「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

半溶融した金属材料を１ショットごとに供給路から直に射出路に計量供給できるようにして、半溶融状態の金属材料の成形を可能となす。例文帳に追加

To allow a metallic material in a semi-melted state to be molded by immediately weighing and supplying the semi-melted metallic material from a supplying path into an injection path at each shot. - 特許庁

露光波長限界を超えるレジストパターン形成を可能とするレジストパターン微細化材料と、この材料用いた半導体装置製造方法と、この方法を用いた半導体装置を得る。例文帳に追加

To obtain a resist pattern scaledown material capable of forming a resist pattern which is finer than the limit determined by the wavelength of light for exposure, a method for producing a semiconductor device using the material and a semiconductor device produced by the method. - 特許庁

金属系材料、カーボン系材料及びフェライト系材料の少なくとも一種からなる電磁波シールド機能を有する材料粒子２を樹脂３に分散させて得られた複合材料粒子１を、電気絶縁性を有するマトリックス樹脂１１に配合してなる半導体封止用樹脂組成物１０。例文帳に追加

The resin composition 10 for semiconductor sealing use is such as to be obtained by compounding a matrix resin 11 having electrical insulation with composite material particles 1 obtained by dispersing a resin 3 with material particles 2 having electromagnetic wave shielding performance and consisting of at least one of metallic material, carbonaceous material and ferrite material. - 特許庁

半導体基板１の外周部に、金属拡散の防止機能を有する第１材料膜２及び第２材料膜３、第１薬液に対するエッチングレートが第１材料膜２よりも十分遅く、且つ、第２薬液に対するエッチングレートが第２材料膜３よりも十分遅い第３材料膜４、をこの順に順次成膜する。例文帳に追加

In an outer peripheral part of the semiconductor substrate 1, a first material film 2 and a second material film 3 having a metal diffusion preventing function, and a third material film 4 sufficiently slow in an etching rate to a first chemical relative to the first material film 2 and sufficiently slow in an etching rate to a second chemical relative to the second material film 3 are formed in that order. - 特許庁

有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。例文帳に追加

The composition for the organic semiconductor contains an organic semiconductor material which includes thiophene rings and alkyl chains, and an organic solvent which includes cis-decalin. - 特許庁

硬化性ポリイミド系樹脂組成物、ポリイミド樹脂及び半導体装置保護用材料並びに半導体装置例文帳に追加

CURABLE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION, POLYIMIDE RESIN, MATERIAL FOR PROTECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂用硬化剤並びに難燃性エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止材料並びに半導体装置例文帳に追加

CURING AGENT FOR FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN, FLAME- RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION AND ENCAPSULANT FOR SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

半導体層１５は半導体材料がガラスまたはガラス−セラミックから発生する酸素イオンと反応した混成領域を有することができる。例文帳に追加

The semiconductor layer 15 can have a mixed region where a semiconductor material reacts with oxygen ions generated from the glass or glass ceramic. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate. - 特許庁

浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップは、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。例文帳に追加

Band gap of a semiconductor material forming the floating gate is preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer. - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂組成物、並びにそれを使用する半導体封止材料及び樹脂封止型半導体装置例文帳に追加

FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT - 特許庁

有機半導体材料についてその吸光度を測定し、この測定値に基いてこれから形成される有機半導体の特性を評価する。例文帳に追加

The absorbance of the organic semiconductor material is measured, and the characteristics of an organic semiconductor formed by the organic semiconductor material are evaluated based on the measurement value. - 特許庁

この半導電性発泡体加硫ゴム用組成物を加硫してなる加硫ゴム材料は半導電性ゴムロール又はベルトの用途に適している。例文帳に追加

A vulcanized rubber material obtained by vulcanizing the composition for the semiconductive foamed vulcanized rubber is suitable for the use of a semiconductive rubber roll or belt. - 特許庁

エポキシ樹脂組成物、その硬化物、エポキシ樹脂、その製造方法、半導体封止材料、及び半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN COMPOSITION AND CURED PRODUCT OF THE SAME, EPOXY RESIN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, SEALING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

有機半導体材料を、融点以上の温度において溶融状態で基板上に供給することを特徴とする半導体層の形成方法。例文帳に追加

This semiconductor layer formation method provides a substrate with organic semiconductor materials melted at a temperature higher than a melting point. - 特許庁

エポキシ樹脂成形材料、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL, SUBSTRATE FOR LOADING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

多孔質シリカフィルム形成用塗布液、多孔質シリカフィルムおよびそれらの製造方法ならびに半導体材料および半導体装置例文帳に追加

COATING LIQUID FOR FORMING POROUS SILICA FILM, POROUS SILICA FILM, METHOD OF MANUFACTURING THEM, SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

半導体材料のパターニングにおいて、半導体層を任意のパターンで高速に、メンテナンス性よく形成できるトナーなどを提供する。例文帳に追加

To provide a toner with which a semiconductor layer can be fast formed into a desired pattern with high maintenance property in patterning a semiconductor material. - 特許庁

有機半導体材料の分子が結合基を介して配列して構成されている有機半導体層を有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加

The field effect transistor comprises an organic semiconductor layer where the molecules of organic semiconductor material are arrayed through an linkage group. - 特許庁

従来より優れた耐半田クラック性と、耐温度サイクル性とを両立できる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得ること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin molding material for sealing a semiconductor which has more excellent soldering crack resistance and temperature cycle resistance in their compatibility. - 特許庁

半導体装置は、半導体層および第１格子定数を有する第１材料上に形成された電界効果型トランジスタを具備する。例文帳に追加

A semiconductor device includes a field effect transistor formed on a semiconductor layer and a first material having a first lattice constant. - 特許庁

また、本発明の半導体装置は、上記に記載のエポキシ樹脂成形材料の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor device of the present invention is constituted by encapsulating a semiconductor element with a hardened material of the above described epoxy resin molding compound. - 特許庁

耐半田クラック性、耐温度サイクル性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得ること。例文帳に追加

To obtain an epoxy resin molding material for semiconductor sealing use having excellent soldering crack resistance and resistance to thermal cycling test. - 特許庁

硬化性と保存性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、及びそのれを用いた高耐湿性の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor sealing epoxy resin molding material excellent in curability and shelf stability and to provide a high moisture resistance semiconductor device using the same. - 特許庁

有機半導体薄膜９を構成する有機半導体材料は、同一の主骨格を備えていることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the organic semiconductor materials forming the organic semiconductor thin film 9 includes the same main skeleton. - 特許庁

このため、ブロック１０１の構成材料に拘わらず、第１半導体レーザ素子３１と第２半導体レーザ素子３２とを独立して駆動できる。例文帳に追加

Accordingly, the first semiconductor laser element 31 and the second semiconductor laser element 32 are driven independently, in spite of the constituting material of the block 101. - 特許庁

半導体高分子２は、絶縁性高分子材料にドーピング処理を行って、電導度を半導体領域に変化させることによって形成される。例文帳に追加

The semiconductor polymers 2 are formed by doping an insulation polymer material for changing the conductivity to that within a semiconductor region. - 特許庁

半導体集積回路用遠紫外線感光材料用樹脂の製造方法、及び半導体パターンの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING RESIN FOR FAR ULTRAVIOLET-SENSITIVE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR PATTERN - 特許庁

半導体層４０が有機材料によって形成される有機トランジスタ１００を複数備えた有機半導体装置１の製造方法である。例文帳に追加

This method is used for manufacturing this organic semiconductor device 1 provided with a plurality of organic transistors 100 each having a semiconductor layer 40 formed of an organic material. - 特許庁

酸化物半導体薄膜上に吸着した色素を分子集合体として形成させた半導体電極を光電変換材料として用いる。例文帳に追加

This photoelectric conversion element uses, as a photoelectric conversion material, a semiconductor electrode composed by forming an adsorbed pigment as a molecular aggregate on an oxide semiconductor thin film. - 特許庁

本発明の方法では、半導体材料、第２の半導体層、またはその双方の上に、歪みＳｉ層を形成する。例文帳に追加

In the present invention, a strained Si layer is formed on a semiconductor material, a second semiconductor layer, or both of them. - 特許庁

透明非晶質基板上に真性の半導体層を形成させ、半導体層表面に仕事関数の異なる材料を接合させる。例文帳に追加

An intrinsic semiconductor layer is formed on a transparent amorphous substrate, and materials having different work functions are bonded to the surface of the semiconductor layer. - 特許庁

高品質のオーミックコンタクトをIII−Ｖ族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor device having a long lifetime with low power consumption by forming an ohmic contact of high quality in a III-V semiconductor material. - 特許庁

下記の寸法（ｘ）以下の大きさの半導体装置の封止材料として用いられる半導体封止用樹脂組成物である。例文帳に追加

This semiconductor-sealing resin composition is used as a sealing material of a semiconductor device having a size smaller than the following dimension (x). - 特許庁

リードフレーム等の各種部材への密着性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれを用いた半導体装置。例文帳に追加

To obtain an epoxy resin molding material for sealing a semiconductor, having excellent adhesivity to various members such as lead frame, etc., and to provide a semiconductor device using the epoxy resin molding material. - 特許庁

その後、第２の溝１０に半導体基板１と格子定数の異なる半導体材料を埋め込みソース・ドレイン領域６ａを形成する。例文帳に追加

After that, a semiconductor material with a lattice constant different from that of the semiconductor substrate 1 is embedded in the second groove 10 to form a source-drain region 6a. - 特許庁

有機半導体薄膜９を構成する複数種類の有機半導体材料および割合によって、しきい値電圧が制御されている。例文帳に追加

The threshold is controlled based on the plurality of kinds of semiconductor materials forming the organic semiconductor thin film 9 and a proportion thereof. - 特許庁

レジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置例文帳に追加

RESIST PATTERN IMPROVING MATERIAL, FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

圧電材料からなる隔壁の下半分または上半分に電極を簡単に形成することができるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To simply form an electrode to the lower or upper half of a partition wall comprising a piezoelectric material. - 特許庁

硬化性、保存性、耐湿信頼性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれを用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin molding material for semiconductor sealing use having excellent curability, storage stability and moisture-resistant reliability, and provide a semiconductor device produced by using the material. - 特許庁

硬化性、保存性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、及びそれを用いた高耐湿性の半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin molding material for semiconductor sealing having excellent curability and storage properties, and to provide a semiconduc tor device having high humidity resistance using the molding material. - 特許庁

歪みゲージ部１２６ｂ、１２６ｄは、作用する応力に応じて抵抗値が変化する半導体材料（第１半導体層）によって形成されている。例文帳に追加

The gauge parts 126b and 126d are formed out of semiconductor material (first semiconductor layer) whose resistance value changes depending on stress acting thereon. - 特許庁

化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a reduced interface state formed in the interface of a compound semiconductor element and an insulating material. - 特許庁

下記構造式（２）の骨格を含む有機材料を用いて構成された半導体層を備えたことを特徴とする半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device has a semiconductor layer constituted by using an organic material comprising a skeleton of structural formula (2). - 特許庁

半導体電極４は、酸化チタンを主とする半導体材料の焼結体で構成され、多孔質である。例文帳に追加

The semiconductor electrode 4 consists of the sintered body of the semiconductor material using titania (titanium oxide) as the main component, and it is a porous material. - 特許庁