「孔密度」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目)

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孔密度の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 661件

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例文

密度が１００〜１０００ｋｇ／ｍ^3 である芳香族ポリイミドの発泡体又は芳香族ポリイミドの発泡体によって形成された軽量ポリイミド成形体を、不活性ガス雰囲気下又は真空中で６００℃以上の温度で炭化して得られる、高強度で且つ寸法安定性の高い軽量な炭素多孔体。例文帳に追加

The lightweight carbon porous body having high strength and high dimensional stability is obtained by carbonizing an aromatic polyimide foam having density of 100-1,000 kg/m^3 or a lightweight polyimide shaped body formed from the aromatic polyimide foam, at a temperature of ≥600 °C under an inert gas atmosphere or under vacuum. - 特許庁

脂肪族ポリケトン不織布を電極セパレーターとして用いた高エネルギー密度（高容量）で、内部抵抗の小さい生産性の良いコンデンサー、および、薄くて強靱で、耐熱性、寸法安定性、電気絶縁性、耐薬品性、低吸水性に優れ、かつ、均一で多孔性のコンデンサー用電極セパレーターを提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor assuring higher energy density (high capacitance) using aliphatic polyketone unwoven cloth as an electrode separator and excellent productivity with small internal resistance; and also to provide a thin and rigid electrode separator for uniform and porous capacitor showing excellent heat resistance, size stability, electric insulation property, anti-chemical property, and moisture-proof property. - 特許庁

粒状の廃架橋高分子材料２０を成形機４の金型に所定の密度で充填した後、前記金型内に高温蒸気を噴出して前記廃架橋高分子材料の粒２０表面を溶融させて隣接する廃架橋高分子材料の粒２０相互を部分的に融着させて廃架橋高分子材料を用いた多孔質成形体を製造させる。例文帳に追加

The method for producing a porous formed product by using the crosslinked polymer material comprises packing a granular waste crosslinked polymer material 20 in a prescribed density into a mold of a forming machine 4, jetting high-temperature steam into the mold, melting the surface of particles 20 of the waste crosslinked polymer material and partially fusing particles 20 of adjacent waste crosslinked polymer materials. - 特許庁

電極において、活物質等の粉末の保持性及び集電性が焼結式及び３ＤＭ式の電極（発泡性ニッケル多孔基体やニッケル繊維基体に活物質粉末などのペーストを高密度に充填する電極）と同等であり、高率放電特性やサイクル寿命に優れ、且つ、軽量で低コストである電極とその製造法を提供し、さらにその電極を用いることによる軽量な二次電地を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode of light weight and low cost and its manufacturing method, equivalent to an electrode of which sustainability and collectivity of powder of active substance or the like is sintered type or 3DM type, and further, to provide a light-weight secondary battery using the electrode. - 特許庁

例文

従来の結晶成長方法がそのまま適用可能で、かつ従来よりも大幅に欠陥密度の少ないＧａＮ単結晶のエピタキシャル成長を可能とするＧａＮ結晶成長用下地基板としての多孔質基板とその製造方法、ＧａＮ系半導体積層基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a porous substrate used as a base substrate for growing GaN crystals, which enables epitaxial growth of GaN single crystals through a conventional crystal-growth process but with a smaller defect density than that of a conventional one, a substrate onto which a GaN semiconductor is mounted and their manufacturing processes. - 特許庁

例文

反応ガスは第二電極１５へシャワー状に中空孔加工されたガス噴出口２２から導入され、高周波電力と低周波電力の結合により発生した高密度で高エネルギーなプラズマ中の荷電粒子が被処理物を囲む第二電極間１５で左右交互に加速且つ揺り動かされる。例文帳に追加

Reactive gas is introduced like a shower to a second electrode 15 from hollowly processed gas ejecting holes 22, and charged particles in plasma having high density and high energy which is generated by combination of high frequency power and low frequency power are horizontally and alternately accelerated and swung between the second electrodes 15 surrounding the object to be processed. - 特許庁

紙基体上にインク受容層を少なくとも２層有し、その最表層が熱可塑性ラテックス樹脂を含む多孔質からなり、インクジェット記録後、最表層を加熱透明化処理することのできるインクジェット記録媒体であって、前記紙基体のＪＩＳＰ８１１８による見かけ密度が０．９５〜１．１５ｇ／ｃｍ^3であることを特徴とするインクジェット記録媒体。例文帳に追加

The ink jet recording medium is formed such that it has at least two layers of ink acceptable layers on a paper base body, the uppermost surface layer of which consists of porosity containing a thermoplastic latex resin, and also it can be subjected to a heat transparency treatment, and further its apparent density is 0.95-1.15 g/cm3 according to JISP8118 of the paper base body. - 特許庁

シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。例文帳に追加

In this square silica vessel for manufacturing a polycrystalline silicon ingot by solidifying silicon melt, which is constituted by combining parallel planar porous silica plates comprising porous silica, a mold release accelerator for accelerating mold release of the polycrystalline silicon ingot is included in at least a part of an inside surface part, and a bulk density of the porous silica plates is lower at an inner part than surface parts of both parallel planes. - 特許庁

ポリエチレン系樹脂１００質量部に対して、無機充填剤を５０〜２００質量部含んでなるフィルムを、少なくともフィルムの流れ方向に延伸して多孔化した多孔質フィルムであって、前記ポリエチレン系樹脂が、Ｚ平均分子量（Ｍｚ）が３０万以上であり、エチレンと炭素数が６以上のα−オレフィンとの共重合体よりなる線状低密度ポリエチレンを含んでなることを特徴とするポリエチレン系多孔質フィルム。例文帳に追加

The porous film is obtained by stretching a film comprising 100 pts.mass polyethylene based resin and 50-200 pts.mass inorganic filler at least in the film flowing direction to render the film porous, and the polyethylene based resin has a Z-average molecular weight (Mz) of not less than 300,000 and comprises a linear low density polyethylene composed of a copolymer of ethylene and a ≥6C α-olefin. - 特許庁

例文

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。例文帳に追加

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light. - 特許庁

例文

０．０５〜０．４ｍｍの径を有する複数の噴出孔を備えた噴出ノズルから、炭化水素系溶媒中に金属成分を逆ミセルとして含有する原料液を、煙霧状に、反応管内に噴出することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法であり、二重管ノズルの噴出孔から噴出される原料液の流量Ｘを横軸にし、水素ガス噴出管から噴出される水素ガスのガス密度ρ及び水素ガス噴出管の噴出口の単位面積あたりの流量である水素ガス流量ｑの二乗の積ρ・ｑ^２を縦軸とするグラフにおいて、以下の関係式を満たす条件下に、原料液及び水素ガスを噴出することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing single wall carbon nanotubes is carried out by jetting a source liquid containing a metal component as reversed micelle in a hydrocarbon solvent like fume through a jet nozzle having a plurality of jetting holes having diameters of 0.05 to 0.4 mm into a reaction pipe. - 特許庁