「島状薄膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

透光性絶縁基板101の表面上に絶縁膜102を堆積し、前記絶縁膜上と透光性絶縁基板の裏面の両面に非晶質シリコン薄膜103a,103bを堆積し、前記絶縁膜上の非晶質シリコン薄膜を島状に形成し、前記島状に形成された非晶質シリコン薄膜にレーザー光106を照射してポリシリコン薄膜104a,104bを形成する。例文帳に追加

An insulation film 102 is deposited on the surface of a transmissive insulating substrate 101, amorphous thin silicon films 103a, 103b are deposited on the insulation film and the rear surface of the transmissive insulating substrate, the amorphous thin silicon film on the insulation film is formed insularly and irradiated with laser light 106 to form thin polysilicon films 104a, 104b. - 特許庁

島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lのソース側かドレイン側のどちらか片側において、ゲート電極ＧＴを該島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの輪郭に沿って切れ目なく延長させて分岐閉路ＤＥＴを設け、サブチャネルとなる島状半導体薄膜ＳＥＭＩ−lの端部の電流成分経路を無くす。例文帳に追加

In either one side of the source side or the drain side of the island-type semiconductor thin film SEMI-l; a branch closed circuit DET is provided by extending a gate electrode GT endlessly along the profile of the island-type semiconductor thin film SEMI-l, to eliminate the current component route at the end of the island-type semiconductor thin film SEMI-l which will become a sub channel. - 特許庁

反射型液晶表示装置において、薄膜トランジスタの半導体層と同層にマトリクス状に島状パターンを形成する。例文帳に追加

In the reflection type liquid crystal display device, island-shaped patterns are formed in a matrix shape on the same layer as the semiconductor layer of thin film transistors. - 特許庁

コプラナ・ウェーブガイドのグラウンドパターン５の一部の上部に薄膜誘電体層６を選択的にパターニングして配置し、この薄膜誘電体層６の上に島状メタルパターン７を一定間隔で複数個配置する。例文帳に追加

Thin film dielectric layers 6 are arranged on top of parts of ground patterns 5 of a coplanar waveguide by selectively performing patterning and plural island metal patterns 7 are arranged on the thin film dielectric layers 6 at fixed intervals. - 特許庁

そのための電子放出用の第１の電極をＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの薄膜を積層した後加熱処理を施して厚い島状の突起部と平坦な薄い薄膜部が併存した構造に再構成して形成する。例文帳に追加

A first electrode for the electron emission is formed by reconstructing the structure of the first electrode into a structure, having both a thick island-type protrusion part and a flat thin-film part by post-heat treating the thin film of Ir, Pt, and Au are stacked. - 特許庁

絶縁基板１上に形成された島状パターンを有する半導体薄膜２、３，４と、半導体薄膜の上に形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極６とを備える。例文帳に追加

This thin-film transistor is provided with semiconductor thin films 2, 3 and 4, provided with an island-like pattern and formed on an insulation substrate 1, a gate insulation film 5 formed on the semiconductor thin film and a gate electrode 6 formed on the gate insulation film. - 特許庁

そのための電子放出用の上部電極をＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの薄膜を積層した後加熱処理を施して厚い島状の突起部と平坦な薄い薄膜部が併存した構造に再構成して形成する。例文帳に追加

For that purpose, a top electrode for electron emission is reconstructed with a thin film made of Ir, Pt, and Au laminated on it and put through heat treatment so that a thick island-shaped protrusion and a flat thin film part coexist. - 特許庁

島状の不純物を含むシリコン層に接触するように、金属薄膜のソース電極と信号線を形成し陽極酸化する。例文帳に追加

The signal conductor is formed with the source electrode of a metallic thin-film and anode-oxidized so as to be brought into contact with a silicon layer containing insular impurities. - 特許庁

液体の温度計測では、ダイオードを形成してある半導体薄膜を島状にして熱絶縁性基板に貼り付ける。例文帳に追加

When being used in measuring a temperature of liquid, the semiconductor thin film on which the diode is formed, is made into a shape of an island and is attached to a thermally insulated substrate. - 特許庁

高配向磁性薄膜が、Ｌ１_0構造を有する島状微結晶が相互に不連続に並置されてなることを特徴とする構成を採用した。例文帳に追加

A high-orientation magnetic thin film is configured by discontinuously arraying island microcrystals having L1_0 structures side by side. - 特許庁

該複数の島状薄膜の成膜の後に、マスクの配置を前記筐体基板の面方向に移動させる毎に、前記成膜工程を実行し、筐体基板上に複数の島状薄膜の積層体による複数の突部４を形成する。例文帳に追加

After the film forming of the plurality of insular thin films, each time mask arrangement is moved in the planar direction of the housing substrate, the film forming process is implemented, for forming, on the housing substrate, a plurality of projections 4 from a plurality of laminated bodies of the insular thin film. - 特許庁

希土類元素を含む磁性材料からなる磁性薄膜であって、前記磁性材料からなる孤立した島粒子が不連続膜状に配列された島状構造が形成されており、前記島粒子の粒径が十分に小さく、膜の厚みが十分に薄く、しかも十分に高い保磁力を有することが可能な島状磁性薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an insular magnetic thin film composed of a magnetic material containing a rare earth element and having such an insular structure where isolated insular particles composed of the magnetic material are arranged like a discontinuous film, wherein the grain size of the insular particles is small enough, the thickness of the film is thin enough, and the coercive force is high enough. - 特許庁

電子顕微鏡により観察されたＦｅＰｔ薄膜の微細構造からは、ＦｅＰｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、個々の島は互いに完全に孤立している。例文帳に追加

From the microstructure of a FePt thin film observed by an electron microscope, the island shapes of FePt particulate is confirmed, and the islands are completely isolated from one another. - 特許庁

開口部を有する絶縁物１００の上に配置された島状半導体層２００を有し、前記島状半導体層は埋込半導体層（領域２１１、領域２１２）と薄膜半導体層（領域２１３）とを有する。例文帳に追加

An island-shaped semiconductor layer 200 is formed over an insulator 100 having openings, and the island-shaped semiconductor layer includes embedded semiconductor layers (region 211, region 212) and a thin film semiconductor layer (region 213). - 特許庁

本発明の薄膜電池用電極材１０は、複数（無数）個の島状の活物質３と、複数（無数）個の島状の固体電解質９とが、入り組んで重なり合っていることを特徴とする。例文帳に追加

The electrode material 10 for the thin film battery has a plurality of (an infinite number of) active materials 3 of island-shape and a plurality of (infinite number of) solid electrolytes 9 of island-shape intermixed and superposed. - 特許庁

島状に突出した小面積の基台(1a)を備えた基板(1)上に、薄膜半導体(2)をその基台上に少なくともその一部がこの基台から延長するように配置されることにより、薄膜半導体の裏面側からも水素の拡散が成し得るようにしたことにある。例文帳に追加

Hydrogen can be diffused from the rear of a thin film semiconductor, too, by arranging the thin film semiconductor (2) on a substrate (1), which is equipped with a small area of base (1a) projected in island shape, such that at least its one part extends from this base. - 特許庁

まず、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、透光性基板１０の上に絶縁膜２０および非晶質シリコン薄膜３０を形成し、３０を島状に加工して非晶質シリコン薄膜４０とし、さらにその上にゲート絶縁膜５０を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the thin film transistor comprises the steps of, as shown in Figs (A) to (C), forming an insulting film 20 and an amorphous silicon thin film 30 on a translucent substrate 10, insularly working the film 30 to an amorphous silicon thin film 40, and further forming a gate insulation film 50 on the film 30. - 特許庁

液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成されている基板と同一基板上に、ブラックマトリックスが形成され、薄膜トランジスタのソース側配線が、ブラックマトリックスを兼ね、ソース配線に直交するブラックマトリックが島状に形成され、前記ソース配線と直交するブラックマトリックスが、薄膜トランジスタのドレイン電極と絶縁膜を介して電気的に接続していることを特徴とする。例文帳に追加

To provide a sufficient capacity; improves a display characteristic of the liquid crystal display device; also increases an alignment margin between the substrate with the formed transistors and the counter substrate; and results in improvement of productivity at the time of assembly. - 特許庁

液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成されている基板と同一基板上に、ブラックマトリックスが形成され、薄膜トランジスタのソース側配線が、ブラックマトリックスを兼ね、ソース配線に直交するブラックマトリックが島状に形成され、前記ソース配線と直交するブラックマトリックスが、薄膜トランジスタのドレイン電極と絶縁膜を介して電気的に接続していることを特徴とする。例文帳に追加

To improve the display characteristic of a liquid crystal display device by making it possible to provide sufficient holding capacitors in the display device and also to improve the productivity at the time of assembling of a substrate on which thin film transistors are formed and a counter substrate by increasing the aligning margin between the substrates. - 特許庁

液晶駆動用の薄膜トランジスタが形成されている基板と同一基板上に、ブラックマトリックスが形成され、薄膜トランジスタのソース側配線が、ブラックマトリックスを兼ね、ソース配線に直交するブラックマトリックが島状に形成され、前記ソース配線と直交するブラックマトリックスが、薄膜トランジスタのドレイン電極と絶縁膜を介して電気的に接続していることを特徴とする。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device in which sufficient retention capacitance can be disposed to improve the display characteristics of the liquid crystal display device and the allowance for aligning a substrate with thin film transistors formed to the counter substrate is increased to improve the productivity during assembling. - 特許庁

CVD法またはPVD法で基板１上に島状膜２ａを形成させ、その島状膜２ａを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶２ｄを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。例文帳に追加

The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core. - 特許庁

膜が非常に薄いときに発生する島状構造を抑制し、従来の方法では作製不可能であった滑らかな層状構造をもつ薄膜の作製を可能とする。例文帳に追加

To manufacture a thin film having a smooth laminar structure which has been heretofore difficult to manufacture in a conventional method by suppressing the island structure produced when the film is extremely thin. - 特許庁

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。例文帳に追加

Then, the single crystal silicon thin film 106 is patterned to form an island-like silicon layer 108, and is subjected to thermal oxidation processing in an oxidation atmosphere containing halogen element, thereby obtaining the island-like silicon layer 109 in which trap level and defect are removed. - 特許庁

このように結晶化された島状半導体領域は、単結晶または単結晶と見なせる領域で構成されるため、該島状半導体領域を活性層に用いることにより、電気特性に優れた薄膜トランジスタを作製できる。例文帳に追加

Since the crystallized island-like semiconductor region is constituted of a single crystal or a region regarded as a single crystal, the thin film transistor with excellent electrical characteristics can be manufactured by using the island-like semiconductor region as the active layer. - 特許庁

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。例文帳に追加

Then, the film 106 is patterned to form the film 106 into island-like silicon layers 108 and thereafter, a thermal oxidation treatment of the layers 108 is performed in an oxidizing atmosphere containing a halogen element, whereby island-like silicon layers 109 from which a trap level and a defect are removed, are obtained. - 特許庁

薄膜抵抗器構造物であって、抵抗膜を含み、前記抵抗膜は、上面に隣接する複数の瘤状凹部を有し、且つ、前記瘤状凹部の間に網状に分布した空間を有する銅酸化物層と、前記銅酸化物層上に位置し、且つ、それぞれ、前記瘤状凹部の間の空間に設置される複数の金属島状物と、を含むことを特徴とする薄膜抵抗器構造物である。例文帳に追加

The thin-film resistor structure includes a resistive film which includes a plurality of bumped shape recesses adjacent to an upper surface, a copper oxide layer having space distributed in net-shape among the bumped shape recesses, and a plurality of metal island-shaped portions located on the copper oxide layer and respectively provided in the space among the bumped shape recesses. - 特許庁

熱可塑性合成樹脂フィルム２の金属光沢膜３は錫よりなる多数の微細な島模様状に凝集した金属薄膜にて形成されている。例文帳に追加

The metal luster film 3 of the thermoplastic synthetic resin film 2 is formed of a metal thin film made of tin in a shape of many fine cohering islands. - 特許庁

加熱によって触媒金属の膜が凝集して形成された複数の島状の凝集体の上に、グラフェン及びグラファイト薄膜を形成する。例文帳に追加

The catalytic metal films aggregate by the heating and form two or more island-like aggregates, on which the graphene and the graphite thin film are formed. - 特許庁

単位ユニット１００を内に形成される全てのトランジスタを１つの島状半導体薄膜に形成し、１画素当たりのコンタクトホール数を少なくする。例文帳に追加

All transistors formed in a unit 100 are formed in one insular semiconductor thin film to decrease the number of contact holes per one pixel. - 特許庁

例えば、多孔質表面構造や、極薄の薄膜を支持する構造、又は、反射回折格子の島状部（反射面）を狭くした構造などによって、反射表面の見かけ上の原子密度を少なくすることができる。例文帳に追加

For example, with a porous surface structure, a structure supporting a very thin film or a structure with narrowed island part (reflection surface) of a reflection diffraction grating, the apparent atomic density on the reflection surface can be reduced. - 特許庁

ポリシリコン薄膜からなる走査線（３ａ）及び容量線（３ｂ）の上に、導電性の高融点金属又はその金属シリサイド等からなる膜を島状に設けることで、配線を低抵抗化を図る。例文帳に追加

By forming a film in an islands state consisting of a conductive high melting point metal or its metal silicide on the scanning lines 3a and capacitance lines 3b consisting of the polysilicon thin film, the resistance of the wiring can be decreased. - 特許庁

再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。例文帳に追加

The spinnel substrate 1 is set in the MOCVD device again, and is annealed while increasing a temperature to make the Fe thin film 3 island-like Fe particles 4 (Fig. 1(c)). - 特許庁

生体組織や血液と直接接触する人工臓器などの母材１の表面１ａに多数の分離した島形状の非結晶炭素薄膜２を被着した。例文帳に追加

Many separated island-shaped amorphous carbon thin films 2 are adhered to the surface 1a of the base material 1 of an artificial organ contacting directly biological tissue or blood. - 特許庁

このように結晶化された島状半導体領域は、単結晶または単結晶と見なせる領域で構成されるため、電気特性に優れた薄膜トランジスタを作製できる。例文帳に追加

The crystallized island-like semiconductor region is consists of a region that is regarded as a single crystal, thus manufacturing a thin-film transistor with improved electrical characteristics. - 特許庁

単位ユニット１００を内に形成される全てのトランジスタを１つの島状半導体薄膜に形成し、１画素当たりのコンタクトホール数を少なくする。例文帳に追加

All transistors formed in a unit 100 are formed like an island-shaped semiconductor thin film, thereby reducing the number of contact holes per pixel. - 特許庁

筐体基板１上に配置されたマスク２に設けられた複数の開口部ａ１〜ａ３を通して被成膜材Ｓ１１を供給し、該筐体基板上に複数の島状薄膜３１を成膜する成膜工程が実行される。例文帳に追加

A material S11 to be subjected to film formation is supplied through a plurality of openings a1-a3 which are provided in a mask 2 arranged on a housing substrate 1, and a film forming process is carried out for forming a plurality of insular thin films 31 on the housing substrate. - 特許庁

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。例文帳に追加

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically. - 特許庁

発光装置１００は、基板１２０上に下地保護膜が形成され、この下地保護膜上に、薄膜トランジスタ１０７などを構成するための半導体膜１０９ａが島状に形成されている。例文帳に追加

A light-emitting device 100 has a base protective film formed on a substrate 120, and a semiconductor film 109a on the base protective film in the island shape for fabrication of a thin-film transistor 107 and the like. - 特許庁

金属遮光膜と少なくとも一対の透明体薄膜と吸収体島状膜による光干渉膜によって、可視光全域に渡る反射率を低減する。例文帳に追加

A light interference film comprising a metal light shielding film, at least a couple of transparent body thin films, and an absorber island-shaped film reduces reflectivity in the whole visible light range. - 特許庁

反射層における銀が島状になることを防ぎ、耐久性の優れた銀薄膜を主体とする反射体を提供し、かつ、同反射体を用いた液晶用バックライトユニットを提供する。例文帳に追加

To provide a reflector which prevents silver in a reflecting layer from being made insular and is based on a thin silver film excellent in durability and to provide a backlight unit for a liquid crystal using the reflector. - 特許庁

Ｓｉ単結晶基板１上にＳｉ基板／金属シリサイド／Ｓｉ薄膜のダブルヘテロエピタキシャル構造４を形成し、Ｈ_2 中で熱処理し、自己整合的な再成長により、Ｓｉ単結晶５からなる島状構造が形成すると共に島５と島５の間隙に金属シリサイド６を凝集させる。例文帳に追加

A double hetero epitaxial structure 4 of a Si base plate/metal silicide/Si thin film is formed on a Si monocrystal base plate 1, which is put under heat treatment in H2, so that an island-shaped structure made of Si monocrystals 5 is formed by self-matching regrowth and the metal silicide 6 is made cohered in gaps between an island 5 and an island 5. - 特許庁

本発明の微細構造転写方法は、基板１の表面を海として光硬化性樹脂８を島状に離散的に複数塗布する樹脂塗布工程であって、島状の各光硬化性樹脂８の中央部８ａが薄膜状に平坦であり、かつその周辺部８ｂが中央部８ａよりも盛り上がった形状となるように基板１上に光硬化性樹脂８を塗布する樹脂塗布工程を有することを特徴とする。例文帳に追加

The micropattern transfer method has a process for applying a photocuring resin 8 to a surface of the substrate 1 discretely like islands assuming the surface as the sea so that a center 8a of each island-like photocuring resin 8 forms a planar thin film, and a periphery 8b of the resin island rises higher than the center 8a. - 特許庁

薄膜化領域に開口を有する島状の半導体層を形成し、開口周辺の半導体層端部をレーザ光により局所的に加熱することによって溶融し、溶融した半導体材料を開口に流動させ開口を充填する。例文帳に追加

An island-shaped semiconductor layer having an opening in the thinned region is formed, the edge of the semiconductor layer around the opening is heated locally by laser beams for fusing, the fused semiconductor material flows in the opening to fill the opening. - 特許庁

有機薄膜太陽電池がドナーまたはアクセプターの層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状に形成され、該微細な溝にもう片方のドナーまたはアクセプターの層が充填された構造を有するようにする。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell has a structure in which the surface of a donor or acceptor layer is formed into a number of islands surrounded by fine grooves of nano-scale width, and the other donor or acceptor layer is mated with the fine grooves. - 特許庁

有機薄膜太陽電池がドナーとアクセプターによるバルクへテロ接合が形成された層の表面がナノスケールの幅の微細な溝に囲まれた多数の島状構造に形成され、該微細な溝に電極が形成された構造を有するようにする。例文帳に追加

The organic thin-film solar cell has a structure in which the surface of a layer with a bulk hetero junction by a donor and an acceptor formed thereon is formed into a number of island-like structures surrounded by fine grooves of a nano-scale width, and electrodes are formed in the fine grooves. - 特許庁