINING GOLD-CONTAINING GALLIUM, AND METHOD FOR COLLECTING GOLD FROM GOLD-CONTAINING GALLIUM - 特許庁

雰囲気をアンモニアガスとし、ガリウム化合物粉末として塩化ガリウム粉末を用いてもよい。例文帳に追加

Ammonia gas can be used as an atmospheric gas, and a gallium chloride powder can be used as the gallium compound powder. - 特許庁

窒化ガリウム結晶体を形成する方法、基板、および窒化ガリウム基板を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, SUBSTRATE, AND METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウムエピタキシャル膜６５は、窒化ガリウム基板６３上に設けられている。例文帳に追加

A gallium nitride eptiaxial film 65 is provided on a gallium nitride substrate 63. - 特許庁

窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法例文帳に追加

MELT COMPOSITION FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR GROWING GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL - 特許庁

酸化ガリウム１０と水素Ｈ２を反応させることにより水素化ガリウムガスを発生させる。例文帳に追加

Gallium hydride gas is generated by allowing gallium oxide 10 to react with hydrogen H2. - 特許庁

ガリウムの精製法および装置並びに化合物半導体作成用のガリウム原料例文帳に追加

REFINING METHOD AND APPARATUS FOR GALLIUM AND GALLIUM RAW MATERIAL FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び窒化ガリウム柱状構造の形成装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GALLIUM NITRIDE COLUMNAR STRUCTURE AND APPARATUS FOR FORMING GALLIUM NITRIDE COLUMNAR STRUCTURE - 特許庁

前記III族元素は、ガリウムが好ましく、えられるIII族窒化物としては、窒化ガリウムが好ましい。例文帳に追加

The group III element is preferably gallium, and the yielded group III nitride is preferably gallium nitride. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法と窒化ガリウム系化合物半導体例文帳に追加

METHOD FOR GROWING CRYSTAL OF GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR AND GALLIUM NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。例文帳に追加

A p-type second nitride gallium layer 8 is formed on the surface of the first nitride gallium layer 6. - 特許庁

窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL BODY AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

テルル化ガリウムをガリウム原料として窒素源と加熱下で反応させる。例文帳に追加

Gallium telluride as a gallium raw material is reacted with a nitride source under heating. - 特許庁

水素化ガリウムガスの製造方法および窒化ガリウム結晶の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING GALLIUM HYDRIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

製造装置、結晶製造方法、基板製造方法、窒化ガリウム結晶及び窒化ガリウム基板例文帳に追加

PRODUCING APPARATUS, CRYSTAL PRODUCING METHOD, SUBSTRATE PRODUCING METHOD, GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, AND GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE - 特許庁

窒化ガリウム単結晶基板、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子および発光ダイオード例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT EMITTING DIODE - 特許庁

これにより、ガリウムから不純物を除去して高純度のガリウムが得られる。例文帳に追加

Thus, the high purity gallium is obtained by removing the impurities from the gallium. - 特許庁

ガリウム化合物、砥粒および切削油を含む澱物からのガリウム化合物の濃縮方法例文帳に追加

METHOD FOR CONCENTRATING GALLIUM COMPOUND FROM PRECIPITATE CONTAINING GALLIUM COMPOUND, ABRASIVE GRAIN, AND CUTTING OIL - 特許庁

単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法例文帳に追加

SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE, AND CRYSTAL GROWTH METHOD OF THE SINGLE-CRYSTAL GALLIUM NITRIDE - 特許庁

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁

このガリウムと窒素源とが反応して窒化ガリウムが高効率で製造される。例文帳に追加

The active gallium is reacted with the nitride source to produce the gallium telluride in high efficiency. - 特許庁

ガリウム化合物、砥粒および切削油を含む澱物からのガリウム分の濃縮方法例文帳に追加

METHOD FOR CONCENTRATING GALLIUM FROM PRECIPITATE CONTAINING GALLIUM COMPOUND, ABRASIVE GRAIN AND CUTTING OIL - 特許庁

テルルを再利用して製造したテルル化ガリウムは、ガリウム原料とし使用される。例文帳に追加

The gallium telluride produced by reusing the tellurium is used as a gallium raw material. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体素子の製造方法例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

窒化ガリウム系半導体積層構造体、その製造方法、窒化ガリウム系半導体素子及びランプ例文帳に追加

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND LAMP - 特許庁