「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

強誘電体薄膜の特性解析方法例文帳に追加

METHOD FOR ANALYZING CHARACTERISTIC OF FERROELECTRIC MEMBRANE - 特許庁

強誘電体膜の絶縁性の劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress deterioration in the insulation performance of a ferroelectric film. - 特許庁

強誘電性薄膜及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

強誘電体膜を用いた立体型キャパシタにおいて、高い強誘電体分極特性を得る。例文帳に追加

To obtain a high ferroelectric polarization characteristic in a solid capacitor using a ferroelectric film. - 特許庁

配向性の良好な強誘電体膜を備える強誘電体キャパシタを形成する。例文帳に追加

To form a ferroelectric capacitor having a ferroelectric film excelling in orientation. - 特許庁

信頼性の高い強誘電体デバイスを得ることができる強誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric film for obtaining a reliable ferroelectric device. - 特許庁

強誘電体素子において、強誘電体膜の結晶構造を向上させ、強誘電体素子の特性を向上させることにある。例文帳に追加

To improve the crystal structure of a ferroelectric film and to improve the characteristics of a ferroelectric element. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法による強誘電体膜におけるリーク電流を抑制するとともに、複数の強誘電体層からなる強誘電体膜についてその特性向上を図った強誘電体キャパシタと、この強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置とを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor capable of suppressing leakage current in a ferroelectric film by an MOCVD method and improving the characteristics of the ferroelectric film, consisting of a plurality of ferroelectric layers, and to provide a ferroelectric memory device that has this ferroelectric capacitor. - 特許庁

鉛を含まず信頼性の高い強誘電体膜およびその製造方法、強誘電体キャパシタ、ならびに誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable ferroelectric film not containing lead; and to provide its manufacturing method, a ferroelectric capacitor, and a dielectric memory. - 特許庁

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜の特性劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent deterioration of characteristics of a ferroelectric film constituting a capacity insulating film. - 特許庁

良質な強誘電体膜を再現性よく得ることを可能とした強誘電体膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for forming a ferroelectric film capable of obtaining a ferroelectric film excellent in quality with satisfactory reproducibility. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるＰｂプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。例文帳に追加

To suppress the generation of a Pb-poor layer in the vicinity of an interface between an electrode and a ferrodielectric film and obtain the ferrodielectric film, excellent in crystal orientation, in a ferrodielectric capacitor and a ferrodielectric memory apparatus. - 特許庁

強誘電体膜又は高誘電体膜を含む素子の近傍に残留した水分子に起因する、強誘電体膜又は高誘電体膜の特性劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the characteristics of a ferroelectric film or a high dielectric film from deteriorating due to water molecules remaining in the vicinity of an element containing a ferroelectric film or a high dielectric film. - 特許庁

デバイスが形成される個々の領域に存在する強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜の特性ばらつきを低減して、強誘電体薄膜又は高誘電体薄膜を用いたデバイスの微細化を可能にする。例文帳に追加

To enable the miniaturization of a device employing a ferroelectric thin film or a high dielectric thin film by reducing a variation in characteristics of the ferroelectric thin film or the high dielectric thin film existing in each individual region for forming the device. - 特許庁

半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR WITH SEMICONDUCTIVE METAL OXIDE THIN FILM - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイスをメモリセルアレイとして集積し、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

強誘電体膜１２Ｆの近傍に、前記強誘電体膜１２Ｆと同一組成であって結晶性が異なる膜１２を形成する。例文帳に追加

A film 12 having the same composition as that of a ferrorelectric film 12F and different crystallinity from that of the film 12F is formed in the vicinity of the film 12F. - 特許庁

強誘電体膜の強誘電体特性にバラツキが生じるのを防止し、しかも良好な強誘電体特性が得られるようにした、強誘電体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory, preventing variation in ferroelectric characteristics of a ferroelectric film, and providing excellent ferroelectric characteristics. - 特許庁

誘電率特性に優れ、表面粗さおよび熱膨張係数が低く、破断強度が高い低誘電率膜を形成するための低誘電率フィラーと、これを用いた低誘電率組成物および低誘電率膜を提供する。例文帳に追加

To provide a low permittivity filler for forming a low permittivity film having an excellent permittivity characteristic, low surface roughness, a low thermal expansion coefficient, and high tearing strength, and a low permittivity composition and a low permittivity film using this. - 特許庁

半導体基板１０の上方に形成された強誘電体キャパシタ６２は、下部電極４８と、強誘電体特性を備えた誘電体膜（強誘電体膜）５０と、上部電極６０とを有する。例文帳に追加

A ferroelectric capacitor 62 formed above a semiconductor substrate 10 has a lower electrode 48, a dielectric film (ferroelectric film) 50 having ferroelectric characteristics, and an upper electrode 60. - 特許庁

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜の特性の劣化を防止することによって、強誘電体メモリの信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a ferroelectric memory by preventing the degradation of the characteristics of a ferroelectric film constituting a capacity insulation film. - 特許庁

強磁性膜を用いた磁気デバイス及び磁気記録媒体並びに強誘電性膜を用いたデバイス例文帳に追加

MAGNETIC DEVICE USING FERROMAGNETIC FILM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND DEVICE USING FERROMAGNETIC FILM - 特許庁

配向性強誘電体薄膜素子及びその製造方法例文帳に追加

ORIENTATIONAL FERROELECTRIC THIN FILM ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

耐疲労特性に優れた強誘電体薄膜とその形成用組成物例文帳に追加

FERROELECTRIC THIN FILM HAVING EXCELLENT FATIGUE RESISTANCE AND COMPOSITION FOR DEPOSITING THE SAME - 特許庁

均一で結晶性の良好な強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a uniform ferroelectric thin film having good crystallinity. - 特許庁

感光性組成物及び強誘電体薄膜の製造方法例文帳に追加

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION AND PRODUCTION OF FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME - 特許庁

薄膜強誘電性位相シフト素子を採用した電力増幅器例文帳に追加

POWER AMPLIFIER EMPLOYING THIN FILM FERROELECTRIC PHASE SHIFT ELEMENT - 特許庁

配向性の優れたペロブスカイト酸化物の強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜素子と、その製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a ferrelectrics thin film element having a ferroelectrics thin film of a perovskite oxide excellent in orientation and its manufacturing method. - 特許庁

単結晶基板上に平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜が形成されてなる配向性単層強誘電体酸化物薄膜。例文帳に追加

This orientational single layer ferroelectric oxide thin film is obtained by forming a ferroelectric oxide thin film having a smooth surface on a single crystal substrate. - 特許庁

配向性単層強誘電体酸化物薄膜およびその製造方法並びに該強誘電体薄膜を用いたスイッチング素子例文帳に追加

ORIENTATIONAL SINGLE LAYER FERROELECTRIC OXIDE THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SWITCHING ELEMENT USING THE THIN FILM - 特許庁

感光性ゾルゲル溶液に強誘電体材料を溶かしたものをＩｒＯ_2 膜の上に塗布して強誘電体膜２０を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric film 20 is formed by coating the surface of the IrO2 film 18 with a ferroelectric material dissolved in a photosensitive sol gel solution. - 特許庁

強誘電体素子において、強誘電体膜の劣化を防止するとともに、配線膜の信頼性の低下を防止することにある。例文帳に追加

To prevent a ferroelectric film from being deteriorated, and to prevent the reliability of a wiring film from being decreased in a ferroelectric element. - 特許庁

この強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布、仮焼し、焼成して強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The ferroelectric thin film is formed by applying coating of the composition for forming the ferroelectric thin film to a heat- resistant base plate, then calcining and firing. - 特許庁

強誘電体膜の結晶性および性能の向上を図れ、且つ、デバイス特性のより一層の向上を図れる強誘電体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric device including a ferroelectric film with improved crystallinity and property and further enhancing device characteristics. - 特許庁

強誘電体膜の絶縁性向上とともに信頼性および耐圧性の向上を図ることのできる強誘電体素子を得る。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric substance element capable of contriving the improvement of the insulating property, reliability and resistance to pressure of a ferroelectric substance film. - 特許庁

角型性が良好なヒステリシス特性を有する強誘電体膜を形成することができる強誘電体膜の製造方法および強誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a ferroelectric film having hysteresis characteristics of good rectangularity, and to provide a ferroelectric film. - 特許庁

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜が還元されて、容量素子の特性が劣化することを防止する。例文帳に追加

To prevent characteristics of a capacity element form deteriorating due to reduction of a ferroelectric film or a high dielectric film which constitutes a capacity insulating film. - 特許庁

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜が還元されて、容量素子の特性が劣化することを防止する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, in which a ferroelectric film or a high-K dielectric film constituting a capacitor insulating film, is reduced and the characteristics of an capacitor element are prevented from degrading. - 特許庁

従来の絶縁膜に比べて低誘電率でかつ誘電率安定性に優れ、機械的強度の高い低誘電率膜及びその製造方法、並びに該低誘電率膜を有する半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a low dielectric constant film having low permittivity, excellent dielectric stability and high mechanical strengths as compared with those of a conventional insulating film, a method for producing the same and a semiconductor device having the low dielectric constant film. - 特許庁

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送部と、ゲート部に強誘電体薄膜を有する電界効果型トランジスタを分極検出部とをメモリの構成要素として組み合わせ、かつ強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリを得る。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

被制御膜は、強誘電性を示すとともに、強磁性またはフェリ磁性をも示す。例文帳に追加

The controlled film shows ferroelectricity, and also shows the ferromagnetism or the ferrimagnetism. - 特許庁

角型性が良好なヒステリシス特性を有する強誘電体膜を形成することができる強誘電体材料を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric material for forming a ferroelectric film having hysteresis characteristic excellent in squareness loop. - 特許庁

特に強誘電体材料（セラミックス）の膜形成に関して、条件の適正化を行い、低温合成と強誘電性特性の両立化を図る。例文帳に追加

To realize both of synthesis at a low temperature and ferroelectric characteristics by rationalizing conditions for forming, especially, a membrane of a ferroelectric material (ceramic). - 特許庁

平坦部に成膜された強誘電体は良好な結晶性を持ち、強誘電体キャパシタにおいて、角型性の良いヒステリシスカーブが得られた。例文帳に追加

The ferroelectric substance formed on the flat plane has a superior crystalline characteristic and a hysteresis curve with a superior rectangle characteristic. - 特許庁

本発明の液晶配向膜により、ネマチック液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等の配向制御が可能である。例文帳に追加

Alignment control of a nematic liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal, an anti-ferroelectric liquid crystal and the like is made possible by the liquid crystal alignment layer. - 特許庁