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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 半成材料に関連した英語例文

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半成材料の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2902



例文

次に、各導体井戸に近接して、材料ラインを形するために、パターン形されたマスクが用いられる。例文帳に追加

Next, a patterned mask is used to form a material line in the proximity of each semiconductor well. - 特許庁

微細パターン形材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形方法および導体装置の製造方法例文帳に追加

FINE PATTERN FORMING MATERIAL AND FINE PLATING PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

複数の第2の導体領域のそれぞれは、Si_1−xGe_x(0<x≦1)を主分とする材料で形されている。例文帳に追加

Each of the plurality of second semiconductor regions is made from a material containing Si_1-xGe_x (0<x≤1) as a main component. - 特許庁

母体101は、微結晶102を構する導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する材料から構されている。例文帳に追加

The mother substrate 101 includes a material having a band gap energy larger than that of the semiconductors constituting the microcrystals 102. - 特許庁

例文

また、母体101は、微結晶102a〜102dを構する導体より大きなバンドギャップエネルギーを有する材料から構されている。例文帳に追加

The matrix 101 is configured from a material having a greater band gap energy than the semiconductor making up the crystallites 102a to 102d. - 特許庁


例文

光画定可能な応力補償材料は、導体ウェハ11上に形され、開口部22はフォトリソグラフィ方法により形される。例文帳に追加

Stress compensating material which can be optically demarcated is formed on a semiconductor wafer 11, and an opening is provided through a photolithography method. - 特許庁

各種導体デバイスを形するための材料となる大型のIII族窒化物結晶およびその長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a large-sized group III nitride crystal for use as a material for forming many kinds of semiconductor devices, and a growing method thereof. - 特許庁

化学増幅レジスト用材料、感光性樹脂組物および該組物を導体装置の製造に使用する方法例文帳に追加

CHEMICALLY AMPLIFYING RESIST MATERIAL, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION AND USE METHOD OF THAT COMPOSITION FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

また、底板または上枠を互いに色相の異なる合樹脂材料にて略部ずつ形する。例文帳に追加

In addition, either the bottom plate or the upper frame is molded with a synthetic resin material having different color tone to each other only by a substantial half-segment. - 特許庁

例文

導体基板の非膜部分における金属系材料による汚染状態を容易かつ正確に評価し得る方法を提供すること例文帳に追加

To provide a method of easily and accurately assessing the state of contamination caused by a metal deposition material in a non-deposition portion of a semiconductor substrate. - 特許庁

例文

固液共存状態金属材料形用ダイカスト方法、その装置、凝固形用ダイカスト方法およびその装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING METALLIC MATERIAL IN SOLID-LIQUID COEXISTING STATE WITH DIE-CASTING, AND DIE-CASTING METHOD FOR FORMING SEMI-SOLIDIFICATION - 特許庁

凝固金属スラリー材料供給装置及び有底容器、供給方法並びに形装置及び形方法例文帳に追加

APPARATUS FOR FEEDING SEMISOLIDIFIED METALLIC SLURRY MATERIAL, VESSEL WITH BOTTOM, FEEDING METHOD, MOLDING APPARATUS, AND MOLDING METHOD - 特許庁

微細パターン形材料並びにこれを用いた微細めっきパターン形方法および導体装置の製造方法例文帳に追加

FINE PATTERN FORMING MATERIAL, FINE PLATING PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁

基板表面の特性、有機導体材料及びプロセスパラメータは、所望の核生及び結晶長が起るよう選択される。例文帳に追加

The surface characteristics of a board, organic semiconductor material, and process parameters are so selected as to form required nucleuses and to grow crystals. - 特許庁

本発明のバックグラインドテープ付き導電接続材料は、バックグラインドテープと、導電接続材料とが積層されてなるバックグラインドテープ付き導電接続材料であって、前記導電接続材料が、樹脂組物と、田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構される積層構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

This conductive connection material with a back grind tape is formed by laminating a back grind tape and a conductive connection material, wherein the conductive connection material includes a lamination structure comprising a resin composition and metal foil selected from solder foil or tin foil. - 特許庁

本発明のダイシングシート機能付き導電接続材料は、ダイシングシートと、導電接続材料とが積層されてなるダイシングシート機能付き導電接続材料であって、前記導電接続材料が、樹脂組物と、田箔又は錫箔から選ばれる金属箔とから構される積層構造を有することを特徴とする。例文帳に追加

The conductive connection material with a dicing sheet function consists of a dicing sheet and a conductive connection material which are laminated, wherein the conductive connection material has a laminated structure constituted by a resin composition and a metal film selected from a solder foil or a tin foil. - 特許庁

導体チップを実装する為のバンプ2を形しているバンプ付き配線回路基板1において、前記バンプ2が融点の異なる複数のバンプ材料を積層してり、且つ最表層のバンプ材料3が溶融する温度で、最表層より下層のバンプ材料4の内少なくとも1つ以上のバンプ材料は固体であることを特徴とするバンプ付き配線回路基板。例文帳に追加

In a wiring circuit board 1 with a bump forming a bump 2 for mounting semiconductor chip, the bump 2 is formed by laminating a plurality of bump materials of different fusing points and at least one or more of bump materials 4 of a lower layer of an outermost layer is solid at a fusing temperature of a bump material 3 of an outermost layer. - 特許庁

有機導体膜の形方法において、無機材料からなる下層絶縁膜、及び有材材料からなる上層絶縁膜が積層されてなるバンク層に区画された領域内に液状の材料を塗布する工程、及び前記液状の材料から溶媒分を除去する工程、を具備することを特徴とする。例文帳に追加

A method for forming the organic semiconductor film comprises: a step for applying a liquid material in a region surrounded by a bank layer that is formed by stacking an lower insulation film consisting of an inorganic material and an upper insulation film consisting of an organic material; and a step for removing a solvent component from the liquid material. - 特許庁

ゲート配線7は、チャネル層3にPN接合するチャネル層3とは異種の導体材料(ここではポリシリコンを主分とした導体材料)によって形されており、イオン注入によるゲート拡散層の形を不要とした構である。例文帳に追加

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated. - 特許庁

するのが容易であり、高い電荷移動度、良好な加工性および酸化安定性を有する、導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。例文帳に追加

To provide a novel material easily synthesized, having high charge mobility, good processability and oxidation stability and for using as a semiconductor or a charge transport material. - 特許庁

これにより、下地配線電極12aを構する電極材料、つまりn型導体に対するオーミック材料であるNiがBPSG絶縁膜10aに拡散することを防止することが可能となる。例文帳に追加

Thus, an electrode material constituting the base wiring electrode 12a, namely, Ni as an ohmic material to an n-type semiconductor can be prevented from diffusing in the BPSG insulating film 10a. - 特許庁

圧電材料を圧電トランス構にしたときに、ほぼ値に低下する圧電セラミックス材料特性値の、機械的品質計数Qm値を、ハイQm値とした圧電トランスを得る。例文帳に追加

To obtain a piezoelectric transformer furnished with a high mechanical quality coefficient value Qm, wherein Qm is a piezoelectric ceramic material characteristic value that otherwise degrades almost to a half value in constructing a piezoelectric transformer with the piezoelectric material. - 特許庁

本発明は、合が容易であり、高い電荷移動度、優れた加工性(processibility)を有する、導体または電荷移動材料として使用するための新しい有機材料を提供する。例文帳に追加

To provide an easily synthesizable new organic material having high charge transfer rate and excellent processability and useful as a semiconductor and a charge transfer material. - 特許庁

CVDによって誘電体材料上に均一でかつ制御されたサイズの導体材料のナノ構造を形する方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method for forming the nanostructure of a uniform and controlled-size semiconductor material on a dielectric material by using CVD method. - 特許庁

酸化物導体材料を用いた画素トランジスタ及び2つの容量素子を各画素に有する液晶表示装置において、一方の容量素子は、透光性を有する材料で構し、画素の開口率を向上させる。例文帳に追加

In a liquid crystal display device having a pixel transistor using oxide semiconductor material and two capacitive elements in each pixel, one capacitive element is made of material having translucency to improve an aperture ratio of the pixel. - 特許庁

優れた難燃性を有する熱硬化性樹脂、及びその熱硬化性樹脂を用いたプリプレグ、プリント配線板用積層板、導体封止材料、および材料を提供する。例文帳に追加

To provide a thermosetting resin having an excellent flame retardance and a prepreg, a laminate for printed wiring board, a semiconductor-sealing material as a well as a molding material using the resin. - 特許庁

導体素子がフリップチップ実装される基板を構する樹脂材料と、他の樹脂材料との密着強度が向上された回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a circuit device in which adhesion strength of a resin material constituting a substrate on which a semiconductor element is flip-chip mounted and the other resin material is improved. - 特許庁

この場合、ブレード部材に導電性部材が取り付けられるので、例えば、ブレード部材を弾性材料によって形するに当たり、弾性材料に導電性粒子が混入されないようにすることができる。例文帳に追加

In this case, because the semiconductive member is attached to the blade member, conductive particles are prevented from entering the elastic material, for example, when the blade member is formed of an elastic material. - 特許庁

本発明は導体製造工程の配線工程において、加熱すべき対象材料を選択的に加熱することにより熱処理装置の省エネルギ化及び低温加熱を達し、対象材料を改質することを課題とする。例文帳に追加

To realize energy saving and low temperature heating of thermal treatment equipment and to improve an objective material, by selectively heating the objective material to be heated in the wiring process of a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

が容易で、高い電荷移動度と優れた加工性を有し、導体または電荷輸送材料として使用できる新規な有機材料を提供する。例文帳に追加

To provide a new organic material, easily synthesized, having a high electric charge transferability and an excellent processability, and useful as a semiconductor or a charge transport material. - 特許庁

するのが容易であり、高い電荷可動性、良好な加工性および改善された酸化安定性を有する、導体または電荷移動材料として用いるための新規な材料を提供する。例文帳に追加

To obtain new readily synthesized materials of a monomer, an oligomer and a polymer comprising 2,6-azulene groups and having high charge mobility, good processability and improved oxidation stability and used as semiconductors or charge transfer materials. - 特許庁

するのが容易であり、高い電荷可動性、良好な加工性および改善された酸化安定性を有する、導体または電荷移動材料として用いるための新たな材料を提供する。例文帳に追加

To provide a new material to be used as a semiconductor or a charge transfer material that is easily synthesized and has high charge transfer ability, good processability and improved oxidation stability. - 特許庁

導体基板において、トレンチを充てんしている材料のボイド中に誘電体材料が配設されたシャロー・トレンチ分離構造およびそのシャロー・トレンチ分離構造を形する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a shallow trench separating structure that a dielectric material is located in voids of a material filled in the trench, and a method for forming its shallow trench separating structure concerning a semiconductor substrate. - 特許庁

強誘電体材料や高誘電率材料の構元素であるTiやPbなどがSiO_2 膜や導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。例文帳に追加

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion. - 特許庁

耐湿性、電気特性に優れる硬化物を与えるエポキシ樹脂組物、および、特に、電気積層板、導体封止材料等の電気・電子材料用途や粉体塗料に有用なその硬化物を提供すること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition providing a cured product excellent in moisture resistance and electric characteristics and a cured product thereof useful for electric and electronic material application such as laminated board and semiconductor sealing material and powder coating. - 特許庁

有機薄膜トランジスタの製造装置80では、基板16上に配線材料導体材料の少なくともいずれかを含む液体31を塗布して、多数の有機薄膜トランジスタを形する。例文帳に追加

In a manufacturing device 80 for an organic thin film transistor, liquid 31 containing at least either a wiring material or a semiconductor material is applied on a substrate 16 to form multiple organic thin film transistors. - 特許庁

樹脂、または樹脂に粉末状の機能材料を混合してなる複合材料を薄い板状に形して硬化したプリプレグ9bを作製する。例文帳に追加

Resin or compound material wherein powder type functional material is mixed with resin is formed in a thin plate type and semi-cured, and a prepreg 9b is formed. - 特許庁

そして、凹部2c内及びトレンチ14内に絶縁材料を埋め込むことにより埋込絶縁膜5及びSTI7を形し、ハードマスク材料膜を除去する。例文帳に追加

By embedding an insulation material in the recessed parts 2c and the trenches 14, half-embedded insulation films 5 and STIs 7 are formed, and the hard mask material film is removed. - 特許庁

SOI基板を用いずに、単に導電材料を堆積するだけで素子形領域を導電材料によって取り囲むことができる導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which surrounds element formation regions by a conductive material simply by depositing the conductive material without using an SOI substrate. - 特許庁

特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機電荷輸送性材料薄膜を形し得る有機導体材料を提供し、これを用いたスイッチング素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material for forming a thin film of an organic charge transporting material having a high carrier mobility by a simple process without requiring any special orientation technology, and to provide a switching element employing it. - 特許庁

次に、樹脂材料を含む液体材料を配線パターン32と前記導通ポスト34の周囲に隙間を空けて配置し、乾燥処理によって、未硬化状態若しくは硬化状態の樹脂膜54Bを形する。例文帳に追加

Then, a liquid material containing a resin material is arranged around the wiring pattern 32 and the conduction post 34 with a space left between, and then dried to form an uncured or half-cured resin film 54B. - 特許庁

各導電性材料52が絶縁性材料53によって絶縁されて構されたダイシングテープ50を導体ウエハ30の裏面側に貼り付ける。例文帳に追加

A dicing tape 50 comprising conductive materials 52 insulated by an insulating material 53 is attached to the back side of the semiconductor wafer 30. - 特許庁

また、凹状パターン1a内に、導体材料からなる塗布系材料を印刷供給し、これを固化させることにより活性層7aを形する。例文帳に追加

In the concave pattern 1a, a painted material made of semiconductor material is supplied by printing, and an active layer 7a is formed by making this solidified. - 特許庁

良好な難燃性と光学特性、特に透明性とを兼ね備え、工業用材料、特に導体製造装置や液晶製造装置などの材料として好適に使用される塩化ビニル系樹脂形体を提供する。例文帳に追加

To provide a vinyl chloride-based resin molding having high flame retardancy and optical characteristics, especially transparency, and suitably used for an industrial material, especially a material for a semiconductor manufacturing device or a liquid crystal manufacturing device. - 特許庁

樹脂または樹脂と機能材料粉末を混合した複合材料によって多層構造に構されている基板8と、該基板8に内蔵または搭載された導体部品19とを備える。例文帳に追加

The module includes a substrate 8 having a multi-layered structure of a composite material made of resin or a mixture of resin and functional material and a semiconductor 19 incorporated in or mounted on the substrate 8. - 特許庁

導電性基板(101)に微粒子(102)を規則正しく二次元最密状に配列させ(a)、配列した微粒子(102)をマスクとして、導電性材料または導体材料膜する(b)。例文帳に追加

(a) Fine particles 102 are regularly arranged on a conductive substrate (101) in a two-dimensional tightly deposited state, and (b) a conductive material or a semiconductor material is deposited using arranged fine particles (102) as a mask. - 特許庁

硬化物の耐熱性と強度とに著しく優れる光導体封止材料、繊維強化複合材料等に適したエポキシ樹脂組物を提供すること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition suitable for an optical semiconductor sealing material and a fiber-reinforced composite material outstandingly excellent in heat-resistance and strength of a cured product. - 特許庁

放射線防御手段は、ガンマ線に対するバリアを形しており、キャニスターの径方向に沿って重ねられた第1の金属製放射線防御材料30と第2の金属製放射線防御材料32を有している。例文帳に追加

The radiation protecting means forms a barrier against gamma radiation, and includes a first metal radiation protection material 30 and a second metal radiation protection material 32 that are stacked in the radial direction of the canister. - 特許庁

そして、凹部2c内及びトレンチ14内に絶縁材料を埋め込むことにより埋込絶縁膜5及びSTI7を形し、ハードマスク材料膜を除去する。例文帳に追加

A semi-buried insulation film 5 and an STI7 are formed by burying an insulating material inside the recess part 2c and the trench 14, and the hard mask material film is removed. - 特許庁

例文

熱電変換材料43は、多孔体45の柱状の細孔46内に熱電物質(導体材料)47を導入して得られるナノワイヤからる。例文帳に追加

The thermoelectric material 43 is made of nanowires obtained by introducing a thermoelectric substance (semiconductor material) 47 into pillar pores 46 of a porous member 45. - 特許庁

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