「半成材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

エポキシ樹脂成形材料の製造方法及び半導体装置例文帳に追加

PRODUCTION OF EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR APPARATUS - 特許庁

該エポキシ樹脂組成物と、充填剤とを含む半導体封止材料。例文帳に追加

The semiconductor-sealing material comprising the epoxy resin composition and a filler. - 特許庁

Ｉｎ２Ｏ３材料およびそれより成る半導体装置、システム例文帳に追加

In2O3 MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM CONSISTING OF THE SAME - 特許庁

難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材料例文帳に追加

FLAME-RETARDANT EPOXY RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR-SEALING MATERIAL USING THE SAME - 特許庁

半導電性加硫ゴム用組成物、その加硫ゴム材料、および加硫ゴム部材例文帳に追加

COMPOSITION FOR SEMICONDUCTIVE VULCANIZED RUBBER, ITS VULCANIZED RUBBER MATERIAL AND VULCANIZED RUBBER MEMBER - 特許庁

半導体チャネルとして有機／無機混成材料を有する薄膜トランジスタ例文帳に追加

THIN-FILM TRANSISTOR HAVING ORGANIC/INORGANIC MATERIAL AS SEMICONDUCTOR CHANNEL - 特許庁

熱バックルビーム部は、ポリシリコンなどの半導体材料で形成される。例文帳に追加

The buckle beam part is formed of a semiconductor material such as polysilicon. - 特許庁

酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子例文帳に追加

OXIDE INSULATING MATERIAL, METHOD OF FORMING THE SAME AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

シリコン化合物、絶縁膜形成材料及び半導体装置例文帳に追加

SILICON COMPOUND, INSULATING FILM FORMING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR APPARATUS - 特許庁

導電性材料（９）は、第１の半導体層（２）にコンタクトを形成する。例文帳に追加

A conductive material (9) forms contact with the first semiconductor (2). - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の梱包方法例文帳に追加

PACKAGING METHOD FOR EPOXIDE RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR - 特許庁

誘電体材料およびこれを用いた半導体素子形成方法例文帳に追加

DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING IT - 特許庁

相変化材料を含むメモリ装置、半導体装置、及びその形成方法例文帳に追加

MEMORY DEVICE CONTAINING PHASE CHANGE MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME - 特許庁

接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置例文帳に追加

ADHESIVE COMPOSITION, CIRCUIT CONNECTION MATERIAL, CONNECTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

INSULATING FILM FORMING MATERIAL AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

微細パターンの形成方法、パターン保護材料と半導体装置例文帳に追加

FINE PATTERN FORMING METHOD, PATTERN PROTECTIVE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

シリコーン系材料組成物、シリカ系被膜及び半導体装置例文帳に追加

SILICONE-BASED MATERIAL COMPOSITION, SILICA-BASED FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性樹脂組成物およびこれを用いた半導体封止材料例文帳に追加

FLAME RETARDANT RESIN COMPOSITION AND SEALING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR USING THE SAME - 特許庁

非導電性成形材料102が半導体ダイ108を封入している。例文帳に追加

A non-conductive molding material 102 encapsulates the semiconductor die 108. - 特許庁

半金属元素又は金属元素を主成分とする材料の精製方法例文帳に追加

METHOD FOR PURIFYING MATERIAL CONTAINING METALLOID ELEMENT OR METAL ELEMENT AS MAIN COMPONENT - 特許庁

半結晶性材料から回転成形部品を製造する方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR ROTARY MOLDED COMPONENT FROM SEMI-CRYSTALLINE MATERIAL - 特許庁

半導体系熱電材料における耐環境性被覆膜の自己形成法例文帳に追加

SELF FORMATION METHOD OF ENVIRONMENTAL RESISTANCE COATED FILM IN SEMICONDUCTOR-BASED THERMOELECTRIC MATERIAL - 特許庁

材料析出物生成方法および半導体ウェハ製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF MATERIAL PRECIPITATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

被膜形成材料、絶縁膜の製造方法及び半導体装置例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

難燃性樹脂組成物およびこれを用いた半導体封止材料例文帳に追加

FLAME-RETARDANT RESIN COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL USING THE SAME - 特許庁

そして、導電性材料であるｐ型の半導体材料２とｎ型の半導体材料３とを、絶縁性材料４と導体性材料５とで結合し、これらが交互に積層されてなるハニカム構造体１から構成されるハニカム型の熱電素子を形成する。例文帳に追加

P-type semiconductor material 2 and n-type semiconductor material 3, both of which are conductive materials, are joined by the insulating material 4 and the conductive material 5 and these semiconductor materials 2, 3 are alternately stacked to make up a honeycomb structure 1, of which a honeycomb thermoelement is constituted. - 特許庁

半導体ヘテロ接合材料の電流−電圧特性に現れる電気抵抗成分を減少させる半導体ヘテロ接合材料を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor hetero junction material for reducing electric resistance components appearing in the current-voltage characteristics of the semiconductor hetero junction material. - 特許庁

第１の層の上に、第１の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第２の半導体材料からなる第２の層を成長させる。例文帳に追加

The second layer comprising the second semiconductor material having etching resistance different from the first semiconductor material is grown on the first layer. - 特許庁

有機半導体薄膜用材料、該材料を用いた有機半導体薄膜の形成方法および有機薄膜トランジスタ例文帳に追加

MATERIAL FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM USING THE SAME - 特許庁

第２の層の上に、第２の半導体材料とはエッチング耐性の異なる第３の半導体材料からなる第３の層を成長させる。例文帳に追加

The third layer consisting of the third semiconductor material having etching resistance different from the second semiconductor material is grown on the second layer. - 特許庁

半導体材料層４０１Ａの局部は外部に第１種雑質が混合されて、第１種の半導体材料区域４０３Ａを形成する。例文帳に追加

A first different material is mixed outside a part of the semiconductor material layer 401 A to form a first semiconductor material area 403A. - 特許庁

半導体材料からなる支持基板の上に、支持基板と同一の半導体材料で形成されたバッファ層が配置されている。例文帳に追加

A buffer layer formed of the same semiconductor material as that of a retaining substrate is arranged on the retaining substrate composed of semiconductor material. - 特許庁

支持層の表面上に、第１の半導体材料とは異なる第３の半導体材料からなる第１の層をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

A first layer composed of third semiconductor material different from the first semiconductor material is epitaxially grown on the surface of the retaining layer. - 特許庁

Ｃｒ−Ｎｉ基合金材料、半製品、燃焼機関用構成部品と、Ｃｒ−Ｎｉ基合金材料および半製品の製造方法例文帳に追加

Cr-Ni-BASED ALLOY MATERIAL, SEMI-FINISHED PRODUCT, COMPONENT FOR COMBUSTION ENGINE, AND METHOD FOR MANUFACTURING Cr-Ni-BASED ALLOY MATERIAL AND SEMI-FINISHED PRODUCT - 特許庁

本発明は、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜上に形成される半導体材料を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor material, especially a semiconductor material on a film, which is excellent in electrical characteristics. - 特許庁

本発明は、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor material of superior electrical characteristics, especially one formed into a films. - 特許庁

この半田濡れ金属膜１６を構成する金属材料（第２の金属材料）としては、上記第１の金属材料に比して酸化物形成の自由エネルギーが高い材料が用いられる。例文帳に追加

A material having higher free energy of forming an oxide than that of the first material is used as a metal material (second metal material) configuring the solder wettable metal film 16. - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料接着用プライマー組成物及び半導体装置例文帳に追加

PRIMER COMPOSITION FOR ADHESION OF EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICES - 特許庁

半導体層で用いることが可能な有機半導体材料を生成して、電子デバイスを作成する。例文帳に追加

To form an electronic device by generating an organic semiconductor material that can be used in a semiconductor layer. - 特許庁

硬化性組成物、電子材料用組成物、半導体装置、および半導体装置の製造方法例文帳に追加

CURABLE COMPOSITION, COMPOSITION FOR ELECTRONIC MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）７４と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。例文帳に追加

The patterned layers include a patterned, perforated or pierced mask 74 made of insulating, semiconducting or metallic material, and materials filling holes in the mask. - 特許庁

パターニングされた層は、パターニングされ穿孔または貫通されたマスク７４（絶縁材料または半導性材料または金属材料から構成されている）と、マスク内のホールを充填する材料とを備えている。例文帳に追加

The patterned layers include a patterned, perforated or pierced mask 74 made of insulating, semiconducting or metallic material, and materials filling holes in the mask. - 特許庁

ここで、前記高屈折率半導体材料は回折格子を構成する半導体材料のうち、最もバンドギャップエネルギーが小さい半導体材料に相当する。例文帳に追加

Here, a high refractive index semiconductor material is made to correspond to a semiconductor material having the smallest band gap energy among semiconductor materials constituting the grating. - 特許庁

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。例文帳に追加

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface. - 特許庁

半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置例文帳に追加

EPOXY RESIN MOLDING MATERIAL FOR SEALING SEMICONDUCTOR AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁