「半長形」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

成長用基板の上に半導体膜を形成する。例文帳に追加

The semiconductor film is formed on a substrate for growth. - 特許庁

半導体の結晶成長方法、結晶成長装置及びそれらを用いて形成された半導体基板例文帳に追加

METHOD FOR SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH, CRYSTAL GROWING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURED BY USING THESE - 特許庁

変形した半導体微粒子を覆うように、半導体基板の上に半導体膜を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor film grows on the semiconductor substrate so as to cover deformed semiconductor fine grains. - 特許庁

取付孔３４は、両端が半円形をなす長円形をなす。例文帳に追加

The mounting hole 34 has an oval shape while both ends show semicircles. - 特許庁

第２の半導体素子７は第１の半導体素子４より小形でかつ細長形状を有する。例文帳に追加

The second semiconductor element 7 is smaller than the first semiconductor element 4, and has a slender shape. - 特許庁

アングル形状部３４は半導体モジュール長手方向全長に渡って形成している。例文帳に追加

The angle-shaped part 34 is formed over the whole length in the longitudinal direction of the semiconductor module. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体素子、多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層及び多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層の形成方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER - 特許庁

半成形長尺鋼管１と半成形短尺鋼管２を、半成形短尺鋼管２を梁材連結位置として長さ方向で溶接結合５して半成形鋼管柱７を形成した。例文帳に追加

The semiformed long steel pipe 1 and the semiformed short steel pipe 2 are welded and connected 5 in the direction of length using the semiformed short steel pipe 2 as a beam member connection position to form a semiformed steel pipe column 7. - 特許庁

一方、リングＤ１の下半分Ｄｂは、長軸の長さが２ｒ_ａで短軸の長さがｒｂ（＜ｒａ）の楕円の下半分の形状を有している。例文帳に追加

A ring D2 is also composed in the same way. - 特許庁

所定の板厚ｔの半成形長尺鋼管１と、半成形長尺鋼管１よりも板厚が厚くＴかつ梁材連結部を形成する長さＬの半成形短尺鋼管２を有する。例文帳に追加

This steel pipe column has a semiformed long steel pipe 1 having a predetermined plate thickness t and a semiformed short steel pipe 2 having a larger plate thickness than that of the semiformed long steel pipe 1, forming a beam member connection part, and having a length L. - 特許庁

所定の板厚ｔの半成形長尺鋼管１と、半成形長尺鋼管１よりも板厚が厚くＴかつ梁材連結部を形成する長さＬの半成形短尺鋼管２を有する。例文帳に追加

The steel tube column consists of a semi-formed long size steel tube 1 having a prescribed plate thickness (t) and a semi-formed short size steel tube 2 having a plate thickness T thicker than the semi-formed long size steel tube 1 and a length L forming a beam joining part. - 特許庁

純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する例文帳に追加

To provide a chemical vapor deposition semiconductor film forming apparatus that forms a semiconductor film of uniform impurity concentration by chemical vapor deposition. - 特許庁

半導体基板上に形成される半導体装置であって、半導体基板の特長を有効に利用することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device formed on a semiconductor substrate which validly uses the characteristics of the semiconductor substrate. - 特許庁

上記距離が長い箇所には、半田バンプ３４よりも大きい半田バンプ３３が形成されている。例文帳に追加

The solder bump 33 larger than the solder bump 34 is formed on a part where the distance mentioned above is long. - 特許庁

半導体基板１０上に、半導体層１６Ａ、１６Ｂがエピタキシャル成長により形成される。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 10, semiconductor layers 16A and 16B are epitaxially grown. - 特許庁

半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および触媒化学気相成長装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND CATALYTIC CHEMICAL VAPOR PHASE GROWING APPARATUS - 特許庁

半導体発光素子のための半導体積層を成長基板の主面上に形成する。例文帳に追加

The semiconductor layer for the semiconductor light emitting element is formed on the main surface of the growing substrate. - 特許庁

半導体バー１２は、複数の半導体素子が長手方向に連接されて板状に形成されている。例文帳に追加

The semiconductor bar 12 is formed in a plate shape by connecting a plurality of semiconductor elements in a length direction. - 特許庁

細長い茎とベル形の青い花のある北半球の多年生植物例文帳に追加

perennial of northern hemisphere with slender stems and bell-shaped blue flowers  - 日本語WordNet

気相成長装置およびＩＩＩ族窒化物半導体膜の形成方法例文帳に追加

VAPOR PHASE GROWTH APPARATUS AND METHOD FOR FORMING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

一連のエピタキシャル成長工程で厚い半導体層を形成する。例文帳に追加

To form a thick semiconductor layer through series of epitaxial growing processes. - 特許庁

ＥＬＯ成長で形成される半導体光素子の効率を向上させる。例文帳に追加

To improve the efficiency of a semiconductor optical element formed through ELO growth. - 特許庁

枕１０は、平面視形状が長方形状であり、長方形の一長辺に沿う部分が半円柱形状部１１となっており、残余の部分が該半円柱形状部１１に連なる板形状部１２となっている。例文帳に追加

This pillow 10 has a rectangular shape in a plan view, in which the part laid along one long edge of the rectangular is a semi-cylindrical part 11, and the remainder is a plate-like part 12 continued to the semi-cylindrical part 11. - 特許庁

半導体膜の結晶成長を行うための成長用基板に凹部を形成する。例文帳に追加

Recesses are formed on a substrate for growth for performing crystal growth of semiconductor films. - 特許庁

液相成長法、液相成長法によって形成されるシリコン層及び半導体素子例文帳に追加

LIQUID PHASE GROWTH METHOD, SILICON LAYER FORMED BY THE SAME, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁

気相成長方法、及び気相成長方法により形成された化合物半導体膜例文帳に追加

VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD AND COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM FORMED BY VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD - 特許庁

成長用基板の上に気相成長法によって半導体膜を形成する。例文帳に追加

The semiconductor film is formed on a growing substrate by the vapor phase epitaxy method. - 特許庁

フォトレジストパターン形成方法、マスクパターン形成方法、半導体結晶の成長方法、半導体基板の製造方法、および半導体基板例文帳に追加

PHOTORESIST PATTERNING METHOD, MASK PATTERNING METHOD, PROCESS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

半田付け用ランドの形状は、例えば楕円形状、あるいは長円形状である。例文帳に追加

The soldering land is, for example, in an ellipsoidal or elliptic shape. - 特許庁

半成形長尺鋼管１と半成形短尺鋼管２は、内周形状を最終製品形状よりも大きくして同一状に形成し、半成形短尺鋼管２を梁材連結位置として長さ方向で溶接結合して半成形鋼管柱５を形成する。例文帳に追加

The semi-formed long size steel tube 1 and the semi-formed short size steel tube 2 are formed larger than a final product shape and in the same shape, a semi-formed steel tube column 5 is formed by welding/joining the semi-formed short size steel tube 2 at a beam joining position in the longitudinal direction. - 特許庁

基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板上に第１の窒化物半導体を成長後、凹凸を形成し、熱処理、又は電磁波照射により分解面を形成し、第２の窒化物半導体を成長させる。例文帳に追加

In this method for growing the nitride semiconductor on the substrate, after growing a first nitride semiconductor on the substrate, ruggedness is formed, a decomposition surface is formed through heat treatment or electromagnetic wave irradiation, and a second nitride semiconductor is grown. - 特許庁

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。例文帳に追加

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface. - 特許庁

前記成長用基板の前記非マスク部から半導体膜をエピタキシャル成長させて前記マスク上を覆う半導体層を形成する。例文帳に追加

A semiconductor film from the non-mask portion of the growth substrate is epitaxially grown to form a semiconductor layer covering the mask. - 特許庁

成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。例文帳に追加

To provide a method of separating a growth substrate from a semiconductor layer with high reproducibility even when the semiconductor layer formed on the growth substrate is thin. - 特許庁

吐出ノズル６６は，ウェハＷの半径よりやや長い細長形状であり，アームによってウェハＷの半径上に移動できる。例文帳に追加

A discharge nozzle 66 has a slender shape of a length slightly larger than the radius of a wafer W, and can be moved on the radius of the wafer W by an arm. - 特許庁

基板露出面だけへの半導体薄膜の選択成長、酸化物パターン面む含む全面に半導体薄膜の成長、あるいは高濃度に不純物を含む半導体薄膜の成長が可能で、各種半導体装置の形成に適する半導体薄膜成長装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor thin film growing device suitable for forming various semiconductor devices for selectively growing a semiconductor thin film only on a substrate exposed surface, growing a semiconductor thin film over the whole face including an oxide pattern face, and growing a semiconductor thin film containing impurities at a high concentration. - 特許庁

貫通孔（12-2）の形状は、特に限定されないが、一文字、丸、長円、楕円、半円、半楕円、各種の三角形、その他の形状とされる。例文帳に追加

The shape of the penetrating hole (12-2) is especially not limited, but includes a straight line, a circle, an ellipse, an oval, a semicircle, a semioval, and other shapes. - 特許庁

貫通孔（12-2）の形状は、特に限定されないが、一文字、丸、長円、楕円、半円、半楕円、各種の三角形、その他の形状とされる。例文帳に追加

There is no particular restriction on the form of the through-hole 12-2, and the examples of the form are a straight line, a circle, an oval form, an elliptic form, a semicircular form, a semi-elliptic form, various triangles and other forms. - 特許庁

単一の半導体基板上に複数の半導体レーザを順次成長させて良好な特性を有する半導体レーザ素子を形成する。例文帳に追加

To form a semiconductor laser element having proper characteristics, by sequentially growing a plurality of semiconductor lasers on a single semiconductor substrate. - 特許庁

その後、第１の半導体層１１の上に少なくとも１つの他の半導体層１２を成長させ、それによって半導体層構造を形成する。例文帳に追加

One or more further semiconductor layers 12 are then grown over the first semiconductor layer 11, to thereby form the semiconductor layer structure. - 特許庁

平面で細長い四角形となる半導体チップを製造する際に、１枚の半導体ウェハから取得できる半導体チップ数を向上させる。例文帳に追加

To increase the number of semiconductor chips obtained from one semiconductor wafer when the chip of a slender square shape in plane is fabricated. - 特許庁

長方形の板状のものに、真ん中から左右半分ずつに分け、左が表半分なら右が裏半分、それぞれに凸部を設ける。例文帳に追加

Three projections are formed on the front side of the left half and three projections are formed on the rear side of the right half. - 特許庁

半球形の形をした、イラン北部の小さくて生長の遅い落葉性高木例文帳に追加

a small slow-growing deciduous tree of northern Iran having a low domed shape  - 日本語WordNet

折り紙を、長方形になるように半分に折ってから、「とびら」の形にしたもの。例文帳に追加

It is the shape of a 'door' created by folding paper in half to be rectangle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体基板２は、上方から見た状態で、長方形に形成されている。例文帳に追加

The semiconductor board 2 of the bidirectional thyristor has an oblong shape in a top view. - 特許庁