「互層構造」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

本半導体レーザ装置３０は、それぞれの積層構造の材料が相互に異なり、ｐ側電極が同じ高さで、共通の基板上にモノリシック構造で形成された２個の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置であって、サブマウント基板上に装着されている。例文帳に追加

A semiconductor laser 30 is provided with two semiconductor laser elements which have laminated structures formed of different materials and p-side electrodes having the same height and are formed in a monolithic structure on a common substrate and the laser 30 is mounted on a sub-mount substrate. - 特許庁

熱影響構造を有する単結晶質サブミクロンダイヤモンド粒子の集合体から成る粉末であって、上記集合体の実質的に全ダイヤモンド粒子が、非ダイヤモンド構造のカーボン層を介して相互に分離されている、熱処理ダイヤモンド微粉。例文帳に追加

The heat-treated diamond fine powder is one comprising an aggregate of single crystal submicron diamond particles having heat affected structure, wherein the substantially whole diamond particles of the aggregate are separated from each other through a carbon layer having a non-diamond structure. - 特許庁

互いに非相溶の２種以上のポリマーブロックからなるブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーをミクロ相分離構造として有する記録層を備え、前記ミクロ相分離構造の一部の相に光重合性モノマーが含有されることを特徴とするホログラム型光記録媒体。例文帳に追加

A hologram type optical recording medium has a recording layer having as a micro phase separation structure a block copolymer or graft copolymer consisting of two or more kinds of incompatible polymer blocks and contains a photopolymerizable monomer in some phases of the micro phase separation structure. - 特許庁

偏光素子２０は、透明基板２１の一方の表面に複数の直線状の第１の凹部２２が互いに平行に形成された、第１の凹凸構造を有し、この第１の凹凸構造の表面には二酸化珪素から成る誘電体３０の層が形成されている。例文帳に追加

The polarizing element 20 has a first rugged structure having a plurality of first linear recesses 22 parallel to one another formed on one surface of a transparent substrate 21, and a layer of a dielectric material 30 consisting of silicon dioxide is formed on the first rugged structure. - 特許庁

基板をヒートシンクと電気的に接触させることによって逆交互接触積層構造を構成し、電子製品の高さが限定されている場合であっても、製品の機能を高めることができる高密度集積回路モジュール構造を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density integrated circuit module structure that enhances product's functions even when substrates and heat sinks are brought into electric contact to form a reversely-staggered contacting stack structure, and a height of an electronic product is limited. - 特許庁

この応力緩和層２００は、結合体からなって、その結合面として互いに対向する面が冷却器１００及び構造体３００の面方向への移動指向性を緩和可能な形状からなる多数の凹部及び凸部の凹凸嵌合構造として形成されている。例文帳に追加

The stress relaxation layer 200 is composed as a coupled body and formed as a concavity/convexity engagement structure of many concavities and convexities, surfaces opposed to each other as coupling surfaces being so shaped as to relax movement orientation toward surfaces of the cooler 100 and structure 300. - 特許庁

表面にパッドが複数形成され、パッド形成面側に露出する構造体が複数形成された半導体ウェハと、熱剥離層を介して、支持基板の一面上にパッドを露出させつつ構造体を保護するための保護キャップが互いに離間して複数固定されたシートを準備する。例文帳に追加

A semi-conductor wafer in which a plurality of pads are formed on its surface and a plurality of structural bodies exposed to a pad forming surface side are formed, and a sheet on which a plurality of protective caps to protect the structural bodies are separately fixed while the pads are exposed on one surface of a support substrate via a heat-peelable layer are prepared. - 特許庁

エアチャンバー２を送風装置１とフィルタ３とに対して分割構造とし、エアチャンバー２の構造を縦断面で台形形状としているので、嵩張るエアチャンバー２を互いに入り込む入れ子式に積層して積載効率を向上し、搬送・貯蔵することができる。例文帳に追加

The air chamber 2 is formed into a split structure in relation to the air fan device 1 and filter 3, and the structure of the air chamber 2 is formed in a trapezoidal shape in the vertical cross section, consequently bulky air chambers 2 are stacked in an insert type mutually inserting to improve the loading efficiency, allowing conveyance and storing. - 特許庁

複合構造（７４）は、複数の熱伝導性要素（７８）を交互に配置したバッキング材（７６）の複数の層を含んでおり、これら複数の熱伝導性要素（７８）は、トランスデューサの中心からバッキング材の複合構造（７４）の複数の点へ熱を伝達するように構成される。例文帳に追加

The composite structure (74) includes a plurality of layers of a backing material (76) alternatingly arranged with a plurality of thermal conductive elements (78), wherein the plurality of thermal conductive elements (78) are configured to transfer heat from a center of the transducer to a plurality of points on the composite structure (74) of the backing material. - 特許庁

これにより、透明支持体３１の主面に対して垂直な柱状構造を有する光学等方性薄膜と、透明支持体の主面に対して傾いた柱状構造を有する光学異方性薄膜とを、透明支持体３１上に交互に積層することができる。例文帳に追加

Thereby, an optically isotropic thin film having a columnar structure vertical to the principal surface of the transparent support 31 and an optically anisotropic thin film having a columnar structure inclined to the principal surface of the transparent support can be alternately laminated on the transparent support 31. - 特許庁

フィルム構造１０は、その厚みを両者間に規定する前面及び背面と、フィルム構造１０に分散して配置される複数の孔１２と、それらの孔１２を互いに分離する不透明ランド領域１４と、背面に近接する接着剤層とを備える。例文帳に追加

The film structure 10 has a front and a back which provide the thickness of the structure, a plurality of holes 12 which are arranged to be dispersed in the film structure 10, an opaque land area 14 for separating the holes 12 from each other, and an adhesive layer approaching the back. - 特許庁

フローリング等の内装仕上材の互いに隣接する端縁同士をホットメルト接着剤によって接合するための接合構造であって、一層効率的に内装仕上材を敷設することが出来る内装仕上材の接合構造を提供する。例文帳に追加

To provide a joining structure of an interior finishing material capable of further efficiently laying the interior finishing material, in a joining structure for joining mutually adjacent edges of the interior finishing material such as a flooring by a hot melt adhesive. - 特許庁

ゲート構造体Ｇｂが密に配置された第１領域におけるライナー膜２２ｂ及び層間絶縁膜２３に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第１の膜厚を有するライナー膜が残存する第１のコンタクトホール２８ｒを形成する。例文帳に追加

An area between gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film 22b and an interlayer insulating film 23 in the first area arranged densely with the gate structures Gb, to form the first contact hole 28r remaining with the liner film having the first film thickness in a bottom part. - 特許庁

次に、ゲート構造体が疎に配置された第２領域におけるライナー膜及び層間絶縁膜に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第２の膜厚を有するライナー膜が残存する第２のコンタクトホール３４ｒを形成する。例文帳に追加

Then, an area between the gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film and an interlayer insulating film in the second area arranged thinly with the gate structures Gb, to form the second contact hole 34r remaining with the liner film having the second film thickness in a bottom part. - 特許庁

多層構造部６は、基板１よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる量子ドット層２と基板１よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層３とを、この中間層３に生じる応力と量子ドット層２に生じる応力とが互いに相殺し合うように交互に積層して構成されている。例文帳に追加

The multilayer structure section 6 is constituted by alternately laminating the quantum dot layer 2 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant bigger than the substrate 1, and an intermediate layer 3 consisting of compound semiconductor materials with a lattice constant smaller than the substrate 1 so that the stress generated in the intermediate layer 3 and the stress generated in the quantum dot layer 2 cancel each other. - 特許庁

凹凸のついた少なくとも１つの主表面を有する、第一のポリマー成分を含む第一の層と、前記第一の層の前記主表面上に形成された、第二のポリマー成分を含む第二の層とを有し、前記第二のポリマー成分は、前記第一の層中に侵入し、前記第一のポリマー成分との間で相互侵入高分子網目構造又はセミ相互侵入高分子網目構造を形成している、高分子ゲル構造体。例文帳に追加

The polymer gel structure includes: a first layer having at least one main surface having irregularity and including a first polymer component; and a second layer formed on the main surface of the first layer and including a second polymer component, wherein the second polymer component invades into the first layer and forms the mutual invasion polymer network structure or semi-mutual invasion polymer network structure with the first polymer component. - 特許庁

集電基板、並びに、正極層と負極層と該正極層及び該負極層の間に配設される固体電解質層とを有する発電要素、を交互に複数積層した構造を含む積層体を作製する積層工程と、積層体を積層方向に加圧する加圧工程と、を有する電池の製造方法とする。例文帳に追加

The method for manufacturing a battery comprises: a lamination step of producing a laminate including a structure in which a plurality of collector substrates and a plurality of power generating elements each comprising a cathode layer, an anode layer, and a solid electrolyte layer disposed between the cathode layer and the anode layer are alternately laminated; and a pressurization step of pressurizing the laminate in a laminating direction. - 特許庁

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。例文帳に追加

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer. - 特許庁

互いに組成、或いは組成比の異なる、少なくともシリコンを含有する絶縁膜の積層構造に対し、酸素を含有する雰囲気において紫外線照射を行うことにより、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の接触界面を挟んで、第１の絶縁膜に第１の遷移層、第２の絶縁膜に第２の遷移層が形成されている膜積層構造を形成する。例文帳に追加

The stacking structure of the films is formed, in which a first transition layer in a first insulating film and a second transition layer in a second insulating film are formed interposing the contact interface between the first insulating film and the second insulating film by irradiating the stacking structure of the insulating films having mutually different compositions or composition ratios and containing at least silicon with ultraviolet rays under an atmosphere containing oxygen. - 特許庁

超音波プローブ２の超音波トランスデューサ１２は、圧電体３０ａ〜３０ｅと、表面、裏面電極３１、３２、および内部電極３３ａ〜３３ｄとが交互に積層された積層構造体３４と、積層構造体３４の対向する両側面３５ａ、３５ｂに形成された側面電極３６ａ、３６ｂとを有する積層型圧電素子からなる。例文帳に追加

An ultrasonic transducer 12 of the ultrasonic probe 2 is provided with the laminated piezoelectric element having piezoelectric bodies 30a to 30e, a laminated structure 34, where surface and back electrodes 31 and 32 and inner electrodes 33a to 33d are laminated alternately and side electrodes 36a and 36b formed on both confronted sides 35a and 35b of the laminated structure 34. - 特許庁

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。例文帳に追加

To provide a configuration capable of achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon. - 特許庁

触媒金属と触媒金属以外の材料とを交互に積層してなる積層物に対しその積層構造が露出するように切断を行い、該積層物の切断面上の触媒金属にカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法である。例文帳に追加

The carbon nanotube is produced by growing it on a catalyst metal existing on the cut face of a laminated material which is cut to expose a lamination structure of the laminated material which is alternately laminated with the catalyst metal and a material except the catalyst metal. - 特許庁

不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。例文帳に追加

The nonvolatile optical memory 10 includes a GaAs substrate 1, a distribution Bragg reflection layer 2 formed on the GaAs substrate 1 by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a semiconductor active layer 3 with a quantum well structure on the distribution Bragg reflection layer 2. - 特許庁

酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層に用いられる材料とソース電極層またはドレイン電極層に用いられる材料とが相互反応することを防ぐ構造を提供することを課題の一とする。例文帳に追加

To provide a structure in a thin-film transistor using an oxide semiconductor layer, in which a material used for the oxide semiconductor layer and a material used for a source or drain electrode layer are prevented from reacting with each other. - 特許庁

また、本発明による回路基板１０は、コア基板１とこの上に交互に形成した少なくとも一組の絶縁層２と配線層３とを含む多層構造の回路基板であって、絶縁層２のうちの少なくとも一つが本発明のエポキシ樹脂組成物から形成されている。例文帳に追加

A circuit board 10 is a circuit board of a multilayered structure comprising a core board 1 and at least one set of insulating layers 2 and wiring layers 3 alternately formed on the core board 1 and at least one of the insulating layers 2 is formed from the epoxy resin composition. - 特許庁

成分Ａと、該成分Ａと反応して発色させる成分Ｂと、成分Ａおよび成分Ｂを隔離する隔離層とを含み、かつ前記隔離層が、相互に異なるポリマー成分からなる少なくとも二層の多層構造に構成されている感熱記録材料である。例文帳に追加

This thermal recording material includes a component A, a component B for developing a color by reacting with the component A, and an isolating layer for isolating the components A and B from each other; and the isolating layer is constituted as a multilayer structure of at least two layers which is composed of polymer components different from each other. - 特許庁

液晶分子３１１を含む屈折率変化層３１０と、液晶性基を有する高分子液晶３２１を含む透光性層３２０とが交互に積層された積層体を含み、前記液晶性基は一方向に配向していることを特徴とする調光構造体。例文帳に追加

The light control structure comprises a layered body in which refractive index variable layers 310 containing liquid crystal molecules 311 and light-transmitting layers 320 containing a polymer liquid crystal 321 having a liquid crystal group are alternately layered, wherein the liquid crystal group is aligned in one direction. - 特許庁

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure. - 特許庁

また、本発明による回路基板１０は、コア基板１とこの上に交互に形成した少なくとも一組の絶縁層２と配線層３とを含む多層構造の回路基板であって、絶縁層２のうちの少なくとも一つが本発明のエポキシ樹脂組成物から形成されている。例文帳に追加

The circuit board 10 is a circuit board of a multilayered structure comprising a core board 1 and at least one set of insulating layers 2 and wiring layers 3 alternately formed on the core board 1 and at least one of the insulating layers 2 is formed from the epoxy resin composition. - 特許庁

偏光選択反射層１１は、互いに積層された複数の部分選択反射層１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有し、これらの各部分選択反射層１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、特定の偏光成分の光を選択的に反射するコレステリック液晶構造を有している。例文帳に追加

The polarized-light selective reflection layer 11 includes a plurality of partial selective reflection layers 11a, 11b and 11c that are laminated to one another, and the partial selective reflection layers have cholesteric liquid crystalline structures, owing to which they selectively reflect a specific polarized-light component. - 特許庁

積層型チップインダクタアレイ１は、磁性フェライト層２および内部電極３とが交互に積層された多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に内部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するように配置した外部電極６とから構成される。例文帳に追加

A laminated chip inductor array 1 is composed of chip bodies 5 of multilayered structure each composed of magnetic ferrite layers 2 and internal electrodes 3, which are alternately laminated and external electrodes 6 which are arranged so as to be electrically connected to the internal electrodes 3 located at each end of the chip bodies 5 through the intermediary of a leading electrode 4. - 特許庁

燃料電池のスタック構造１は互いに積層された複数のセル２からなるセル積層体３と、セル積層体３を挟むように配置された一対の端板４、４と、セル積層体３を取囲むように端板４、４間に張設された無端バンド５とを有する。例文帳に追加

The stack structure of the fuel cell has a cell laminated body 3 consisted of plural cells 2 mutually laminated, a pair of end plates 4, 4 arranged so as to pinch the cell laminated body 3, and an endless band 5 extendingly installed between the end plates 4, 4 so that the cell laminated body 3 is surrounded. - 特許庁

光透過層１１と光反射層１２の２層構造の情報記録媒体３上の光透過層に形成されたデータマーク４に、平面プローブ１の微小開口２にレーザ光８を照射することにより生成した近視野光５を相互作用させ、伝播光１４を生成する。例文帳に追加

Near visual field beams 5 being generated by applying a laser beam 8 to a small opening 2 of a flat probe 1 are allowed to interact with a data mark 4 being formed on a light transmission layer on an information storage medium 3 in double-layer structure of a light transmission layer 11 and a light reflection layer 12, thus generating propagation light 14. - 特許庁

ここで、最下層のＰｔ層の固相拡散前の膜厚（初期膜厚）を２ｎｍ以上５ｎｍ以下とし、ゲート電極を２５０℃以上４００℃以下の温度で熱処理することにより、最下層のＰｔと障壁層１７のＧａＡｓとを相互に拡散させ、埋め込み型ゲート構造を得る。例文帳に追加

A gate electrode with a lowermost Pt layer is formed on a barrier layer (nondoped AlGaAs) 17, the (initial) film thickness of the lowermost Pt layer before solid-phase diffusion is set to 2 to 5 nm, the gate electrode is heat treated at 250 to 400°C to mutually diffuse Pt in the lowermost layer and GaAs in the barrier layer 17, thereby obtaining a buried gate structure. - 特許庁

ｎ型ドリフト層２、バリア絶縁膜３、ｐ型ドリフト層４が交互に繰り返して配列された領域内に、ＭＯＳＦＥＴ構造を構成するｐ型ベース層５、ｎ型ソース層６、ゲート絶縁膜７およびゲート電極８を設ける。例文帳に追加

A p-type base layer 5, a n-type source layer 6, a gate insulating film 7, and a gate electrode 8 constituting a MOSFET structure are formed in the region, where n-type drift layers 2, barrier insulating films 3, and p-type drift layers 4 are arranged alternately and repeatedly. - 特許庁

本ナノ多層構造体（１０）は、その各々の厚さ（１６）がナノ尺度レベルである複数の金属合金層（１２）と、複数の金属合金層間に交互になった状態で配置された、その各々の厚さ（１６）がナノ尺度レベルである複数のセラミック酸化物層（１４）とを含む。例文帳に追加

The nano-multilayered structure (10) includes a plurality of metallic alloy layers (12) each of which has a nano-scale level thickness (16) and a plurality of ceramic oxide layers (14) each of which has a nano-scale level thickness (16) disposed between the plurality of metallic alloy layers in an alternating manner. - 特許庁

透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。例文帳に追加

Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31. - 特許庁

積層型チップインダクタアレイ１は、磁性フェライト層２および内部電極３とが交互に積層された多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に内部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するように配置した外部電極６とから構成される。例文帳に追加

A lamination type chip inductor array 1 consists of a chip body 5 of a multiplayer structure, wherein a magnetic ferrite layer 2 and an inner electrode 3 are laminated alternately, and an outer electrode 6 which is disposed at both ends of the chip body 5 to be electrically conductive via the inner electrode 3 and a lead-out electrode 4. - 特許庁

積層型チップインダクタアレイ１は、磁性フェライト層２および内部電極３とが交互に積層された多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に内部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するように配置した外部電極６とから構成される。例文帳に追加

A laminated chip inductor array 1 comprises a chip body 5 having a multilayerd structure in which a magnetic ferrite layer 2 and an internal electrode are laminated alternately, and an outer electrodes 6 arranged on both sides of the chip body 5 so as to be electrically conducted through the inner electrode 3 and an extraction electrode 4. - 特許庁

非導電性層（１３００）が非導電性要素の対向する両端に当接するように、各導電体要素は非導電性層上に配置された導電性層（１３０２）を有し、導電性層は、電気相互接続構造が対向する回路基板間に組み込まれる際に電気路を形成する。例文帳に追加

The respective electric conductor elements have a conductive layer 1302 arranged on an nonconductive layer so that the nonconductive layer 1300 abuts on both opposed ends of the nonconductive element, and the conductive layer forms an electric passage when the electric interconnection structure is incorporated between opposed circuit boards. - 特許庁

Ｌｉイオンを吸蔵・放出する金属または合金から成る活性層１と、Ｌｉイオンを吸蔵・放出しない金属または合金から成る集電層２とが、交互に積層されている積層構造体Ａ_0を基本単位として含むＬｉ二次電池用の負極材料。例文帳に追加

This is a negative electrode material for a Li secondary battery to include a laminated structural body A_0 as the basic unit wherein an active layer 1 composed of metal or an alloy to stare/release Li ions and a collecting layer 2 composed of metal or an alloy not to store/release Li ions are alternately laminated. - 特許庁

Agの反射層4 とAlのスペーサ層5 とを、金属の中間層6 を介して、交互に複数組積層して構成されて周期構造を有する人工格子3 を基板2 上に備え、入射Ｘ線14を回折して回折Ｘ線16を発生させるＸ線分光素子1 である。例文帳に追加

The X-ray spectral element 1 comprises an artificial grating 3, having a cyclic structure formed by alternately laminating plural sets of Ag reflecting layers 4 and Al spacer layers 5 via metal intermediate layers 6 on a substrate 2, whereby an incident X-ray 14 is diffracted to generate diffracted X-rays. - 特許庁

第１の階層群から第Ｍ（Ｍは２以上の整数）の階層群へと階層的構造を備えるデータベースを検索する際、端末装置には、第１の階層群の各々が相互に関連付けられて第１の多角形で表示された検索画面が表示される。例文帳に追加

In retrieving a database provided with hierarchical structure from a first hierarchy group to an Mth (M is an integer of 2 or more) hierarchy group, a retrieval screen wherein each of the first hierarchy group is mutually related and displayed as a first polygon, is displayed on a terminal unit. - 特許庁

同一平面の導電パターンが、互いに電気的に接続された一対の反対方向に巻かれた螺旋状のパターンを有し、且つ多層化され、絶縁層を介して隣接する導電層が、同じ向きから見た場合互いに反対方向に巻かれた螺旋状のパターンを有し、互いに電気的に接続されている構造とする。例文帳に追加

The antenna coil has a structure where conductive patterns on the same plane are provided with a mutually electrically connected pair of helical patterns wound in opposite directions and are made into multiple layers and conductive layers being adjacent via an insulating layer are provided with helical patterns which are mutually wound in the opposite directions when viewed from the same direction and are mutually electrically connected. - 特許庁

互いに格子定数の異なる犠牲層６と歪層７とが少なくとも１層ずつ積層されてなる半導体歪多層構造基板において、犠牲層６と歪層７とがフォトリソ技術によってパターニングされるとともに、犠牲層６が選択的エッチングによりエッチング除去され、残存する歪層６が変位することによりビームまたはチップが形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor distortion multi-layer structure substrate having at least one sacrificial layer 6 and at least one distortion layer 7 having different lattice constants laminated therein, the beam or chip is formed by patterning the sacrificial layer 6 and the distortion layer 7 by photolithography, and etching-removing the sacrificial layer 6 by selective etching, resulting in the displacement of the remaining distortion layer 6. - 特許庁