「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エポキシ樹脂組成物及び半導体封止材料例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL - 特許庁

エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

熱硬化性樹脂組成物及び半導体封止材料例文帳に追加

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR - 特許庁

半導体材料ＣｕＡｌＯ２の合成方法例文帳に追加

METHOD FOR SYNTHESIZING SEMICONDUCTOR MATERIAL CuAlO2 - 特許庁

材料層１５が半導体基板１０上に形成される。例文帳に追加

A material layer 15 is formed on a semiconductor substrate 10. - 特許庁

該組成物は半導体封止材料として有用である。例文帳に追加

The composition is useful as a semiconductor-sealing material. - 特許庁

バックルビームは半導体材料で形成される。例文帳に追加

The buckle beams are formed of the semiconductor material. - 特許庁

半導体材料から構成された基板を研磨する方法例文帳に追加

METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE COMPOSED OF SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING LOW RESISTANCE COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

半導体材料薄膜の成長法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR MATERIAL THIN FILM - 特許庁

歪み半導体材料から成る層の転移方法例文帳に追加

METHOD OF TRANSFERRING LAYER FORMED OF STRAINED SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

半導体材料の層を成長させる方法例文帳に追加

METHOD TO GROW LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIALS - 特許庁

低抵抗型化合物半導体材料を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIAL OF LOW-RESISTANCE-TYPE COMPOUNDS - 特許庁

半導体用構成材料の提供システム例文帳に追加

SYSTEM FOR PROVIDING SEMICONDUCTOR CONSTRUCTION MATERIAL - 特許庁

半導体ウェーハ上の導体材料、半導体材料及び絶縁材料を研磨するのに有用な水性組成物を得る。例文帳に追加

To obtain an aqueous composition useful for polishing conducting, semi-conducting, and dielectric materials on a semiconductor wafer. - 特許庁

絶縁膜形成材料及びその材料から形成した絶縁膜を含む半導体装置例文帳に追加

INSULATION FILM FORMING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING INSULATING FILM FORMED OF THE SAME - 特許庁

研磨加工用スラリー組成物、半導体基板、異硬度材料で構成される複合材料例文帳に追加

SLURRY COMPOSITION FOR POLISHING PROCESSING, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND COMPOSITE MATERIAL FORMED OF DIFFERENT HARDNESS MATERIAL - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING OF SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR APPARATUS - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料および半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR-SEALING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料、及び半導体装置例文帳に追加

FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICES - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料及び半導体装置例文帳に追加

FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導電性加硫ゴム用組成物および半導電性加硫ゴム材料例文帳に追加

COMPOSITION FOR SEMICONDUCTIVE VULCANIZED RUBBER AND SEMICONDUCTIVE VULCANIZED RUBBER MATERIAL - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料および半導体装置例文帳に追加

FLAME RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR SEALANT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

有機半導体ポリマー、有機半導体材料用組成物および光電池例文帳に追加

ORGANIC SEMICONDUCTOR POLYMER, COMPOSITION FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PHOTOELECTRIC CELL - 特許庁

有機半導体材料、該材料を含む膜、有機電子デバイス及び赤外色素組成物例文帳に追加

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, FILM CONTAINING THE SAME, ORGANIC ELECTRONIC DEVICE, AND INFRARED DYE COMPOSITION - 特許庁

平坦化材料、反射防止膜形成材料、及びこれらを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

PLANARIZATION MATERIAL, ANTI-REFLECTION COATING FORMATION MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEM - 特許庁

光電変換機能層１１１は、有機半導体材料を含む材料から構成されている。例文帳に追加

The photoelectric conversion function layer 111 is composed of a material including an organic semiconductor material. - 特許庁

ラベルの裏面又は表面に、Ｎ型半導体材料層とＰ型半導体材料層の複合層又はＰ型半導体材料層とＮ型半導体材料層との複合層を積層して機能性ラベルを構成する。例文帳に追加

On a surface or a rear surface of a label, a composite layer composed of a N type semiconductor material layer and a P type semiconductor material layer or the composite layer composed of the P type semiconductor material layer and the N type semiconductor material layer is laminated to constitute the functional label. - 特許庁

本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。例文帳に追加

In the electron-emitting element 10, a boron nitride material 13 is used as the electron discharge material, and as a substrate 11 to form the boron nitride material, a metal material or a semiconductor material has been used. - 特許庁

半導体層形成用材料、半導体素子の形成方法、半導体素子、電子デバイスおよび電子機器例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT, FORMATION METHOD THEREOF, ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION, EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置例文帳に追加

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料および半導体装置例文帳に追加

THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び蓄熱性成形体例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND THERMAL STORAGE MOLDED ARTICLE - 特許庁

コンプレッション成形用成形材料及び樹脂封止型半導体装置例文帳に追加

MOLDING MATERIAL FOR COMPRESSION MOLDING AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体発光装置用樹脂成形体用材料及び樹脂成形体例文帳に追加

RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND RESIN MOLDING - 特許庁

半導体装置の層間絶縁膜形成材料及びその形成方法例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

絶縁膜形成材料、絶縁膜形成方法及び半導体装置例文帳に追加

MATERIAL FOR INSULATION FILM, METHOD FOR FORMING THE INSULATION FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

該半導電性シートの成形材料として好適な樹脂組成物。例文帳に追加

The polyester resin composition is suitable as a molding material for the semiconducting sheets. - 特許庁

金属とシリコン、もしくは、金属、シリコンと水素の組成が原子レベルで制御されている金属とシリコンから構成される種々の材料、例えば、高選択性の触媒、耐熱・耐火材料、金属材料、半導体材料、磁性材料、超伝導材料、蛍光体材料、光学材料として、あるいはこれらの材料を形成するための中間物質として有用である。例文帳に追加

The product is useful as various materials composed of a metal and silicon wherein the composition of the metal and silicon or metal, silicon and hydrogen is controlled in atomic level, e.g. catalyst having high selectivity, heat-resistant refractory material, metallic material, semiconductor material, magnetic material, superconducting material, fluorescent material or optical material or an intermediate substance for forming these materials. - 特許庁

金属層は、第１半導体材料と、ゲルマニウムを含む第２半導体材料と、反応して、それぞれ、第１金属系材料と、ゲルマニウムを含有する第２金属系材料と、を形成する。例文帳に追加

The metal layer is reacted with the first semiconductor material, and the second semiconductor material containing germanium to respectively constitute a first metal material, and a second metal material containing germanium. - 特許庁

一方の電極を、ｐ型ドープ半導体材料で作成し、他方の電極をｎ型ドープ半導体材料で作成する。例文帳に追加

One of the electrodes is made of a p-type doped semiconductor material, and the other electrode is made of an n-type doped semiconductor material. - 特許庁

上記上半部分１０Ａをアルミ材料で鋳型形成するとともに、上記下半部分１０Ｂを耐熱材料で鋳型形成する。例文帳に追加

The upper half part 10A is formed by cast molding the aluminum material, and the lower half part 10B is formed by cast molding the heat resistant material. - 特許庁

圧電材料チップ３、４の表面に体積収縮材料５の層を形成し、半導体集積回路チップ２および圧電材料チップ３、４を封止材料７で封止した後に体積収縮材料４の体積を減少させることにより圧電材料チップ表面に空間を形成する。例文帳に追加

A volume contraction material 5 layer is formed on the surfaces of piezoelectric material chips 3, 4, and a semiconductor integrated circuit chip 2 and the piezoelectric material chips 3, 4 are sealed with a sealing material 7, and thereafter the volume of the volume contraction material 5 is reduced, whereby a space is formed on the surface of the piezoelectric material chip. - 特許庁