「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

導電部材４は、その最も内側に位置する第１の層４１が、その他の層を構成する材料よりも前記半田部５との密着性の高い材料で構成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The conductive member 4 includes a first layer 41 located at the innermost side constructed of a material having a higher adhesiveness with the solder part 5 than the material of other layers. - 特許庁

第１キャビネット半体1内には、絶縁性材料で形成されて鏡筒3及び回路基板30、7を収納する箱体5が設けられ、回路基板30、7は剛性の高い材料から形成されて鏡筒3の周囲に配備される。例文帳に追加

A box body 5 formed on an insulating material for housing the lens barrel 3 and the circuit boards 30 and 7 is provided inside the first cabinet half body and the circuit boards 30 and 7 are formed of the material of high rigidity and disposed around the lens barrel 3. - 特許庁

回転軸９を絶縁性材料によって形成し、回転軸９の先端には絶縁性樹脂材料からなる外周面には設けた霧化頭用半導電性膜１４が形成された回転霧化頭１１を取付ける。例文帳に追加

A rotary shaft 9 is formed from an insulating material and a rotary atomizing head 11 having a semiconductive film 14 for an atomizing head comprising an insulating resin material formed to the outer peripheral surface thereof is attached to the leading end of the rotary shaft 9. - 特許庁

粉体材料、特に半導体封止用のエポキシ樹脂成形材料の粉体を打錠してタブレット化する自動式打錠機械であって、不可避的に発生する規格外のタブレットを廃棄せず、回生し、粉体材料の損失を実質的になくした自動式打錠機械を提供すること。例文帳に追加

To provide an automatic tablet machine which tablets powders, particularly the powder of semiconductor-encapsulating epoxy resin molding materials and substantially eliminates the loss of powder materials by recovering inevitably occurring off-spec tablets without discarding them. - 特許庁

光電子デバイスは、深さと共に連続的または段階的に変化し、半導体または導体材料に近い第１の屈折率を備えるとともに、封入剤などの周囲材料に隣接する第２の屈折率を備える、傾斜組成を有する誘電体材料のパッシベーション層を含む。例文帳に追加

An optoelectronic device includes a passivation layer of a dielectric material having a graded composition that varies with depth, whether continuous or stepwise, to provide a first index of refraction proximate to a semiconductor or conductor material and provide a second index of refraction adjacent to a surrounding material, such as an encapsulant. - 特許庁

このポーラス材料１０の上面には、前記半導体ウェハ４が配置されると共に、このポーラス材料１０の左側方には、ウェハトレイ６に横方向に延びる真空通路６ｂが形成され、ポーラス材料１０の端部は前記真空通路６ｂにつながる。例文帳に追加

The semiconductor wafer 4 is arranged on the upper face of the porous material 10, a vacuum path 6b extending laterally through the wafer tray 6 is formed at the left sideward of the porous material 10, and the end of the porous material 10 leads to the vacuum path 6b. - 特許庁

常温大気中で１Ｗ／ｃｍ^2以下、数ｍＷ／ｃｍ^2オーダーというＬＥＤや半導体レーザ、太陽光などの弱い定常光によって、材料の吸光度が大きく増加し、大面積の媒体が形成可能なような材料、低閾値有機過飽和吸収材料を提供する。例文帳に追加

To provide a low threshold organic inverse-oversaturation absorbing material which shows a significant increase in the absorbance of the material by weak steady light such as light from an LED, a semiconductor laser and sun rays having an energy of not more than 1 W/cm^2 and in an order of several mW/cm^2 in air at a normal temperature, and allowing the formation of a medium having a large area. - 特許庁

電気電子部品用絶縁材料（高信頼性半導体封止材料など）及び積層板（プリント配線板など）やＣＦＲＰを始めとする各種複合材料、接着剤、塗料等に使用する場合に極めて有用な熱硬化性樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

An aliphatic polyhalogen compound is allowed to react with a hydroxybenzaldehyde and an aminophenol and the resultant polyhydric phenols are reacted with an epihalohydrin to synthesize epoxy resins. - 特許庁

熱電材料、特に半導体系熱電材料は、高温や酸化性雰囲気等の激しい環境に対して、劣化されやすいという問題を抱えている現状に鑑み、実用的でコストの低い耐環境性に優れ、熱電材料特性を損なわない被覆膜形成法を提供しようというものである。例文帳に追加

To provide a method for forming a coated film which can have an excellent environmental resistance with a practically low cost and can avoid degradation of thermoelectric material characteristics, by solving the problem that a thermoelectric material, in particular, a semiconductor-based thermoelectric material tends to deteriorated in such a harsh environment as a high temperature or an oxidizing atmosphere. - 特許庁

本発明の課題は、電極や配線の周囲に空間部を形成するに際し、電極材料や配線材料が耐フッ酸性がない材料であっても適用でき、かつ有機汚染の心配のない半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is applicable to formation of a space portion at a periphery of an electrode and wiring even when an electrode material and a wiring material are materials which do not have resistance to a hydrofluoric acid and is free of a risk of organic contamination. - 特許庁

射出プランジャにシールリングを採用して射出時の計量材料の漏れを防止し、吸込クリアランスの形成により負圧による材料吸引を容易となすことにより、液相状又は半溶融状の金属材料の確実な計量と射出とを図る。例文帳に追加

To ensure reliable measurement and injection of molten or semi-molten metallic material by using seal rings around an injection plunger, preventing the material to be measured from leaking at a time of injection as well as enabling the material to be sucked by negative pressure through suction clearance. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、異なる第１の材料５と第２の材料６とからなる微細構造体を形成する工程と、超臨界流体７を用いて、微細構造体から第１の材料５を除去する工程と、を有する。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device according to the present invention comprises a step of forming the fine structure that consists of a first material 5 and a second material 6, which are different from each other, and a step of removing the first material 5 from the fine structure by using super critical fluid 7. - 特許庁

ガラス基板材料又は半導体基板材料等の硬度の大きい材料に対する研磨速度が高く、かつ研磨の平滑性、均一性、スクラッチ傷の発生、被研磨物の表面に研磨剤砥粒が残留する等の問題のない研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a composition for polishing, capable of polishing a material having a high hardness such as a glass substrate material or a semiconductor substrate material at a high polishing rate, and providing no problem in the smoothness of the polishing, the uniformity, the generation of scratch wound and the residue of abrasive grains of the polishing agent. - 特許庁

流し込み材料層の硬化状況測定方法は、超音波を発信する発信部４０と超音波を受信する受信部４１とを有する超音波装置４と、流動性をもつ未硬化または半硬化状態の無機系の材料を流し込んで形成された流し込み材料層２とを用いる。例文帳に追加

This curing condition measurement method for a cast material layer uses an ultrasonic wave device 4, which is provided with a transmission part 40 transmitting an ultrasonic wave and a receipt part 41 receiving an ultrasonic wave, and a cast material layer 2 formed by casting an uncured or half-cured inorganic material having fluidity. - 特許庁

有機半導体材料を溶媒に溶解した液状材料を基板に塗布する工程、前記液状材料が基板上で固形の膜を形成する工程、および溶媒を除去する工程を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。例文帳に追加

The method of manufacturing organic thin-film transistor includes a step of applying a liquid material prepared by dissolving an organic semiconductor material in a solvent to a substrate, a step of forming a solid film on the substrate with the liquid material, and a step of removing the solvent. - 特許庁

ソース領域およびドレイン領域は、実効的な格子定数が第１材料よりも小さい第２材料から少なくとも一部が形成され、半導体層内のチャネル領域の両側に配置され、第２材料はチャネル領域に引っ張り応力を誘起する。例文帳に追加

The source and drain regions are at least partially formed by a second material of which an effective lattice constant is smaller than that of the first material, are arranged at both the sides of the channel region in a semiconductor layer, and the second material induces tensile stress to the channel region. - 特許庁

このポーラス材料１０の上面には、前記半導体ウェハ４が配置されると共に、このポーラス材料１０の図３左側方には、ウェハトレイ６に横方向に延びる真空通路６ｂが形成され、ポーラス材料１０の端部は前記真空通路６ｂにつながる。例文帳に追加

The semiconductor wafer 4 is arranged on the upper face of the porous material 10, a vacuum path 6b extending in the lateral direction is formed in the wafer tray 6 sideward of figure 3 of the porous material 10, and the end of the porous material 10 leads to the vacuum path 6b. - 特許庁

半導体基体１１と、半導体基体１１に形成されている光電変換部とを有し、半導体基体上に、少なくとも１層以上の応力緩和層２２を介して積層されている有機材料層と無機材料層とを備える固体撮像素子を構成する。例文帳に追加

A solid state imaging element includes: a semiconductor substrate 11; a photoelectric conversion part formed over the semiconductor substrate 11; and an organic material layer and an inorganic material layer laminated over the semiconductor substrate through at least one stress relieving layer 22. - 特許庁

半導体ベアチップの回路形成面側に他のチップまたは基板を対向させて積層し、コンポジット材料でそれらの間を接合して成る半導体装置において、前記コンポジット材料中のフィラーによる半導体ベアチップへのストレスを緩和して不具合の発生を防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of a drawback by relieving a stress on a semiconductor bare chip due to a filler in a composite material, in a semiconductor device in which another chip or substrate is oppositely stacked on a circuit formation surface side of the semiconductor bare chip and the composite material joins them. - 特許庁

良好な密着性を示すとともに弾性率の低い樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料又は放熱部材接着用材料とすることにより耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition which exhibits a good adhesion and has a low modulus and a semiconductor device which is excellent in reliability such as solder crack resistance by using the resin composition for the die attachment material for a semiconductor device or the adhesive material for a heat dissipation member. - 特許庁

光電変換素子２０６は、第１の材料からなり、凹部または凸部を有する第１の半導体部分と、第１の半導体部分の凹部上または凸部上に三次元状に積層され、第１の材料よりもバンドギャップエネルギーが小さい第２の材料で構成され、第１の半導体部分と同じ導電型の第２の半導体部分とを有している。例文帳に追加

The photoelectric conversion element 206 has a first semiconductor portion made of the first material and having a recess or projection portion, and a second semiconductor portion of the same conductivity type with the first semiconductor portion laminated in three dimensions on the recess or projection portion of the first semiconductor portion and made of a second material having smaller band gap energy than the first material. - 特許庁

半導体装置１０は、半導体素子１１とヒートシンク１２の間に炭素繊維複合材料層１３を設け、半導体素子１１と炭素繊維複合材料層１３との間に、半導体素子１１で生じた熱を炭素繊維複合材料層の全面に伝導する伝熱金属板１４を備えて形成される。例文帳に追加

The semiconductor element 10 comprises a carbon fiber composite material layer 13 interposed between a semiconductor element 11 and a heat sink 12, and a heat transfer metal plate 14 interposed between the semiconductor element 11 and the carbon fiber composite material layer 13 and transmitting heat generated from the semiconductor element 11 to the entire surface of the carbon fiber composite material layer. - 特許庁

半導体封止成形金型１に金型清掃用成形材料２を注入して成形し、成形物３を半導体封止成形金型１から脱型することによって、半導体封止成形金型１内を清掃する。例文帳に追加

The method for cleaning the mold for sealing and molding the semiconductor comprises the steps of casting and molding a molding material 2 for cleaning the mold in the mold 1 for sealing and molding the semiconductor, releasing the molding 3 from the mold 1, and thereby cleaning in the mold 1. - 特許庁

潜伏性触媒並びに該触媒を配合してなる熱硬化性樹脂組成物及びエポキシ樹脂成形材料並びに半導体装置例文帳に追加

LATENT CATALYST, THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL COMPRISING THE CATALYST, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

負極２２は、リチウムと合金を形成可能な金属元素あるいは半金属元素を構成元素として含む負極材料を含有している。例文帳に追加

The negative electrode 22 contains a negative electrode material which includes a metallic element or a semimetal element capable of forming an alloy with lithium as a constituent element. - 特許庁

半導体処理装置の構成部品は、侵食、腐食及び／又は腐食−侵食に耐性のあるセラミック材料で少なくとも部分的に形成される。例文帳に追加

Components of semiconductor processing apparatus are formed at least partially of erosion, corrosion and/or corrosion-erosion resistant ceramic materials. - 特許庁

半導体材料から成る成長する単結晶を支持するための支持装置および単結晶を製作するための方法例文帳に追加

SUPPORTING APPARATUS FOR SUPPORTING GROWING SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL - 特許庁

塗膜の成分の１つであるフィルム形成剤は、イオン交換性材料を酸化物半導体の表面に固着させる役目を果たす。例文帳に追加

The film- forming agent of one of the components for the coated membrane fills the role of the fixation of the ion-exchanging material on an oxide semiconductor surface. - 特許庁

まず、ｐ^-半導体基板３上に可変容量ダイオード形成領域上が開口するようにマスク材料４を形成する。例文帳に追加

A mask material 4 is first formed on a p^- semiconductor substrate 3 so that a variable capacitance diode formation region is opened. - 特許庁

第２モニタ用パターン９は半導体基板表面に形成された複数の絶縁材料パターン９ａによって形成されている。例文帳に追加

The second monitoring pattern 9 is formed of a plurality of insulating material patterns 9a formed on the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

導波路型光変調器１Ａは、例えば半導体材料で構成された基板５に、光が伝送される光導波路２Ａが形成される。例文帳に追加

In the waveguide type optical modulator 1A, the optical waveguide 2A, through which light is transmitted, is formed on a substrate 5 constituted of a semiconductor material, for example. - 特許庁

活性層の上に、活性層よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料で形成された上部キャリア閉込層が形成されている。例文帳に追加

An upper carrier confining layer formed of semiconductor material whose band gap is greater than that of the active layer is formed on the active layer. - 特許庁

半導体基板上に多層配線が形成されており、この多層配線内に抵抗変化材料層２０５が形成されている。例文帳に追加

Multilayered wiring is formed on a semiconductor substrate, and a resistance change material layer 205 is formed in the multilayered wiring. - 特許庁

そして、半導体層１２上に、オーミック電極材料からなる第１金属層を形成する第１金属層形成工程を実施する。例文帳に追加

A first metal layer forming process for forming a first metal layer composed of an ohmic electrode material on the semiconductor layer 12 is carried out. - 特許庁

半導体基板１０上にシリコン系の導電性材料膜２ａを形成し、この上に絶縁膜３を形成する。例文帳に追加

A silicon based conductive material film 2a is formed on a semiconductor substrate 10 and an insulating film 3 is formed thereon. - 特許庁

樹脂ブロック１を形成する材料として、硬質樹脂又は半硬質樹脂に軟質樹脂を混合した合成樹脂を用いること。例文帳に追加

The material that forms a resin block 1 is a synthetic resin wherein a soft resin is mixed in a hard resin or a semihard resin. - 特許庁

低誘電率絶縁膜形成用材料、低誘電率絶縁膜、低誘電率絶縁膜の形成方法及び半導体装置例文帳に追加

MATERIAL FOR FORMING INSULATION FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT, INSULATION FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT, METHOD FOR PREPARING INSULATION FILM WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

光導波路を光半導体材料とし、電気的に独立な電極格子群で構成すると、プログラマブルなヘッダ識別器が構成される。例文帳に追加

When the optical waveguide is made of an optical semiconductor material and composed of electrically independent electrode grating groups, a programmable header discrimination circuit is configured. - 特許庁

電子部品が、支持基板の一部を成すコンポジット材料中に埋込まれて成る半導体装置において、信頼性を向上する。例文帳に追加

To improve reliability in a semiconductor device in which an electronic component is buried in a composite material forming one part of a supporting substrate. - 特許庁

この封止キャップ２８は導電性材料で形成され、半田５２を介してマザーボード１００に形成された電極パッドに固定される。例文帳に追加

The sealing cap 28 is formed of a conductive material, and fixed to an electrode pad formed in a mother board 100 via a solder 52. - 特許庁

少なくとも表面部分を構成する半乾式組成物中に、着色顔料と木質材料としての漂白パルプとを混入する。例文帳に追加

Coloring pigment and bleached pulp as a wooden material are mixed in a half-dry composition constituting at least the surface portion. - 特許庁

文字及び／又は図案を表示する表示プレートは透明又は半透明な材料で構成し、表裏面に貫通してねじ用穴(11A)を形成する。例文帳に追加

The plate for displaying characters and/or figures is made of a transparent or translucent material and a screw hole (11A) is formed by penetrating through both top and bottom faces. - 特許庁

有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物であり、この組成物中に水分除去剤を含有したものである。例文帳に追加

This composition is composed by dissolving or dispersing an organic semiconductor material in a medium, and the composition contains a moisture removing agent. - 特許庁

非晶質半導体材料を結晶成長させる際に、光を照射することにより、結晶成長温度を低温化させる。例文帳に追加

When an amorphous semiconductor material is subjected to crystal growth, light is applied, thus decreasing temperature in the crystal growth. - 特許庁

銅系金属用研磨組成物、銅拡散防止材料用研磨組成物および半導体装置の製造方法例文帳に追加

POLISHED COMPOSITION FOR COPPER-BASED METAL, POLISHED COMPOSITION FOR COPPER DIFFUSION PREVENTING MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁