「互層構造」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

４つのマスク・フィルムを有するマスク層が、半導体装置の相互接続構造の製造で使用される。例文帳に追加

A mask layer having four mask films is used in the manufacturing of an interconnect structure of a semiconductor device. - 特許庁

燃料電池１００は、複数の膜電極接合体１０とセパレータ４０とが交互に積層されたいわゆるスタック構造を有している。例文帳に追加

The fuel cell 100 has a so-called stack structure in which a plurality of membrane electrode assemblies 10 and separators 40 are alternately laminated. - 特許庁

導通層には、基板の表面に沿った方向に互いに分離され、それぞれが結晶構造を有する複数の半導体薄膜が接合されている。例文帳に追加

A plurality of the semiconductor thin-films being mutually isolated in the direction along the surface of the substrate and having crystal structures respectively are joined with the conductive layers. - 特許庁

更に、（１１０）面を接着表層モデルとし、この接着界面に最安定化構造を有するアミンを接触させて相互作用を解析する。例文帳に追加

Further, with the (110) plane as an adhesive surface layer model, the mutual action is analyzed by bringing the amine having the most stable structure into contact with the adhesive interface. - 特許庁

その金属層１３は、複数の金属体１３Ａが互いに分離した状態で散在する金属体散在構造になっている。例文帳に追加

The metal layer 13 has a metal-object discretely arranged structure in which a plurality of metal objects 13A are mutually discretely arranged. - 特許庁

互いに同一形状をなす複数の扁平な枠体１５の積層構造を用いて外装ケース６を構成する。例文帳に追加

An outer case 6 is constituted with laminated structure of a plurality of flat frame bodies 15 having the same shape each other. - 特許庁

ＤＤＦは、階層化されて互いに関連づけられた一種のツリー様構造を形成する複数のオブジェクトによって構成される。例文帳に追加

The DDF includes a plurality of objects forming a kind of tree-like structure hierarchized and associated to each other. - 特許庁

この燃料電池１０は、薄板体１１と、薄板体１１を支持する支持部材１２とが交互に積層されたスタック構造を有する。例文帳に追加

The fuel cell 10 has a structure in which the sheet bodies 11 and the support members 12 to support the sheet bodies 11 are alternately laminated. - 特許庁

合わせガラス１０は、７枚の板ガラス２０と６枚のＰＶＢ樹脂３０を交互に積層した構造である。例文帳に追加

The laminated glass 10 has a structure wherein seven glass sheets 20 and six PVB resin layers 30 are alternately laid. - 特許庁

別の実施形態においては、互いに独立した複数個のプラスチックの中空体を外側層によって一体化構造とさせている。例文帳に追加

In another implementation form, mutually independent plastic hollow bodies are integrated by the outside layer. - 特許庁

先進グリッド構造体１の外周領域を構成するリブ２〜４の部位は、一方向材と制振材とを交互に積層して構成されている。例文帳に追加

The parts of the ribs 2-4 constituting the perimeter region of this grid structure 1 are configured so that pieces of unidirectional material and vibration controlling material are laid alternately one over another. - 特許庁

地盤免震構造は、アスファルト層である最下面層及び最上面層間に少なくとも一層のゴム層を含み、アスファルト層とゴム層が交互に積層された免震層と、前記免震層の周囲を囲繞して形成された周辺吸収ゴム層と、を含む。例文帳に追加

This ground base-isolated structure includes a base-isolating layer which has at least one rubber layer contained between the lowermost and uppermost surface layers as asphalt layers and in which the asphalt layers and the rubber layers are alternately superposed, and a peripheral absorbing rubber layer which is formed in such a shape as to surround the periphery of the base-isolating layer. - 特許庁

基板（４）表面にＭｏを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＭｏ／Ｓｉ多層膜（６）と、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層膜上にＲｕを主成分とする層とＳｉを主成分とする層を交互に周期的に成膜した構造を有するＲｕ／Ｓｉ多層膜（８）とを備える。例文帳に追加

The multilayer film reflection mirror is provided with: an Mo/Si multilayer film 6 having a structure in which a layer principally comprising Mo and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the surface of a substrate 4; and an Ru/Si multilayer film 8 having a structure in which a layer principally comprising Ru and a layer principally comprising Si are alternately and periodically formed on the Mo/Si multilayer film. - 特許庁

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。例文帳に追加

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity. - 特許庁

第一の金属層１０１と第二の金属層１０２の間に、強誘電体層A１０３と金属層B１０４とを交互に積層した超格子構造をはさんでキャパシタを構成する。例文帳に追加

A superlattice structure having alternately laminated ferroelectric layers A103 and metal layers B104 is sandwiched between a first and second metal layers 101, thereby constituting capacitors. - 特許庁

半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層４ｃ上に、障壁層４ａおよび井戸層４ｂが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。例文帳に追加

A light emitting layer of the semiconductor laser element has a multi-quantum well structure made up of a barrier layer 4a and a well layer 4b laminated alternately. - 特許庁

コアレス配線基板１０は、コア基板を有さず、導体層２６及び樹脂絶縁層２１〜２４を交互に積層して多層化した積層構造体２０を有する。例文帳に追加

A coreless wiring board 10 does not have a core substrate but includes a multilayer structure 20 obtained by laminating a conductor layer 26 and resin insulating layers 21-24 alternately. - 特許庁

バリア層の両面に互いに異なる樹脂からなる第１、第２樹脂層が接着剤によって接着されてなる多層樹脂構造体において、第１、第２樹脂層とバリア層との各接着強度を向上させる。例文帳に追加

To enhance the adhesive strength of first and second resin layers and a barrier layer in a multilayer resin structure constituted by bonding first and second resin layers comprising mutually different resins on both surfaces of a barrier layer by an adhesive. - 特許庁

圧電トランス４０は、複数の圧電体４１の層と内部電極４２の層とが交互に積層された積層構造を有する入力部と、単層の圧電体４３からなる出力部から構成される。例文帳に追加

A piezoelectric transformer 40 consists of an input section, having a structure in which plural layers of piezoelectric bodies 41 and plural layers of inner electrodes 42 are alternately laminated and an output section, consisting of a single layer of a piezoelectric body 43. - 特許庁

フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から硼素を含まないＮＢＣ層と、硼素を含有するＢＣ層とが交互に積層された複合構造を有する。例文帳に追加

The free layer 18 has a composite structure in which an NBC layer containing no boron and a BC layer containing boron are alternately laminated from the tunnel barrier layer 17. - 特許庁

第２積層構造体は、ＧａＮを含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。例文帳に追加

The second stacked structure includes a plurality of fifth layers including GaN and a plurality of sixth layers that are alternately stacked with the plurality of fifth layers and include GaInN. - 特許庁

第１積層構造体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。例文帳に追加

The first stacked structure includes a plurality of third layers including AlGaInN and a plurality of fourth layers that are alternately stacked with the plurality of the third layers and include GaInN. - 特許庁

ＩＧＢＴにおいて、ＭＯＳゲート構造が形成されたｎ^−高抵抗層２１の下にｎバッファ層２３が形成され、このｎバッファ層２３とｐ^＋ドレイン層との相互間にｎ^＋バッファ層３１が形成されている。例文帳に追加

In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer. - 特許庁

そして、プライマー層３、第一伝導層４、第一の電極４、電解質層６、第二の電極６、第二伝導層７は、カチオン性物質とアニオン性物質とが交互に積層した構造を有している。例文帳に追加

The primer layer 3, the first conductive layer 2, the first electrode 4, the electrolyte layer 5, the second electrode 6, and the second conductive layer 7 have structures alternately laminated by a cationic material and an anionic material. - 特許庁

下部多層ミラーは、第２の半導体が酸化された第１の層と、第３の半導体からなる第２の層とが交互に積層された積層構造を有する。例文帳に追加

The lower multilayered mirror has a laminate structure wherein a 1st layer formed by oxidizing a 2nd semiconductor and a 2nd layer made of a 3rd semiconductor are laminated by turns. - 特許庁

蓄積チャネル層１０４は、アンドープ層１０４ｂと、量子効果によるアンドープ層１０４ｂへのキャリアの浸みだしが可能なδドープ層１０４ａとを交互に積層した構造となっている。例文帳に追加

The layer 104 has a structure in which an undoped layer 104b and a δ dope layer 104a where the carriers can leach to the layer 104b by the quantum effect are alternately laminated. - 特許庁

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11. - 特許庁

この配線板１は、絶縁層Ｉ1 ，Ｉ2 と導体層Ｃ1 ，Ｃ2 とを交互に積層してなるビルドアップ層Ｂ1 を、リジッドなコア基板３，４間に挟み込んだ状態で接着した三層一体構造を有する配線板である。例文帳に追加

This wiring board has a three-layer integrate structure in which a built-up layer B1, which comprises insulation layers I1, I2 and conductive layers (C1, C2)are laminated alternately, are bonded in the state where they are interposed between rigid core boards 3, 4. - 特許庁

配線積層部３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びキャパシタ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。例文帳に追加

The wiring laminate part 31 has such construction as interlayer insulating layers 33 and 35 and a conductor layer 42 are alternately stacked on a core main surface 12 and a capacitor main surface 102. - 特許庁

該バリア層が、有機材料からなる有機層と、無機材料からなる無機層とを交互に積層した多層構造を有する態様、前記微粒子の平均粒径が０．５μｍ〜１０μｍである態様などが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the barrier layer has a multilayer structure formed by alternately laminating an organic layer comprising an organic material and an inorganic layer comprising an inorganic material, and that an average particle size of the fine particles is 0.5-10 μm, or the like. - 特許庁

高融点金属層２、４、６、８、および１０と希土類合金磁性層３、５、７、９、１１、および１２とを交互に積層し、４層以上の積層構造を基板上に形成する。例文帳に追加

A laminated structure of four or more layers is formed on a substrate by alternately laminating metallic layers 2, 4, 6, 8, and 10 having a high melting point and magnetic layers 3, 5, 7, 9, 11, and 12 composed of a rare-earth alloy upon another. - 特許庁

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11. - 特許庁

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11. - 特許庁

第１反射層３ａは、ｎ型ＡｌＩｎＰ層とｎ型ＧａＡｓ層とが交互に積層されたＤＢＲ構造を有し、両層の屈折率の差である第１屈折率差は、０．５７８である。例文帳に追加

The first reflection layer 3a has a DBR structure where an n-type AlInP layer and an n-type GaAs layer are laminated alternately, and a first refractive index difference that is a difference between refractive indexes in both layers is 0.578. - 特許庁

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

A buffer layer 12 of a composite layer structure, where a plurality of first layers 12a composed of AlN and second layers 12b composed of GaN are laminated on a substrate 11 composed of low-resistance silicon, is installed. - 特許庁

配線積層部３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びキャパシタ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。例文帳に追加

The wiring laminate 31 has interlayer insulating layers 33 and 35, and a conductor layer 42 laminated alternately on a core main surface 12 and a capacitor main surface 102. - 特許庁

再生層１３は、第１および第２材料層が交互に配された多層構造を有し、ランド部１およびグルーブ部２における第１材料層は、境界部３における第１材料層より薄い。例文帳に追加

The reproducing layer 13 has a multi-layer structure in which a 1st and 2nd material layers are alternately placed, and the 1st material layer in the land part and the groove part is thinner than the 1st material layer in the boundary part 3. - 特許庁

ＭＱＷ構造の活性層５は膜厚約３．５ｎｍのＩｎ_0.30Ｇａ_0.70Ｎから成る井戸層５１と膜厚約７ｎｍのＧａＮから成るバリア層５２とが交互に合計５層積層することにより形成されている。例文帳に追加

An MQW structure active layer 5 is formed by total lamination of five layers of a well layer 51 made of an In_0.30Ga_0.70N with a film thickness of about 3.5 nm and a barrier layer 52 made of a GaN with a film thickness of about 7 nm. - 特許庁

この基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。例文帳に追加

A buffer layer 12 of a combined layer structure, in which a plurality of first layers 12a made of AlN and a plurality of second layers 12b made of GaN are alternately stacked, is provided on the substrate 11. - 特許庁

複数のゴム状弾性層６と剛性層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震積層構造体に対して、座屈変位を大きくして、水平変位に関して使用可能範囲を出来る限り拡大する。例文帳に追加

To maximally expand a usable range on horizontal displacement by increasing buckling displacement to a base isolation laminated structure having a laminated part 5 for alternately laminating a plurality of rubber-like elastic layers 6 and rigid layers 7 in the vertical direction. - 特許庁

ビルドアップ層３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びチップ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。例文帳に追加

The build-up layer 31 has a structure that interlayer insulation layers 33 and 35 and a conductive layer 42 are alternately laminated on the core main surface 12 and the chip main surface 102. - 特許庁

第２半導体積層構造２０は、ｎ型低屈折率層２１および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層と、ｐ型高屈折率層２３および光吸収層２２をこの順に積層してなる一組の半導体層とを交互に積層して構成される。例文帳に追加

A second semiconductor laminate structure 20 is constituted by alternately laminating a set of semiconductor layers formed by laminating an n-type low refractive index layer 21 and a light absorption layer 22 in this order, and a set of semiconductor layers formed by laminating a p-type high refractive index layer 23 and the light absorption layer 22 in this order. - 特許庁

化学及び／又は物理吸着による消臭機能を有する消臭性繊維と多孔質層と緻密層が交互に配列した多層構造繊維であって、かつ、光触媒活性を有する金属酸化物微粒子が緻密層に含有されている光触媒活性を有する繊維とを含有する消臭繊維構造物。例文帳に追加

The deodorizing fiber structure comprises a deodorizing fiber having a deodorizing function by chemical and/or physical absorption and a multilayer structure fiber, in which a porous layer and a compact layer in which metal oxide fine particles having photocatalyst activity is contained are alternately arranged, having photocatalyst activity. - 特許庁

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。例文帳に追加

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4. - 特許庁

少なくとも２つのファブリ・ペロットキャビティー構造を含む第１部分と、該第１部分上に高、低屈折率のフィルム層を交互に積層した複数層の非４分の１波長フィルム層構造を含む第２部分とによってＣＷＤＭフィルタを構成する。例文帳に追加

The CWDM filter is composed of a first part containing at least two Fabry-Perot cavity structures and a second part containing a plurality of non-quarter wavelength film layer structures for which high and low refractive index film layers are alternately laminated on the first part. - 特許庁