「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

回路形成基板５０は、化合物半導体以外の材料で形成され、半導体能動素子を有さない。例文帳に追加

The circuit formed substrate 50 is composed of a material other than a compound semiconductor, and has no semiconductor active element. - 特許庁

トランジスタのような半導体集積化デバイスを、基板上に形成された半導体材料の膜で形成する。例文帳に追加

A semiconductor integration device such as a transistor is formed by the film of a semiconductor material that is formed on a substrate. - 特許庁

半導体製品の材料の厚さバラツキに関係なく、封止成形が可能な半導体樹脂封止成形装置を提供する。例文帳に追加

To make sealing molding possible regardless of thickness fluctuation of a material for a semiconductor product. - 特許庁

発光素子１は、陰極３と陽極６との間に、主として無機半導体材料で構成される電子輸送層４と、電子輸送層４に接触する発光層Ｌと、発光層Ｌに接触する正孔輸送層５とを介挿してなるものであり、電子輸送層４は、チューブ状の無機半導体材料を主材料とし、さらに粒状の無機半導体材料を含有して構成されている。例文帳に追加

The light emitting element 1 is constituted by interposing an electron transport layer 4 principally comprising an inorganic semiconductor material, a light emitting layer L touching the electron transport layer 4, and a hole transport layer 5 touching the light emitting layer L between a negative electrode 3 and a positive electrode 6 wherein the electron transport layer 4 principally comprises a tubular inorganic semiconductor material and further contains a granular inorganic semiconductor material. - 特許庁

高熱膨張材料層は、半導体素子を構成する半導体に比して熱膨張係数が高い材料、例えば銅やアルミニウムにより構成されると好適である。例文帳に追加

The high-thermal-expansion material layer is formed preferably of a material having a higher thermal expansion coefficient than the semiconductor constituting the semiconductor device, for example, copper or aluminum. - 特許庁

基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても欠陥の少ない良質の半導体材料を形成できる基板構造の作製方法、その基板構造である。例文帳に追加

To provide a substrate structure and its manufacturing method for forming a high-quality semiconductor material, regardless of the difference in lattice constants between the substrate and the semiconductor material formed thereon. - 特許庁

この仮の基板の表面上に、液相エピタキシャル成長法により、第１の半導体材料とは異なる第２の半導体材料からなる支持層を成長させる。例文帳に追加

A retaining layer composed of second semiconductor material which is different from the first semiconductor material is grown on the surface of the temporary substrate by using a liquid epitaxial growth method. - 特許庁

撥水性パターン１１の開口窓１１ａ内に半導体材料（パターン形成材料）を供給することにより、目的パターンとして半導体層１３を形成する。例文帳に追加

By supplying a semiconductor material (pattern forming material) in the aperture window 11a of the water-repellent pattern 11, a semiconductor layer 13 is formed as the objective pattern. - 特許庁

半導体の電極に接続材料が接合されて接合部が形成されている半導体装置であって、接合部の形成後に少なくとも前記接合部がめっき材料によりコーティングされる。例文帳に追加

In a semiconductor device wherein a junction is formed by connecting a connection material to an electrode of a semiconductor, at least the junction is coated with a plating material after forming the junction. - 特許庁

アスペクト比の大きなホールを有する半導体基板等の被処理基体にＡｌ材料を成膜する際に、ホールをＡｌ材料で十分に埋め込むように成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by forming Al materials on a substrate to be treated such as a semiconductor substrate having a hole whose aspect rate is large so that the hole can be sufficiently filled with the Al materials. - 特許庁

半導体製造装置用成形材料または部品の包装材、それを用いた包装方法および包装された半導体製造装置用成形材料または部品例文帳に追加

PACKAGING MATERIAL FOR MOLDING MATERIAL OR COMPONENT OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE, PACKAGING METHOD USING THE SAME, AND THE PACKAGED MOLDING MATERIAL OR COMPONENT FOR THE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE - 特許庁

合成するのが容易であり、高い電荷移動度を有し、半導体デバイス用の薄い、大面積のフィルムを形成するために容易に加工可能である、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。例文帳に追加

To provide a new material easily synthesized, having a high electric charge mobility, easily processable for forming a thin and large area film used for a semiconductor device, and used as the semiconductor or an electric charge transport material. - 特許庁

組成物及びその製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜例文帳に追加

COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING IT, POROUS MATERIAL AND METHOD FOR FORMING IT, INTERLAYER INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LOW-REFRACTIVE-INDEX SURFACE PROTECTIVE FILM - 特許庁

合成するのが容易であり、高い電荷移動度を有し、半導体デバイス用の薄い、大面積のフィルムを形成するために容易に加工可能である、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。例文帳に追加

To provide a novel material easy to be synthesized, having a high charge mobility, worked easily for forming a thin film of wide area for a semiconductor device, and used as a semiconductor or a charge transport material. - 特許庁

簡便な構成で半導体基板上にその伝播特性が可変な右手系材料、左手系材料による伝送線路を構成可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for constituting a transmission line, which is formed of a right handed material and a left handed material to be varied in the propagation characteristics, on a semiconductor substrate with a simple configuration. - 特許庁

パターヘッド１は、低比重金属材料よりなる前半体１０、高比重金属材料よりなる後半体２０及びゴム又は合成樹脂よるなるインサート３０により構成されている。例文帳に追加

This putter head 1 is composed of a front half body 10 made of a low specific gravity metallic material, a rear half body 20 made of a high specific gravity metallic material, and an insert 30 made of rubber or synthetic resin. - 特許庁

半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる中間層３０と、中間層３０上に形成された、酸化亜鉛系材料からなる半導体層２０とを備える。例文帳に追加

A semiconductor light emitting device is provided with a substrate 10, an interlayer 30 which consists of a zinc oxide-based material and is formed on the substrate 10 and a semiconductor layer 20 which consists of a zinc oxide-based material and is formed on the interlayer 30. - 特許庁

基板支持部１の半導体基板が載置される領域Ｘを、半導体基板を構成する材料よりも熱伝導度の高い材料で形成する。例文帳に追加

The region X, in which the semiconductor substrate of the substrate support part 1 is placed, is formed with a material having a thermal conductivity higher than that of the material used to form the semiconductor substrate. - 特許庁

本発明の太陽電池セルは、トップセルを構成する半導体材料が（Ａｌ_1-yＧａ_y）_1-xＩｎ_xＰであり、ボトムセルを構成する半導体材料がＧａＡｓ___l-zＳｂ_zであることを特徴とする。例文帳に追加

The top cell of this solar battery cell is made of a semiconductor material expressed by (Al_1-yGa_y)_1-xIn_xP, and the bottom cell of this cell is made of another semiconductor material which is expressed by GaAs_1-zSb_z. - 特許庁

成膜時の環境下での安定性に優れると共に、塗布等により容易に成膜できる液晶性有機半導体材料、そうした有機半導体材料からなる有機半導体層を有する有機半導体構造物及び有機半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal organic semiconductor material exhibiting excellent stability in an environment of film deposition and forming a film easily by coating or the like, and to provide an organic semiconductor structure having an organic semiconductor layer composed of such an organic semiconductor material, and an organic semiconductor device. - 特許庁

化合物半導体からなる基板１０上に、第１の半導体レーザ素子１と第２の半導体レーザ素子２とを集積した二波長半導体レーザにおいて、第１の半導体レーザ素子１のエッチングストップ層１５の構成材料を第２の半導体レーザ素子２のエッチングストップ層２５の構成材料よりも不純物を拡散させにくい材料とする。例文帳に追加

This two-wavelength semiconductor laser device is manufactured by integrating a first semiconductor laser element 1 and a second semiconductor laser element 2 on a substrate 10 composed of a compound semiconductor, wherein a constituting material for an etching stop layer 15 of the first semiconductor laser element 1 is a material in which impurities are harder to diffuse than in a constituting material for an etching stop layer 25 of the second semiconductor laser element 2. - 特許庁

そして、ｐ型有機半導体材料が、主鎖に電子供与性基および電子吸引性基を有する共重合体からなるｐ型共役系高分子を含み、正孔輸送層が、無機材料を主成分として含む無機材料層と有機材料を主成分として含む有機材料層との少なくとも２層からなる点に特徴を有する。例文帳に追加

The hole transport layer consists of at least two layers of an inorganic material layer containing an inorganic material as its main constituent and an organic material layer containing an organic material as its main constituent. - 特許庁

本方法は、半導体基板を覆って、１つの仕事関数を有する伝導性材料を絶縁して形成する工程（図２の工程２１６）、および伝導性材料の一部を改質して伝導性材料の仕事関数を変化させることによって、伝導性材料が第１ゲート電極を、また改質された伝導性材料が第２ゲート電極を形成するようにする工程（図２の工程２１８）を含む。例文帳に追加

This method includes a process 216 wherein conductive material having one work function is so formed as to cover an insulated semiconductor substrate, and a process 218 wherein part of the conductive material is reformed to change the work function of the conductive material, a first gate electrode is formed with the conductive material, and a second gate electrode is formed with the reformed part of the conductive material. - 特許庁

柔軟性に優れ、フィルム上に硬化塗膜を形成させた際もフィルムがカールしにくく、各種耐熱性コーティング材料や電気絶縁材料、例えばプリント配線基板の層間絶縁材料、ビルドアップ材料、半導体の絶縁材料等、耐熱性接着剤等の分野に有用な熱硬化性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermosetting resin composition excellent in flexibility, hardly curling film even on forming a cured coated membrane on the film, and useful in the fields of heat resistant adhesives, etc., such as various heat resistant coating materials, electric insulation materials, for example, an insulation material between the layers of a printed wiring board, a build up material, an insulation material of a semiconductor, etc. - 特許庁

本発明の結晶シートの製造方法は、冷却された基板の主面の片面または両面をシート材料の融液に接触させ、シート材料の結晶を基板上に成長させて結晶シートを製造する方法であって、シート材料は金属材料および／または半導体材料を含有し、基板は、シート材料からなる母材と、母材の一部または全面を覆う皮膜を有し、皮膜がシート材料と異なる材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

The sheet material comprises a metallic material and/or a semiconductor material, the substrate has a matrix formed of a sheet material and a film covering a part or an entire surface of the matrix, and the film is formed of a material which is different from the sheet material. - 特許庁

とりわけ、材料析出物生成方法について、機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料２内に欠陥を形成する工程４と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料２の熱処理を行う工程とを含む。例文帳に追加

Particularly, a forming method of the precipitates includes: a process 4 for forming defects in a semiconductor material 2 while forming defective regions by mechanical work or oxygen implantation; and a next process for carrying out heat treatment of the semiconductor material 2 while forming the precipitates in the defective regions. - 特許庁

有機半導体材料層のパターニング方法、半導体装置の製造方法、電界発光有機材料層のパターニング方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、導電性高分子材料層のパターニング方法、及び、配線層の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR PATTERNING ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PATTERNING ELECTROLUMINESCENT ORGANIC MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER LAYER, AND METHOD FOR FORMING WIRING LAYER - 特許庁

複合型半導体磁器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ_2Ｏ_3及びＡｌ_2Ｏ_3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結体１１である。例文帳に追加

The material is a composite sintered compact 11 of a semiconducting ceramic material having a spinel structure comprising ≥2 kinds of metal oxides selected from MnO, CoO, NiO, CuO, Fe2O3, and Al2O3 and a magnetic ceramic material comprising Ni-Zn-Cu-based ferrite. - 特許庁

この半導体素子Ｓを製造する方法は、各々の分子鎖長が相違する複数の材料のなかから当該半導体素子Ｓの閾値電圧Ｖthに応じた分子鎖長の材料を選定する工程と、ここで選定した材料によって特性制御層２２を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The process for forming the semiconductor element S comprises a step for selecting a material having a molecular chain length corresponding to the threshold voltage Vth of the semiconductor element S among a plurality of materials having different molecular chain lengths, and a step for forming the characteristics control layer 22 of a material thus selected. - 特許庁

多方向入力操作ボタン５は、半透明の材料からなる略円柱形状のボタンキー１２と、このボタンキー１２の周囲に設けられボタンキー１２と同材料または色彩の異なる半透明の材料からなる周囲部材１３とを有して形成される。例文帳に追加

This multi-way input operating button 5 comprises a generally cylindrical button key 12 formed with a translucent material and peripheral member 13 installed around the button key 12 and formed with the same material is that of the button key 12 or with a translucent material of a color different from that of the button key 12. - 特許庁

優れた耐食性を有し、汚染源となりにくく、半導体製造装置に好適に用いることができる複合材料、その複合材料の製造方法、及びその複合材料から形成される半導体製造装置用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a composite material excellent in corrosion resistance, hardly acting as a contaminant source, and suitable to be used for a semiconductor production apparatus, a method for producing the composite material, and a member from the composite material and used for the semiconductor production apparatus. - 特許庁

ターゲットである成膜材料の加熱手段を見直すことで、電子線がターゲットである成膜材料に正確に焦点を合わせることが出来るようにし、それ故成膜材料を効率良く安定して蒸発することが可能で、高純度の半導体膜を形成することを可能とする。例文帳に追加

To correctly focus an electron beam on a film deposition material as a target by improving a heating means for a film deposition material as a target, thus to stably evaporate the film deposition material with high efficiency, and to form a semiconductor film having high purity. - 特許庁

半導体材料１０は、シリコンよりもキャリアの移動度の高い半導体材料であり、エピタキシャル成長させたシリコンゲルマニウムまたはゲルマニウムを用いることができる。例文帳に追加

The semiconductor material 10 is a semiconductor material which is higher than silicon in the moving degree of a carrier and silicon germanium or germanium grown by epitaxial growth can be employed. - 特許庁

半田材料に非イオン界面活性剤、好ましくはポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルを被覆して被膜を形成せしめたダイボンド用半田材料、およびそれを用いたダイボンド方法。例文帳に追加

The die bonding material prepared by coating a solder material with a nonionic surfactant, more preferably polyoxyethylene sorbitan, fatty acid ester to form a film thereon and the die bonding method using the same. - 特許庁

実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。例文帳に追加

The method is a method to remove at least one of carbonized materials and organic materials from a semiconductor structure, in which the semiconductor structure is contacted with a superacid composition containing a superacid species. - 特許庁

この開示はアルミニウムベアリングIII−Ｖ族半導体材料およびこの半導体材料内に形成されたアルミニウムの原産酸化物を使用した技術の改善に関する。例文帳に追加

To improve a technique using an aluminum bearing III-V group semiconductor material and an aluminum original oxide formed in the semiconductor material. - 特許庁

ｐ側電極１１４と接する各々の半導体層の界面に、ｐ側電極１１４の材料と各々の半導体層材料とが合金化した化合物層１１５を形成する。例文帳に追加

A compound layer 115 resulting from alloying a material of the p-side electrode 114 and respective semiconductor layer materials is formed at interfaces of respective semiconductor layers in contact with the p-side electrode 114. - 特許庁

それから、次のロットの半導体基板上の材料膜に対してドライエッチング処理を順次行い、各半導体基板上に材料膜パターンを形成する。例文帳に追加

Therefrom dry etching treatment is successively performed to the material film on the semiconductor substrates of a next lot to form the material film pattern on each semiconductor substrate. - 特許庁

薄膜結晶層は、下地半導体層に対してタイプＩＩ型のエネルギバンド不連続となる材料、または、下地半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料で構成される。例文帳に追加

The thin film crystal layer is constituted of a material to be type II energy band discontinuity to the base semiconductor layer or a material having a band gap larger than the base semiconductor layer. - 特許庁

この方法は、基板の半導体材料内にトレンチを形成するステップであって、このトレンチが、やはり基板の半導体材料内に画定された一対のドープされたウェル間に配置された第１の側壁を有するステップを含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming a trench in a semiconductor material of a substrate, while the trench has a first side wall disposed between a pair of doped wells demarcated in the semiconductor material of the substrate. - 特許庁

ウエハまたはその上に形成されたフィルムの半導体材料の検査を望ましくは非破壊的に行なうために、半導体材料あるいはフィルムへの侵入を必要とせずにシート抵抗検査を行なう。例文帳に追加

To inspect sheet resistance without requiring penetration to a semiconductor material or a film, preferably, to nondestructively inspect a wafer or the semiconductor material of the film formed on the wafer. - 特許庁

赤外線検出素子1 は、希土類イオンでドープされた第１の半導体材料領域9 と、反対のドープ形Ｐの第２の半導体材料領域10とによって形成されるＰＮ接合部9 、10を備えている。例文帳に追加

An infrared detector device 1 is provided with P-N junctions 9 and 10, comprised of a first semiconductor material region 9 doped with rare-earth ions and a second semiconductor material region 10 of the oppositely doped type P. - 特許庁

エッチング装置１のエージングを行った後に、エッチング装置１を用いて１ロットの半導体基板上の材料膜に対してドライエッチング処理を順次行い、各半導体基板上に材料膜パターンを形成する。例文帳に追加

An etching device 1 is aged, then dry etching treatment is successively performed to a material film on the semiconductor substrates of one lot by using the etching device 1 to form the material film pattern on each semiconductor substrate. - 特許庁

ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。例文帳に追加

To enable the oxide film formation process and etching process of a nitride semiconductor material such as GaN to be executed efficiently without causing damage to the semiconductor material. - 特許庁

高分子有機電子材料の処理方法、高分子有機電子材料の製造方法、有機電界発光素子、電子写真用有機感光体、画像形成装置、有機半導体トランジスタ素子およびその製造方法、並びに半導体装置例文帳に追加

METHOD OF PROCESSING ORGANIC POLYMER ELECTRONIC MATERIAL, METHOD OF PRODUCING ORGANIC POLYMER ELECTRONIC MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, ELECTROPHOTOGRAFIC ORGANIC PHOTORECEPTOR, IMAGE FORMING APPARATUS, ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS - 特許庁