「スラフ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition with which a pattern having excellent line width roughness(LWR) can be obtained. - 特許庁

優れたラインウィドゥスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物用の樹脂の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a resin for resist compositions capable of giving resist patterns having excellent line width roughness (LWR). - 特許庁

優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition which provides a pattern having an excellent line width roughness (LWR). - 特許庁

優れた解像度、ラインウィドゥスラフネス又はラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition that forms a pattern having good resolution, line width roughness, and line edge roughness. - 特許庁

優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a resist composition which can provide a resist pattern having excellent line width roughness. - 特許庁

感度、解像力、ラインウィズスラフネスに優れるレジストパターン形成方法およびそれに用いる現像液の提供。例文帳に追加

To provide a method for forming a resist pattern excellent in sensitivity, resolution and line width roughness, and to provide a developing solution used therefor. - 特許庁

俳優が自らの人生に起こった感情または反動を回想し、描写されている性格と一致させるためにそれらを利用するスタニスラフスキーによって導入された舞台の技術例文帳に追加

an acting technique introduced by Stanislavsky in which the actor recalls emotions or reactions from his or her own life and uses them to identify with the character being portrayed  - 日本語WordNet

オリゴ糖としては、ガラクトシルスクラロース、ガラクトシルラクトース、キシロトリオース、ケストース、ラフィノース、ゲンチトリオース、スタキオース、ゲンチオテトラオース、サイクロデキストリン、マルトシルトレハロースなどを用いることができる。例文帳に追加

As for oligosaccharide, galactosyl-sucralose, galactosyl-lactose, xylotriose, kestose, raffinose, gentitriose, stachyose, gentiotetraose, cyclodextrin, and maltosyltrehalose can be used. - 特許庁

プローブの固定化に使用するプローブ溶解液に、フルクトース、トレハロース、シュークロース、シクロデキストリン、ラクツロース、ラフィノース、ラクトース、キシリトール、マンニトール、イノシトール、またはキシロースのいずれか１または２以上を含有させる。例文帳に追加

This probe dissolving solution used for immobilization of probe contains at least one of fructose, trehalose, sucrose, cyclodextrin, lactulose, raffinose, lactose, xylitol, mannitol, inositol, and xylose. - 特許庁

ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能が良好であり、且つ塗布欠陥が抑制されたパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has good line width roughness (LWR) performance and forms a pattern with suppressed application defects, and to provide a pattern forming method using the same. - 特許庁

モールドの作成において、感度及び解像力に優れるとともに、ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能にも優れたパターンを形成可能な、モールドの作成に用いられる化学増幅型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a chemical amplification resist composition to be used for the preparation of a mold, capable of forming a pattern excellent not only in sensitivity and resolution, but also in the line width roughness (LWR) performance, in preparation of a mold. - 特許庁

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュードに優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness and exposure latitude, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same. - 特許庁

現像欠陥が低減され、かつ良好なラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）との両立を可能にしたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which achieves reduction in development defects and combines the reduction with lines with roughness (LWR), and to provide a pattern forming method. - 特許庁

マンノース、ガラクトース、マンニトール、ラクトース、ラフィノース、ラムノース、キシリトール、イノシトール、ジュランガムおよびキサンタンガムからなる群から選ばれた少なくとも１種を含んでなるシロアリ嗜好物と、シロアリに対して忌避性を有しない殺虫成分を含んでなるベイト剤が上記課題を解決した。例文帳に追加

The bait preparation comprises a favorite material for termites containing at least one kind selected from the group consisting of mannose, galactose, mannitol, lactose, raffinose, rhamnose, xylitol, inositol, gellan gum and xanthan gum, and an insecticide component having no repellency against termites. - 特許庁

ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin, and to provide a pattern forming method using it. - 特許庁

高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネスを同時に満足するパターンを形成することが可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法並びにレジスト膜の提供。例文帳に追加

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and a pattern forming method and a resist film using the same, which form a pattern satisfying high sensitivity, high resolution and favorable line width roughness at the same time. - 特許庁

ラインウィズスラフネス、デプスオブフォーカスの性能が改良され、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has improved performance of Line Width Roughness and Depth of Focus and also adapted to a liquid immersion process with a line width of ≤45 nm, and to provide a pattern forming method employing the same. - 特許庁

高感度、密集パターンおよび孤立ラインの高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、良好なブリッジマージン、孤立スペースの高解像性を同時に満足する感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that is satisfactory with respect to high sensitivity, high resolution of a dense pattern and an isolated line, sufficient exposure latitude, proper line width roughness, proper bridge margin and high resolution of isolated space, and to provide a method for forming a pattern using the composition. - 特許庁

高感度、高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、真空引き置き安定性（ＰＥＤ）を同時に満足するパターンを形成することが可能な感活性光線または感放射線樹脂組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, satisfactory exposure latitude, good line width roughness and post-exposure delay stability (PED), and to provide a pattern forming method using the composition. - 特許庁

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。例文帳に追加

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same. - 特許庁

活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、良好なラインウィズスラフネス、及び良好な疎密依存性を同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, satisfactory line width roughness and satisfactory density distribution dependency in microfabrication of a semiconductor element using actinic rays or radiation, particularly KrF excimer laser light, electron beams or EUV light, and a pattern forming method using the same. - 特許庁

耐凍剤として、エチレングリコール、グリセロール、及びジメチルスルホキシドからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を含み、更に糖類として、シュークロース、トレハロース、ラフィノース、ラクトース、フルクトース、ガラクトース、デキストラン、及びグルコースからなる群より選択される物質を含むことを特徴とする生物材料用ガラス化液。例文帳に追加

There is provided a liquid for vitrifying a biological specimen that includes at least one compound selected from the group consisting of ethylene glycol, glycerol and dimethyl sulfoxide and further includes a substance selected from the group consisting of sucrose, trehalose, raffinose, lactose, fructose, galactose, dextran and glucose. - 特許庁

本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。例文帳に追加

To provide a resist pattern forming method which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using a high energy beam, X-ray, electron beam or EUV light and satisfies high sensitivity, high resolution, good line width roughness and process margin at the same time, and a developer used for the method. - 特許庁

ラインウィズスラフネス、現像欠陥並びにパターン倒れが改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition enabling a pattern to be formed, the pattern having improved line width roughness, remedied development defects and pattern collapse and exhibiting good conformability to an immersion liquid in immersion exposure, and to provide a resist film and a pattern forming method using the composition. - 特許庁

現像欠陥、ラインウィズスラフネス、スカムの発生が抑制され、パターン形状に優れたパターンを形成することが可能で、更に液浸露光時の液浸液に対する追随性が良好であり、バブル欠陥抑制の諸性能も良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition capable of pattern formation that is improved in the pattern collapse, line edge roughness and scum occurrence, being free from any profile deterioration, and that exhibits appropriate following properties for the liquid for liquid immersion at the stage of liquid immersion exposure, while improving performance of reducing bubble defects, and to provide a method of forming a pattern with the use of the composition. - 特許庁

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を得ることを可能にしたポジ型感光性組成物及び該ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photosensitive composition that is used for processes of manufacturing semiconductors such as an IC, manufacturing circuit boards of liquid crystals, thermal heads or the like and for other photofabrication processes, and to provide a patterning method that uses the composition, wherein superior line width roughness (LWR) performance can be obtained. - 特許庁

超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインウィズスラフネスが良好なレジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたレジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To provide a resist composition that can be preferably used in an ultra-micro lithography process such as manufacture of an ultra LSI and a high-capacity microchip and the other photo-fabrication and is superior in line width roughness, and further in resolution and defocusing latitude in contact hole pattern formation and superior in exposure margin. - 特許庁

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。例文帳に追加

To provide a pattern forming method which is excellent in roughness performance such as line width roughness, local pattern dimension uniformity, and exposure latitude and capable of suppressing reduction in film thickness (so-called film reduction) at a pattern portion formed by development, and to provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition used in the method, and a resist film. - 特許庁

２５〜５５質量％の水；クロロシリコン生産副産物、直接法残留ゲル、セメントキルンダストおよびそれらの混合物からなる群から選ばれるアルカリ性材料；ならびにスクロース、ラフィノース、リグニン、メチルグルコピラノシド、ラクトース、フルクトース、ポリリン酸ナトリウム、トレハロースおよびそれらの混合物からなる群から選ばれる加工助剤を混合して流動性スラリーを形成することを含む流動性スラリーの製造方法。例文帳に追加

A process for preparing the flowable slurry comprises mixing 25-55 wt.% water; an alkaline material selected from the group consisting of chlorosilicon manufacturing byproducts, direct process residue gels, cement kiln dust and mixtures thereof; and a process aid selected from the group consisting of sucrose, raffinose, lignin, methylglucopyranoside, lactose, fructose, sodium polyphosphate, trechalose and mixtures thereof to form the flowable slurry. - 特許庁