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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 互層構造に関連した英語例文

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互層構造の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1020



例文

該ミラーは、Mo/Si交を含む多構造を含む。例文帳に追加

The mirror includes a multilayer structure including an Mo/Si alternation layer. - 特許庁

構造体は交に積された第1と第2とを含む。例文帳に追加

The multilayer structure includes first layers and second layers that are alternately stacked. - 特許庁

量子井戸構造は、上記井戸1と上記障壁2とを交に積した構造を有している。例文帳に追加

The quantum well structure has a structure of alternately laminated well layers 1 and barrier layers 2. - 特許庁

多孔質低誘電率の製造方法及び構造、相接続処理方法及び相接続構造例文帳に追加

METHOD AND STRUCTURE FOR MANUFACTURING POROUS LOW-PERMITTIVITY LAYER, INTERCONNECTION PROCESSING METHOD, AND INTERCONNECTION STRUCTURE - 特許庁

例文

接続構造および電子パッケージ例文帳に追加

MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE AND ELECTRONIC PACKAGE - 特許庁


例文

有機バリアを有する相接続構造例文帳に追加

MUTUAL CONNECTING STRUCTURE WITH ORGANIC BARRIER LAYER - 特許庁

集積回路モジュールの逆交構造例文帳に追加

INVERSELY ALTERNATE STACKED STRUCTURE OF INTEGRATED CIRCUIT MODULE - 特許庁

接続構造体、半導体構造体および相接続構造体の形成方法(相接続用途のための耐酸化性シードの形成)例文帳に追加

INTERCONNECT STRUCTURE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURE (FORMATION OF OXIDATION-RESISTANT SEED LAYER FOR INTERCONNECT USAGE) - 特許庁

このシートと線材とを交に積し、多構造にする。例文帳に追加

The sheet and the wire are alternately laminated and a multilayer structure is attained. - 特許庁

例文

ヴィアめっき方法、ヴィアめっき構造部製造方法、及び多接続構造例文帳に追加

VIA PLATING METHOD, PRODUCTION OF VIA PLATING STRUCTURE AND MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE - 特許庁

例文

液晶ポリマー誘電体を使用する多接続構造例文帳に追加

MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE USING LIQUID CRYSTAL POLYMER DIELECTRICS - 特許庁

デュアルダマシン半導体製造のためのマスク及び相接続構造例文帳に追加

MASK LAYER AND INTERCONNECTION STRUCTURE FOR MANUFACTURING DUAL DAMASCENE SEMICONDUCTOR - 特許庁

誘電体(220)が、相接続構造(210)に隣接配置される。例文帳に追加

A dielectric layer 220 is positioned adjacent to the interconnection structure 210. - 特許庁

半導体装置のマスクおよび二重ダマシーン相接続構造例文帳に追加

MASK LAYER AND DOUBLE DAMASCENE INTERCONNECTING STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

金属キャップを有する相接続構造体及びその製造方法例文帳に追加

INTERCONNECT STRUCTURE WITH BI-LAYER METAL CAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME - 特許庁

半導体装置のマスクおよび二重ダマシーン相接続構造例文帳に追加

MASK LAYER AND DUAL DAMASCENE INTERCONNECT STRUCTURE IN SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

いに積可能となる構造を備えた扁平タイプのコイルを得る。例文帳に追加

To obtain a flat-type coil having a structure enabling coils to be mutually laminated. - 特許庁

このシステムは、階構造を有する相接続ネットワークも有する。例文帳に追加

The system has a mutual connection network having a hierarchical structure. - 特許庁

シリコンナノワイヤーはp型とn型とが交に積された構造を有する。例文帳に追加

The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers. - 特許庁

体2は、内部電極5〜8が誘電体9を介して交に積されてなる構造である。例文帳に追加

The laminate 2 has such a structure as internal electrodes 5-8 are laminated alternately through a dielectric layer 9. - 特許庁

2つの周期構造体は、それぞれ液晶と高分子とからなる多構造を有し、その周期間隔はいに異なる。例文帳に追加

Each of the two periodic structures has multi-structure consisting of liquid crystal layers and polymer layers and their periodic intervals are different from each other. - 特許庁

例えば水平相接続要素はクラック止めに対応する構造を有し、相接続間のバイアもクラック止めに対応する構造を有する。例文帳に追加

For example, a horizontal interconnection element has a structure corresponding to the crack stopper, and a via between interconnection layers also has a structure corresponding to the crack stopper. - 特許庁

この半導体素子1は、Si基板1の側に、少なくとも第1の4と第2の5とを交に積した第1多構造2と、第1多構造2の上に、少なくとも第3の6と第4の7とを交に積した第2多構造3と、を有している。例文帳に追加

The semiconductor element 1 has a first multilayered film structure 2, in which at least a first layer 4 and a second layer 5 are alternately laminated on the side of the Si substrate 1, and a second multilayer film structure 3, in which at least a third layer 6 and a fourth layer 7 are alternately laminated on the first multilayer film structure 2. - 特許庁

LCP誘電体による多接続構造およびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer interconnection structure using a LCP dielectric layer and a method for forming the structure. - 特許庁

半導体ウェーハの相接続構造に対するバリア及びバリアを堆積するための方法。例文帳に追加

BARRIER LAYER FOR SEMICONDUCTOR WAFER INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHOD OF DEPOSITING BARRIER LAYER - 特許庁

構造体は交に反復的に積されたゲートパターン及び絶縁パターンを含む。例文帳に追加

The laminate structure includes a gate pattern and an insulation pattern laminated alternately and iteratively. - 特許庁

磁気ヘッドはまた、下部コイルを上部コイルへ接続する垂直相接続構造も含む。例文帳に追加

In addition, the magnetic head also includes a vertical mutual connection structure that connects the lower coil layer to the upper coil layer. - 特許庁

重なるいに異なるポリマーを含む積構造の光学フィルムをつくる。例文帳に追加

To manufacture an optical film having a laminated structure wherein laminated layers contain polymers different from each other. - 特許庁

は、いに異なる金属材料から構成された多構造になっていることが好適である。例文帳に追加

Preferably, the layer has a multi-layered structure composed of different metal materials. - 特許庁

構造のフレキシブルプリント基板(多FPC)1は、各FPC4a1〜4d1をいに非結合状態で重ね合わせた構造からなる。例文帳に追加

A flexible printed circuit board (multilayer FPC) 1 of a multilayer structure is constituted of a structure wherein FPCs 4a1 to 4d1 are laminated mutually in a non-connection state. - 特許庁

鋳型内交法を用いて、簡便に中空シリンダー構造の蛋白質積構造体(蛋白質ナノチューブ)を提供する。例文帳に追加

To easily provide a protein layered structure (protein nanotube) with a hollow cylinder structure by using an in-template, alternate layer-by-layer deposition method. - 特許庁

中空積構造体100は、所定の順序で積したときのみいに嵌合する穴部と突起部からなる嵌め込み構造Aを有する。例文帳に追加

A hollow laminated structure 100 has a fitting structure A including holes and projections to be fit with each other only when stacking is performed at a predetermined order. - 特許庁

端面近傍に半導体積構造の各の構成元素を相拡散した窓構造32が形成されている。例文帳に追加

A window structure 32 in which the constituent element of each layer of the semiconductor lamination structure is mutually diffused is formed in the vicinity of an end surface. - 特許庁

この相接続構造部は、チタン下14とチタン上20を含み、この2つのチタンは、その清浄さにおいておいに異なる。例文帳に追加

An interconnection structure part includes titanium lower and upper layers 14 and 20, and the two titanium layers differ from each other in cleanliness. - 特許庁

通常、複数のベントナイト混合土と複数のアスファルト混入が交に重なって互層構造をなす。例文帳に追加

Usually, the plurality of bentonite-soil mixture layers and the plurality of asphalt inclusion layers overlap alternately on each other to constitute an alternation-of-strata structure. - 特許庁

配線基板10は、樹脂絶縁21〜27及び導体28を交に積して多化した積構造体30を有する。例文帳に追加

A multilayer wiring board 10 has a laminate structure 30 where resin insulation layers 21-27 and conductor layers 28 are laminated alternately. - 特許庁

本発明の多配線基板11は、導体51及び樹脂絶縁43〜46を交に積して多化した積構造体40を有する。例文帳に追加

The multilayer wiring substrate 11 has a laminated structure 40 composed of conductor layers 51 and resin insulating layers 43 to 46 stacked alternately. - 特許庁

エネルギー変換は、複数の第1のと複数の第2のとを有し、第1のと第2のとが交に積された構造を有する。例文帳に追加

The energy conversion layer includes plural first layers and plural second layers and has a structure in which the first layers and the second layers are stacked alternately. - 特許庁

また、誘電体内に形成された相接続構造部、相接続構造部の頂部に形成された2金属キャップ、及び、2金属キャップを覆って形成された誘電体キャップを有する相接続構造体を含む。例文帳に追加

The interconnect structure comprises: an interconnect structure portion formed in the dielectric layer: a bi-layer metallic cap formed on the top portion of the interconnect structure portion; and a dielectric capping layer formed on the bi-layer metallic cap. - 特許庁

スキンとしての多孔質ガラス及び支持としての多孔質ガラスの2構造からなる多孔質ガラスであって、各の平均孔径がいに異なることを特徴とする2構造多孔質ガラス膜。例文帳に追加

The double layer structure porous glass membrane has a porous glass layer comprising a double layer structure of a porous glass layer as a skin layer and a porous glass layer as a supporting layer, wherein, the average pore sizes of each layer are different from each other. - 特許庁

固体及び気体誘電体の組み合わせによって離間された相接続した導電性配線及びビアを含む多接続構造を形成する方法、及び、空隙を含む複数レベルの相接続構造(空隙を含む多接続構造及びその製造方法)例文帳に追加

METHOD OF FORMING MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE INCLUDING INTERCONNECTED CONDUCTIVE WIRING AND VIAS SPACED APART BY COMBINATION OF SOLID AND GASEOUS DIELECTRIC, AND MULTILEVEL INTERCONNECT STRUCTURE CONTAINING AIR-GAPS (MULTILAYER INTERCONNECT STRUCTURE CONTAINING AIR GAPS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME) - 特許庁

スペーサ17は、例えば金属と、低バンドギャップ絶縁もしくは半導体とが交に形成された多構造を有する。例文帳に追加

The spacer layer 17 has a multilayer structure formed by alternately forming, for example, a metal layer and a low-band gap insulating layer or a semiconductor layer. - 特許庁

該発光部1は、p型クラッド8、活性4及びn型クラッド7がいに積されたダブルヘテロ構造を有する。例文帳に追加

The section 1 has the double heterostructure, constituted by laminating a p-type clad layer 8, the active layer 4, and an n-type clad layer 7 on another. - 特許庁

基板上で積構造をなし且つ相間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積構造の上に凹凸が殆ど生じないように相に接続する。例文帳に追加

To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference. - 特許庁

反射13はいに屈折率の異なる2種の物質の交よりなる多重構造でできている。例文帳に追加

The reflection layer 13 is formed into a multi- layered structure composed of alternate layers of two kinds of substances having refraction indexes different from each other. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板103と、半導体基板上に交に設けられた第1配線および第1絶縁を含む第1配線構造と、第1配線構造上に交に設けられた第2配線および第2絶縁を含む第2配線構造とを含む。例文帳に追加

The semiconductor element includes a semiconductor substrate 103, a first wiring-structure layer including a first wiring and a first insulating layer alternately formed on the semiconductor substrate, and a second wiring-structure layer including second wiring and a second insulating layer alternately formed on the first wiring-structure layer. - 特許庁

インクジェットヘッド1は、同一構造のインクジェットヘッド・チップ2、3を相に背中合わせで貼り合わせた積構造となっている。例文帳に追加

An ink-jet head 1 has a layer structure in which ink-jet head chips 2 and 3 of the same structure are bonded back to back. - 特許庁

基板表部に構造性複屈折をもつ複数のサブ波長構造体領域がいに隣接して配置されている。例文帳に追加

A plurality of sub-wavelength structure areas having structural birefringence are disposed adjacent to one another on a substrate surface layer part. - 特許庁

二つの構造体2、3の上寄りの区間を少なくともいずれか一方の構造体2(3)の水平部材4を介していに連結する。例文帳に追加

The section close to the upper layer between the two structural bodies 2, 3 are connected with each other through a horizontal member 4 of at least one of the structural bodies 2 (3). - 特許庁

例文

さらに、ベルト構造24は、ラジアルプライ構造12に直接隣り合う、いに平行な複数のコードからなる環状の28を有している。例文帳に追加

In addition, the belt structure 24 an annular layer 28 consisting of a plurality of cords parallel to each other and directly adjacent to the radial ply structure 12. - 特許庁

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