「互層構造」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体ウェハの基板上に形成された食刻相互接続構造（damascene）を有する半導体デバイスで使用される本発明のキャパシタは、食刻相互接続構造の一部を含む第１キャパシタ電極１６４と、食刻相互接続構造の上に形成され、パッシベーション層として機能する絶縁層１６６と、絶縁層の少なくとも一部の上に形成された導電層を含む第２キャパシタ電極１６８とを有する。例文帳に追加

The capacitor used in a semiconductor device having a damascene interconnect structure formed on a substrate of a semiconductor wafer has a first capacitor electrode 164 comprising a part of the damascene interconnect structure, and a second capacitor electrode 168 comprising an insulating layer 166 formed on the damascene interconnect structure and functioning as a passivation layer and a conducting layer formed on at least a part of the insulating layer. - 特許庁

一対の鍔部１６の相互に対向する側の対向面１６Ａに、内側壁絶縁用プリプレグテープ２４が加熱硬化されて形成された絶縁層３４が配置され、これら絶縁層３２と絶縁層３４との間が相互に連結した構造になっている。例文帳に追加

The insulating layer 34 formed by heating and hardening an inner wall insulating prepreg tape 24 is disposed in opposing surfaces 16A in mutually facing sides of a pair of brim parts 16, thus realizing mutual connection between the insulating layer 32 and the insulating layer 34. - 特許庁

液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板は、複数の層間絶縁膜と複数の導電層とが交互に積層された積層膜構造と、前記最上層の層間絶縁膜上に配置された複数の画素電極を有する画素領域を含む。例文帳に追加

An active matrix substrate for use in liquid crystal displays comprises a lamination structure in which a plurality of interlayer insulating films and a plurality of conductive layers are alternately stacked and a pixel region having a plurality of pixel electrodes arranged over a top layer of the interlayer insulating films. - 特許庁

金属板等の剛性を有する硬質板とゴム層とが交互に積層せしめられてなる積層体構造の免震ゴム積層体において、かかるゴム層を与えるゴム組成物の加工性を確保しつつ、弾性特性の温度依存性の改善を図り、更に、より一層の高減衰特性を実現すること。例文帳に追加

To improve temperature dependence of elastic property and high attenuation property while securing processability of a rubber composition for forming a rubber layer, in a base-isolation rubber laminate having a laminated structure formed by laminating a rigid plate having rigidity such as a metal plate and the rubber layer alternately. - 特許庁

高反射電極層６は、ＩＴＯからなる高導電層上に、ＳｉＯ_2 からなる低屈折率層とＮｂ_2 Ｏ_5 からなる高屈折率層とを交互に積層した多層構造を有し、反射率が高くかつ吸収率が低くなるように構成されている。例文帳に追加

The high reflection electrode layer 6 has a multilayer structure wherein a low refractive index layer consisting of SiO2 and a high refractive index layer consisting of Nb2O5 are alternately laminated on a highly electric conducting layer consisting of ITO, and this is constituted so that a reflectivity is made higher and an absorbance is made lower. - 特許庁

絶縁層６表面に形成されたビルドアップ面６ａ上に、第１電極２を形成する複数の電極層２ａ、２ｂ、２ｃと第２電極３を形成する複数の電極層３ａ、３ｂ、３ｃとが誘電体層４を介して交互に積層して多層構造を形成する。例文帳に追加

A multi-layer structure in which a plurality of electrode layers 2a, 2b and 2c forming a first electrode 2 and a plurality of electrode layers 3a, 3b and 3c forming a second electrode 3 are alternately laminated via a dielectric layer 4 is formed on a built-up face 6a formed on the surface of an insulating layer 6. - 特許庁

それぞれ０．３ｍｍ以上の厚さを持つ内側，中央，外側の３層のゴム層の間に、補強糸が互いに逆方向に１層スパイラル巻きされた第１補強層と第２補強層をそれぞれ形成した５層構造の冷媒輸送用ホース。例文帳に追加

The hose for refrigerant transportation has a five-layer structure, in which the first and second reinforcing layers are individually formed by spirally winding reinforcing threads in opposite directions to each other between the inside, middle and outside layers in a three-layer rubber lamination each of which has a thickness of 0.3 mm or more. - 特許庁

発光ダイオード１のｐ型クラッド層１５は、図２に示すように、活性層と接するノンドープのＡｌＧａＮ層１５１ａ上に、ｐ−ＩｎＧａＮ層１５２とＡｌＧａＮ層１５１が交互に５回繰り返し積層された超格子構造である。例文帳に追加

The p-type clad layer 15 of a light-emitting diode 1 has a superlattice structure, as shown in Fig.2, in which p-InGaN layers 152 and AlGaN layers 151 are alternately laminated five times on a non-doped AlGaN layer 151a in contact with the active layer. - 特許庁

ゴム状弾性層６と剛性層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震構造体に対して、高面圧下であってもゴム状弾性層６の局所破壊を出来る限り抑えると共に、積層部５に加わるひずみに関係なく水平バネ定数を略一定にする。例文帳に追加

To restrain the local destruction of a rubber shape elastic layer as much as possible, even under a high bearing pressure and make a horizontal spring constant to nearly constant, regardless of the strain applied to the piled part, in a base isolation structure having a piled part with a rubber shape elastic layer and rigid layer alternately piled in the vertical direction. - 特許庁

接合中間層３は、２層以上の単位中間層３１、３２からなる多層構造を有すると共に、少なくとも隣合う一組の単位中間層３１、３２同士は、互いの内側端部３１１、３２１をずらした状態で積層されている。例文帳に追加

The joint intermediate layer 3 has a multilayered structure composed of at least two unit intermediate layers 31 and 32 and at least one set of the adjacent unit intermediate layers 31 and 32 overlie each other with the mutual inside end parts 311 and 321 shifted. - 特許庁

メモリ部は、交互に積層された電極膜ＷＬと電極間絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬ、積層構造体を貫通する半導体ピラーＳＰ、電極膜ＷＬと半導体ピラーと間の記憶層４８、記憶層と半導体ピラーとの間の内側絶縁膜４２、電極膜と記憶層との間の外側絶縁膜４３、半導体ピラーに接続された第１配線Ｗ１、を有す。例文帳に追加

The memory unit includes: a multilayer structure ML including alternately stacked electrode films WL and interelectrode insulating films 14; a semiconductor pillar SP piercing the multilayer structure; a memory layer 48 between the electrode films WL and the semiconductor pillar; an internal insulating film 42 between the memory layer and the semiconductor pillar; an external insulating film 43 between the electrode films and the memory layer; and a first wire W1 connected to the semiconductor pillar. - 特許庁

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。例文帳に追加

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses. - 特許庁

燃料電池モジュール２０は、複数のアノードと複数のカソードとが、固体電解質を介して交互に積層されて一体化された複数のＳＯＦＣ１と、複数のＳＯＦＣ１を、相互の位置関係を互いに変更できるように支持する支持構造体２０Ｓと、を含む。例文帳に追加

A fuel cell module 20 includes: a plurality of SOFCs 1 integrated by alternately laminating a plurality of anodes and a plurality of cathodes via a solid electrolyte; and a support structure 20S to support the plurality of SOFCs 1 so as to be able to mutually change a mutual positional relationship. - 特許庁

各々のサブモジュールは、上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、該上面に結合されて部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する、少なくとも１つの相互接続層を有する第１の相互接続構造物とを含んでいる。例文帳に追加

Additionally, a patterned metallic layer 74 is formed on a dielectric cap layer 70 and at the inside of a through hole 72 to complete the interconnection structure. - 特許庁

高分子液晶層４の、第１の凹凸構造４ａが形成された面には、互いに平行に配置された複数のストライプ溝２２からなる第２の凹凸構造がさらに形成されており、高分子液晶層４の液晶分子は、当該第２の凹凸構造の溝長手方向（ストライプ溝２２の長手方向）に沿って配向されている。例文帳に追加

A second concave-convex structure made up of a plurality of stripe grooves 22 disposed parallel to each other is further formed on the face of the polymer liquid crystal layer 4 on which the first concave-convex structure 4a is formed, and liquid crystal molecules in the polymer liquid crystal layer 4 are oriented in the groove lengthwise direction (the lengthwise direction of the stripe grooves 22) of the second concave-convex structure. - 特許庁

積層セラミックコンデンサ１は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体セラミックス３を介して内部電極４が交互に積み重ねられているセラミック積層体２に一対の外部電極５が形成された構造を有する。例文帳に追加

The multilayer ceramic capacitor 1 has a structure such that a pair of external electrodes 5 are formed on a ceramic laminate 2 including internal electrodes 4 laminated alternately through a dielectric ceramic 3 constituted principally of titanic acid barium. - 特許庁

第１磁性層２３ａを構成する原子と非磁性金属層２２を構成する原子は互いに重なり合いつつも、それぞれの結晶構造に歪みが生じる。例文帳に追加

While an atom that constitutes the primary magnetic layer 23a and an atom that constitutes the non-magnetic metallic layer 22 overlap each other, distortion is caused in the respective crystal structures of those atoms. - 特許庁

そして、多層構造水素吸蔵体において、互いに接する水素吸蔵材料を、水素の吸蔵・放出に伴って生じるひずみの程度が異なるように積層する。例文帳に追加

Then, in the multi-ply structured hydrogen storage body, hydrogen storage materials contacted with each other are laminated so that degrees of strains generated following storage and emission of hydrogen are varied. - 特許庁

複数の共振器１１０は、半導体層と、半導体層上に形成されたオーミック電極とを含み、オーミック電極が互いに分離構造を介して分離された状態で配置されている。例文帳に追加

The plurality of resonators 110 include a semiconductor layer and an ohmic electrode formed on the semiconductor layer and are arranged in the state that the ohmic electrodes are separated from each other through a separation structure. - 特許庁

サブマウント基板１０は、その主面と平行な一方向に内部電極層１１と絶縁層１２とが交互に配置されたサンドイッチ構造を有している。例文帳に追加

The submount substrate 10 has a sandwich structure where an internal electrode layer 11 and an insulation layer 12 are arranged alternately in one direction parallel with the main surface of the submount substrate. - 特許庁

配列構造体４の第２層以後のπ電子共役系分子１の積層方向は、略円盤状の中心骨格部２間のπ-π相互作用によって制御される。例文帳に追加

The stacking direction of the π electron conjugated molecules 1 after the second layer of the array structure 4 is controlled by π-π interaction between the nearly discoidal frame parts 2. - 特許庁

単層のポリシリコン層を有する断面構造を有する不揮発性半導体記憶素子は、互いに絶縁分離されるメモリセル部ａ、データ消去部ｂ、及びコントロールゲート部ｃを含む。例文帳に追加

The nonvolatile semiconductor storage element having a sectional structure having a polysilicon layer as a single layer contains mutually insulated and isolated memory cell section (a), data erasing section (b) and control gate section (c). - 特許庁

上部低誘電率（low-k)誘電体層とその下に存在する拡散障壁キャップ誘電体層との間の接着性を改善する相互接続構造体を実現する。例文帳に追加

To realize an interconnection structure that improves the adhesion between an upper low-k dielectric layer and a diffusion barrier cap dielectric layer existing therebeneath. - 特許庁

基材の表面に形成された不規則な凹凸上に、異種材料の膜が交互に積層された多層膜を設けてなることを特徴とする摺動用構造部材及びその製造方法。例文帳に追加

The structural member for sliding and the method for manufacturing the structural member for sliding are charcterized in that a multilayer film made by alternately laminating films of different types of material is formed on irregular unevenness formed on the face of a base material. - 特許庁

Ｎ型ＧａＮ系層１４はＧａＮとＡｌＧａＮを交互に積層した超格子構造とし、ＧａＮにＳｉとＩｎをドープし、ＡｌＧａＮにＩｎをドープして発光効率を向上させる。例文帳に追加

The layer 14 is constituted in a superlattice structure by alternately laminating GaN and AlGaN upon another, and the luminous efficiency of the light emitting element is improved by doping the GaN with Si and In and AlGaN with In. - 特許庁

これにより、下地層のハニカム構造を反映させた磁性層の形成ができるため、磁性粒子径及びその分布を制御し、磁性粒子間の磁気的相互作用を減らすことができる。例文帳に追加

Since the magnetic layer in which the honeycomb structure of the substrate layer is reflected can be formed thereby, magnetic particle size and its distribution can be controlled and magnetic interaction between magnetic particles can be reduced. - 特許庁

空気入りタイヤ１のバイアス構造のカーカス２０を、タイヤ周方向に対して互いに逆方向に傾斜したポリエチレンナフタレートコードが配置された２層のカーカス層２１、２２により形成する。例文帳に追加

A carcass 20 of a bias structure of the pneumatic tire 1 is formed by carcass layers 21, 22 of two layers in which polyethylene naphthalate cords inclined in an opposite direction to a tire circumferential direction are arranged. - 特許庁

集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for removing etching residues from ≥1 opening part formed in ≥1 one layer of small relative permittivity insulating materials on the copper metal interconnecting layer of the integrated circuit structure. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタおよび集積回路構造に用いることができる高誘電体材料および挿入材料の交互の層を有する多層誘電体スタックを提供すること。例文帳に追加

To provide a multilayered dielectric stack having alternate layers of high-dielectric material and insertion material, which can be used in MOS transistor and an integrated circuit structure. - 特許庁

空気入りタイヤ１のバイアス構造のカーカス２０を、タイヤ周方向に対して互いに逆方向に傾斜したポリエチレンナフタレートコードが配置された２層のカーカス層により形成する。例文帳に追加

A carcass 20 of a bias structure of the pneumatic tire 1 is formed by the carcass layer of two layers in which polyethylene naphthalate cords inclined in an opposite direction to each other relative to a tire circumferential direction are arranged. - 特許庁

二酸化チタン膜と例えば酸化シリコン膜とを交互に積層した積層構造に真空中にて所定の熱処理を施すことにより、経時的に光学特性を安定化させることが可能な光フィルタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing optical filter, capable of stabilizing optical characteristics with time by subjecting a laminate structure made by alternately laminating a titanium dioxide film and, for example, a silicon oxide film to prescribed heat treatment in vacuum. - 特許庁

そして、積層体１は、セパレータ１４によって挟み込まれたセパレータ１３および正極１１と、負極１２とを交互に積層した構造からなる。例文帳に追加

The laminate 1 has a structure alternately laminated with the separator 13 and the positive electrode 11 sandwiched in the separator 14, and the negative electrode 12. - 特許庁

絶縁層１８の厚さ方向に延びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層１８の面方向に互いに離間して配置される。例文帳に追加

A plurality of electrode structures 15 extended in thickness directions of the insulating layer 18 are arranged at a distance from one another in planar directions of the insulating layer 18 according to patterns corresponding to electrodes to be inspected of a target wafer. - 特許庁

半導体素子と、ＣｕまたはＮｉ電極がＣｕで構成された接合層を介して接続され、前記Ｃｕ接合層と前記ＣｕまたはＮｉ電極とが相互拡散接合している構造を備えた半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with structure in which a semiconductor element is connected to a Cu or Ni electrode through a junction layer composed of Cu and the Cu junction layer and the Cu or a Ni electrode are joined to each other by diffused junction. - 特許庁

保護ハードマスクは、最終製品を製造する際に、バイア開口および／またはラインのような相互接続構造が、低誘電率材料間に形成されるときに特に有効な１層または２層の犠牲的ハードマスクを備える。例文帳に追加

This protection hard mask has a one- or two-layer sacrificial hard mask that is especially effective, when interconnection structure such as a via opening and/or a line is formed between low-permittivity materials, while a final product is manufacture. - 特許庁

そして、壁１０上に、ネット２から成るネット層と、前記連結式連結式表装材１を相互に連結させて成る表装材層とを有する壁面構造を形成した。例文帳に追加

A wall surface structure having a net layer formed by a net 2 and a facing material layer formed by connecting the connection type facing materials 1 to each other is formed on a wall 10. - 特許庁

製作の際には、ＶＬＳＩ技術を使用してマイクロマシン層を別々に形成し、その後でスタックの形で選択された配列で互いに積層して機械構造を画定する。例文帳に追加

In the case of manufacture, VLSI technique is used, the micro-machine layer is formed separately thereafter stacked on each other in an arrangement by a form of the stack, the machine structure is demarcated. - 特許庁

低Ｋ誘電体材料を使用したダマシンタイプの相互接続構造において、バリヤー層が低Ｋ誘電体層内に浸透することによる電気的短絡を防止する。例文帳に追加

To prevent electric short-circuiting due to penetration of a barrier layer into a low K dielectric layer in an interconnection structure of damascene type adopting a low K dielectric material. - 特許庁

加熱圧着装置を用いて複数組の金属箔／樹脂フィルム／金属箔の構造の長尺状積層体を同時、かつ連続的に製造する場合に、隣接する組の積層体が互いに局所的な貼り付きを起こさないようにさせる。例文帳に追加

To prevent adjacent sets of laminated bodies from locally sticking to each other when a plurality of sets of long laminated bodies of metal foil/resin film/metal foil structures are simultaneously and continuously manufactured by a heating pressing apparatus. - 特許庁

材料が互いに異なる複数の量子ドットを積層することにより積層体が構成されているため、所望のエネルギーバンド構造を得ることができる。例文帳に追加

The laminate is constituted of a plurality of quantum dots whose materials are different from each other, and which are laminated whereby the desired energy band structure can be obtained. - 特許庁

内部および外部の層の磁化率は互いに符号が反対であり、各層の厚みは複合構造がその周囲（真空又は支持材料）の磁化率と等しい実効磁化率を持つように選ばれる。例文帳に追加

Magnetic susceptibilities of the inside and outside layers have mutually reverse signs, and the thickness of each layer is selected, so that the composite structure has effective magnetic susceptibility equal to the magnetic susceptibility of its periphery (vacuum or support material). - 特許庁

加熱圧着装置を用いて複数組の金属箔／樹脂フィルムの構造の長尺状積層体を同時、かつ連続的に製造する場合に、隣接する組の積層体が互いに局所的な貼り付きを起こさないようにさせる。例文帳に追加

To prevent the mutual local sticking of adjacent sets of long laminates having a metal foil/resin film structure in the case where a plurality of sets of the long laminates are simultaneously and continuously manufactured using a thermocompression bonding device. - 特許庁

そして、Ｐ型コレクタ層４上にストライプ状に互いに離間して形成された、ＡｌとＳｉとのＡｌ合金からなるＡｌＳｉ電極７ａを含む積層構造の裏面電極７を備える。例文帳に追加

Further, the semiconductor device includes a back electrode 7 having a laminate structure including AlSi electrodes 7a which are formed apart from one another in stripes on the P-type collector layer 4 and are made of Al alloy of Al and Si. - 特許庁

スパイラル補強層相互の層間の薄肉化を図れ、ホースの構造体としての強度を高める上で極めて有利となり、しかも、耐熱性に優れる油圧ホースを提供すること。例文帳に追加

To provide a hydraulic hose which allows the interlayer thickness between spiral reinforcing layers to be thinned, and which is extremely advantageous in the enhancement of strength as a structure of a hose and excellent in heat resistance. - 特許庁

容量絶縁膜は、第１の金属酸化膜が密着層に接するように、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜を交互に積層した構造を備える。例文帳に追加

The capacitance insulating film has laminated films in which a first metal oxide film and a second metal oxide film are alternatively laminated so that the first metal oxide film contacts with the adhesive layer. - 特許庁