「サブバンド間遷移」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

光導波路（１８）は、サブバンド間遷移によりＴＭ波を吸収しＴＥ波に相互位相変調を起こす量子井戸サブバンド間遷移光導波路構造からなる。例文帳に追加

An optical waveguide (18) includes a quantum well inter-subband transition optical waveguide structure which absorbs a TM wave by inter-subband transition and causes cross phase modulation on a TE wave. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。例文帳に追加

An inter-subband transition switch waveguide 10 is configured by using a semiconductor material such as InGaAs or AlAsSb that can form a quantum well structure and providing a reflective structure (R1) for TE optical signals on an inter-subband transition waveguide having a phase modulation effect generated by inter-subband transition in that quantum well structure. - 特許庁

ＳｉＧｅ量子井戸に形成された価電子帯のサブバンド間を、正孔が中赤外光を吸収してサブバンド遷移を行うことにより、中赤外光を検出する。例文帳に追加

A mid-infrared ray is detected by permitting a hole to absorb the mid-infrared ray and shifting a sub-band between the sub-bands of valence bands, which are formed in a SiGe quantum well. - 特許庁

大きい非線型屈折率を有するサブバンド間遷移を利用する量子カスケードレーザーが、中赤外光のピコ秒パルスを生成する。例文帳に追加

A quantum cascade laser which utilizes inter-subband transition having a large nonlinear refractive index generates pico-second pulse of intermediate infrared light. - 特許庁

赤外光９によるサブバンド間遷移が禁止され、かつ電極層の伝導電子密度も低いので、赤外光吸収が小さい。例文帳に追加

Transition between the sub-bands by the infrared light 9 is inhibited and the conductive electron density of the electrode layers is low, so the infrared light absorption is small. - 特許庁

サブバンド間遷移量子井戸型光検知装置に関し、簡単な構成により、不所望な波長域の光を吸収除去することを目的とする。例文帳に追加

To absorb and remove lights in an undesired wavelength range by a simple constitution of a sub-band transition quantum well type photo sensor. - 特許庁

発振しきい値を比較的容易に低減することができるサブバンド間遷移を利用した電磁波発生・検出素子を提供することである。例文帳に追加

To provide an electromagnetic wave generation/detection element utilizing a transition between subbands for relatively easily reducing an oscillation threshold. - 特許庁

次に、基板１２０の上部に設けられ、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層１０１を備える。例文帳に追加

Then, an active layer 101 which generates the terahertz wave by the transition of a carrier between sub-bands is provided over the substrate 120. - 特許庁

単位積層体１６のサブバンド準位構造は、発光上準位Ｌ_ｕｐと、発光下準位Ｌ_ｌｏｗと、緩和ミニバンドＭＢとを有し、上準位から下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成される。例文帳に追加

A subband level structure of the unit laminate 16 includes an upper emission level L_up, a lower emission level L_low and relaxation miniband MB and light is generated by transition of electrons from the upper level to the lower level, between subbands. - 特許庁

多重量子井戸が、サブバンド間遷移によって動作し、かつ指定された発振周波数の電磁波を放出するユニポーラ多重量子井戸発振器を形成する。例文帳に追加

A multiple quantum well operates by the transition between subbands and forms the unipolar multiple quantum well oscillator for discharging electromagnetic waves at a specified oscillation frequency. - 特許庁

空孔２２を適切に配置することにより、前記量子井戸の複数のサブバンドの間の遷移エネルギーを含むようなTM偏波に関するフォトニックバンドギャップが形成されるようにする。例文帳に追加

A photonic band gap related to TM polarization as it includes a transition energy between a plurality of sub-bands of the quantum well is formed by appropriately arranging the pores 22. - 特許庁

この熱輻射光源を加熱すると、サブバンド間遷移に対応する波長の光が生じ、その光は点状欠陥２３からスラブ２１に垂直な方向に取り出される。例文帳に追加

When this light source is heated, light of a wavelength corresponding to the transition between sub-bands is generated, and this light is taken through the defect 23 in the direction vertical to the slab 21. - 特許庁

電磁波発生・検出素子は、半導体材料による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える利得媒体１０が基板１に備えられている。例文帳に追加

The electromagnetic wave generation/detection element has a gain medium 10 for giving a gain to electromagnetic waves by the transition between subbands generated in a quantum well in a quantum well structure by a semiconductor material on a substrate 1. - 特許庁

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same. - 特許庁

多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。例文帳に追加

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200. - 特許庁

まず、サブバンド間でのキャリアの遷移によりテラヘルツ波を発生させる活性層１０１から発生されたテラヘルツ波を共振させるための共振部１０２を備える。例文帳に追加

Firstly, the resonance unit 102 which resonates the terahertz wave generated from the active layer 101 generating the terahertz wave by the transition of a carrier between sub-bands is provided. - 特許庁

活性層１３は、発光層と注入層とが交互に積層されていて、量子井戸構造におけるサブバンド間の電子遷移によって光を生成する。例文帳に追加

The active layer 13 is formed of light emitting layers and implanting layers which are alternatively stacked and generates light by transition of electrons between subbands in a quantum well structure. - 特許庁

従来のバレンコらの提案ではサブバンド間電子を用いるために生じていた、非常に位相緩和時間が短いという問題と、サブバンド遷移波長が遠赤外である為に極超短光パルスレーザの技術がなく、超高速制御が不可能であると言う問題を解決することを目的としている。例文帳に追加

To solve the problem that a phase relaxation time is very short in conventional proposals by Barenco, etc., because of the use of inter-subband electrons and the problem that technology of a very-short light pulse laser is not available since subband transition wavelength is in the far infrared range and very-fast control is impossible. - 特許庁

電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、ＴＥモード光（電磁波）によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。例文帳に追加

A method for generating intersubband electron transition by TE mode light (electromagnetic wave) is invented by using a semiconductor having anisotropy in effective mass of electrons and forming a quantum well structure in a direction inclined from a main axis in an equal energy face. - 特許庁

また、光信号と制御光信号とを入力し、制御光信号で上記のサブバンド間遷移を飽和させて上記の光信号の透過率を制御することで、制御光信号を照射するときに光信号を出力するものである。例文帳に追加

Furthermore, the optical signal and control optical signal are input and the inter-subband transition is saturated with the control optical signal to control transmissivity to the optical signal, thereby outputting the optical signal during irradiation with the control optical signal. - 特許庁

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。例文帳に追加

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating. - 特許庁

サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。例文帳に追加

A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process. - 特許庁

量子井戸発光層及び注入層が交互に、垂直方向に積層されたｍ１段のカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層２０を含む半導体積層体のレーザ素子部１０を用いて、量子カスケードレーザ１を構成する。例文帳に追加

The quantum cascade laser 1 is composed by using a laser element 10 of a semiconductor laminated body having a cascade structure of m1 stages, in which a quantum-well light-emitting layer and an implantation layer are alternately and vertically laminated, and including an active layer 20 for generating light by the transition between subbands in the quantum well structure. - 特許庁

量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。例文帳に追加

To achieve a mutual operation with TE mode light in addition to a mutual operation with light of a conventional TM mode; and to achieve high efficiency and high performance of devices since quantum well intersubband transition is applied to an infrared image sensor, a quantum cascade laser, and an ultra high-speed light modulation element. - 特許庁

サブバンド間遷移素子とシリコン細線によるハイブリット集積化において、シリコン細線との結合効率の向上、及び光路長増大による位相変調効果の増大を実現させ、光ゲートスイッチのＳＮ比改善と低エネルギー動作化等の高性能化を実現する。例文帳に追加

To realize, in hybrid circuit integration using inter-subband transition elements and a silicon wire, improvement of the efficiency of coupling with a silicon wire and an increase in phase modulation effect owing to elongation of the optical path, resulting in achievement of high performance features including an improved S/N ratio of optical gate switches and reduced energy consumption for operation. - 特許庁

ＧａＡｓ基板１０上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ活性層１１を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ１を構成する。例文帳に追加

A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure. - 特許庁

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。例文帳に追加

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands. - 特許庁

利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。例文帳に追加

The gain medium 4 comprises two or more quantum well layers 9 and 11 and a plurality of barrier layers 8, 10 and 12 for separating the respective quantum well layers, and is in a configuration based on a resonance tunnel diode wherein the transition of the carrier occurs through a photon assist tunnel between the subbands of the two or more quantum well layers 9 and 11 and the gain is generated. - 特許庁

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。例文帳に追加

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure. - 特許庁