「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

メイン垂直ＦＥＴと検知ＦＥＴは共に、半導体材料のピラー上に形成される。例文帳に追加

Both the main vertical FET and the detection FET are formed on a pillar of a semiconductor material. - 特許庁

相変化メモリセルは、相変化材料から成る相変化層を半導体ボディ上に含む。例文帳に追加

The phase-change memory cell includes a phase-change layer, formed of a phase-change material on a semiconductor body. - 特許庁

コーティング層４は、上記光半導体装置用コーティング材料により形成されている。例文帳に追加

The coating layer 4 is formed from the coating material for the optical semiconductor device. - 特許庁

バッファ層の上に、半導体材料からなる下部キャリア閉込層が形成されている。例文帳に追加

A lower carrier confining layer composed of a semiconductor material is formed on the buffer layer. - 特許庁

フェノール性水酸基を有する化合物、熱硬化性樹脂組成物および半導体封止材料例文帳に追加

PHENOLIC HYDROXY GROUP-BEARING COMPOUND, THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL - 特許庁

半導体基板１００上に酸化シリコン系材料からなるゲート絶縁膜１０２を形成する。例文帳に追加

The gate insulation film 102 of a silicon oxide-based material is formed on the semiconductor substrate 100. - 特許庁

接着剤組成物、回路接続材料、回路部材の接続構造及び半導体装置例文帳に追加

ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTION MATERIAL, CONNECTION STRUCTURE OF CIRCUIT MEMBER AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING MECHANICAL DEFECT OF INGOT BLOCK MADE OF SEMICONDUCTOR MATERIAL - 特許庁

フォトダイオード及びガード・ダイオードは同じ半導体材料で構成することが出来る。例文帳に追加

The photodiodes and guard diode may be fabricated from the same semiconductor materials. - 特許庁

面外熱バックルビームＭＥＭＳアクチュエータ５０は、半導体材料の基板上に形成される。例文帳に追加

The out-of-plane thermal buckle beam MEMS actuator 50 is formed on a substrate of semiconductor material. - 特許庁

半導体材料ウエハ内に埋込みキャビティを形成するプロセスおよび埋込みキャビティ例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING EMBEDDING CAVITY WITHIN SEMICONDUCTOR MATERIAL WAFER AND EMBEDDING CAVITY - 特許庁

有機無機複合半導体材料層形成用塗液および有機ＥＬ素子例文帳に追加

COATING FLUID FOR USE IN FORMATION OF ORGANIC-INORGANIC COMPOSITE SEMICONDUCTOR MATERIAL LAYER, AND ORGANIC EL ELEMENT - 特許庁

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

液状樹脂組成物及びこれを硬化してなる半導体装置保護用材料例文帳に追加

LIQUID RESIN COMPOSITION AND MATERIAL FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY CURING THE SAME - 特許庁

半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An inter layer insulating film composed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法例文帳に追加

ETCHANT COMPOSITION FOR METAL MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME - 特許庁

材料ガス供給ノズル、気相成長装置および半導体膜の製造方法例文帳に追加

MATERIAL GAS SUPPLY NOZZLE, VAPOR GROWTH DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

原子層堆積によって半導体材料を形成するためのシステム及び方法例文帳に追加

SYSTEM AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIAL BY ATOMIC LAYER DEPOSITION - 特許庁

ナノカーボン材料のパターン形成方法、並びに、半導体デバイス及びその製造方法例文帳に追加

PATTERN FORMING METHOD FOR NANOCARBON MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

電極層２５は、半導体層２４との間で格子整合のとれた材料にて構成されている。例文帳に追加

The electrode layer 25 is constituted of a material lattice matched to the semiconductor layers 24. - 特許庁

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

RESIST PATTERN THICKENING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

後部座席シェルフの後ろ半部１４は木質材料またはプラスチック成型品から作られる。例文帳に追加

The rear half 14 of the rear seat shelf is made of a wood material or a plastic mold. - 特許庁

レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

RESIST PATTERN IMPROVING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

有機半導体で構成しても、光電変換機能に優れる光電変換材料を提供する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion material which exhibits excellent photoelectric conversion function even if it is composed of an organic semiconductor. - 特許庁

現段階で得られる有機半導体材料の限界を超えて、光電変換効率の向上を達成する。例文帳に追加

To increase the photoelectric conversion efficiency beyond the limit of an organic semiconductor material currently obtained. - 特許庁

異種材料基板の上にそりを制御して窒化物半導体結晶の層が形成できるようにする。例文帳に追加

To form layers of nitride semiconductor crystals by controlling a camber on a dissimilar material substrate. - 特許庁

第１の半導体層の上面上に、絶縁材料からなる第２の絶縁膜１８を形成する。例文帳に追加

A second insulating film 18 formed of the insulating material is made on the upper face of the first semiconductor layer. - 特許庁

難燃性樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体封止材料および積層板例文帳に追加

FLAME-RETARDANT RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL AND LAMINATE BOARD USING THIS - 特許庁

接着剤組成物、回路接続材料、接続体及びその製造方法、並びに半導体装置例文帳に追加

ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT-CONNECTING MATERIAL, CONNECTED BODY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体基板の表面上に、絶縁材料からなる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An insulating film made of an insulating material is formed on a surface of semiconductor substrate. - 特許庁

密着強化層形成用材料、密着強化層、半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING ADHESION REINFORCING LAYER, ADHESION REINFORCING LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION PROCESS - 特許庁

溶融半導体材料３０は、処理容器１の底面に形成された導入口２２から導入される。例文帳に追加

Melted semiconductor material 30 is introduced from an inlet port 22 formed in a bottom of the container 1. - 特許庁

難燃性樹脂組成物並びにこれを用いた半導体封止材料および積層板例文帳に追加

FLAME-RETARDED RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR- SEALING MATERIAL AND LAMINATED BOARD USING THE SAME - 特許庁

その後、III−Ｖ族化合物半導体材料は凹部でエピタキシャル成長する。例文帳に追加

Thereafter, the group III-V compound semiconductor material grows epitaxially in the recess. - 特許庁

半導体基板の上に、絶縁性材料からなる第１の絶縁膜が形成されている。例文帳に追加

A first insulation film formed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

チャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料からなる。例文帳に追加

The channel includes a first III-V compound semiconductor material formed of group III and group V elements. - 特許庁

発泡部材１８は、半円環体の成型品を取り付けても、発泡材料を充填しても良い。例文帳に追加

The foam member 18 may be provided by attaching a molding of a semi-annular body or filling a foaming material. - 特許庁

電気的に絶縁性の基板上に第１のオーミックコンタクトを形成し、第１のオーミックコンタクト層上に第１の半導体材料ドープ層を形成し、第１の半導体材料ドープ層上に第２の半導体材料ドープ層を形成し、該第２半導体材料ドープ層の上に上記第１のオーミックコンタクト層と物理的に分離された第２のオーミックコンタクト層を形成する。例文帳に追加

A first ohmic contact is formed on an electrically insulated substrate, a first semiconductor material doped layer is formed on the first ohmic contact layer, a second semiconductor material doped layer is formed on the first semiconductor material doped layer, and a second ohmic contact layer, physically separated from the first ohmic contact layer, is formed on the second semiconductor material doped layer. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体材料からなる基板へのオーミック接続形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic connection forming method to a substrate consisting of a wideband gap semiconductor material. - 特許庁

前記リード板がＦｅもしくはFeを主成分とする材料からなる光半導体用パッケージである。例文帳に追加

The lead plate is constituted of Fe or a material whose principal constituent is Fe. - 特許庁

低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING COATING FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT, COATING FILM USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING Si-CONTAINING FILM, Si-CONTAINING FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性樹脂組成物、並びにこれを用いた半導体封止用材料および積層板例文帳に追加

FLAME-RETARDANT RESIN COMPOSITION, AND MATERIAL USEFUL FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND LAMINATE WHICH USE THE SAME - 特許庁

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法例文帳に追加

FINE PATTERN FORMING MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

撮像装置のハウジング20の下部カバー26が半球面状に透光性材料で形成されている。例文帳に追加

A lower cover 26 of the housing 20 of the imaging device is formed into a semispherical shape of a transparent material. - 特許庁