「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

線膨張率、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an insulating film having excellent film characteristics in a linear expansion coefficient, a dielectric constant, machine strength, etc. and an electronic device having the insulating film. - 特許庁

薄膜化しても強誘電体膜の特性を十分に引き出すことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of obtaining sufficient characteristic of a ferroelectric film even if the ferroelectric film is made thin and further to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

優れた結晶性を有し、膜厚方向に均一に結晶配向した強誘電体薄膜素子を製造する方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric thin film element which has an excellent crystallinity and the crystals are uniformly oriented in a direction of film thickness. - 特許庁

トランジスタ等の特性劣化防止と強誘電体薄膜の膜質向上との両方を実現すること。例文帳に追加

To realize both prevention of characteristic deterioration of a transistor, etc., and improvement of film quality of a ferroelectric-material thin filem. - 特許庁

所望の特性を維持しつつ強誘電体膜のより一層の薄膜化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of further thinning a ferroelectric film while maintaining desired characteristics, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

キャパシタの誘電体膜に高誘電体膜や強誘電体膜を用いた場合でも基板の面内に発生する内部応力による誘電体膜の特性劣化や、電極のエッジ部分でのリーク電流の増大を抑制し、高信頼性の３次元構造大容量半導体メモリを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device provided with a highly reliable three-dimensional structure large capacity semiconductor memory, for suppressing the characteristics degradation of a dielectric film due to internal stress generated within the surface of a substrate, and the increase of a leakage current at the edge of an electrode even in the case of using a high dielectric film or a ferroelectric film for the dielectric film of a capacitor. - 特許庁

ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜上に強誘電体膜を有する薄膜容量素子が設けられた半導体装置において、強誘電体膜を比較的高温で形成するとき、絶縁膜が熱的ダメージを受けないようにする。例文帳に追加

To prevent an insulating film from suffering thermal damage when a ferroelectric film is formed at a comparatively high temperature in a semiconductor device provided with a thin-film capacitive element having a ferroelectric film on a protective film made of a thermosetting resin such as a polyimide-based resin. - 特許庁

ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜上に強誘電体膜を有する薄膜容量素子が設けられた半導体装置において、強誘電体膜を形成するとき、その下の絶縁膜が熱的ダメージを受けないようにする。例文帳に追加

To make an insulating film under a ferroelectric film free from a thermal damage when the ferroelectric film is formed in a semiconductor device in which a thin film capacitive element having the ferroelectric film is provided on a protective film consisting of a thermosetting resin, such as a polyimide series resin, etc. - 特許庁

このような強誘電体膜２６を有する強誘電体キャパシタにおいては、ＬＴ膜２６ａがＰｂを含有していないため、その成膜の際に配向性を容易に制御することが可能であり、配向性の高いＬＴ膜２６ａを形成することができる。例文帳に追加

In the ferrodielectric material capacitor including such ferrodielectric material film 26, since the LT film 26a does not include Pb, the alignment property can be controlled easily when the film is formed and the LT film 26a having higher alignment property can be formed. - 特許庁

高集積デバイスに適用可能な強誘電体特性、リーク電流特性、膜疲労特性などを有する強誘電体薄膜に好適に使用できる結晶性酸化物膜の形成方法および半導体装置を提供することを課題としている例文帳に追加

To provide a method for forming a crystalline oxide film that can be appropriately used for a ferroelectric thin film having ferroelectric, leakage current, and film fatigue characteristics that can be applied to a high integration device, and a semiconductor device. - 特許庁

基板上に形成された電極上に強誘電膜の製造のための前駆体で所定パターンのフィーチャーを形成する工程と、前駆体と反応して強誘電物質を形成するソース物質を前駆体と反応させて、前駆体フィーチャーを強誘電性の物質に変換する工程と、を含むパターンされた強誘電体媒体の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of the patterned ferroelectric medium comprises a process of forming a feature of a prescribed pattern being a precursor for manufacturing a ferroelectric film on an electrode formed on a substrate, and a process of converting a precursor feature to a ferroelectric substance by making a source substance which forms the ferroelectric substance by reacting with the precursor react with the precursor. - 特許庁

本発明によればクラック、剥がれ等を生じることなく透明性、電気絶縁性及び強誘電性を有するPZT膜が得られる。例文帳に追加

Thus, the objective PZT film having transparency, electrical insulation properties and ferroelectricity can be formed without causing any cracks in the film, peeling of the film, or the like. - 特許庁

多層プリント配線板を製造する際に、機械強度、加工性、誘電特性、薄膜化を可能とする剛性に優れる複合シートを提供する。例文帳に追加

To provide a composite sheet excellent in mechanical strength, workability, dielectric characteristic and rigidity that permits the thinning of the sheet when manufacturing a multi-layer printed wiring board. - 特許庁

機械的強度が極めて高く、表面平滑性に優れ、低誘電率性、低屈折率性の薄膜ｎ製造に好適な塗布組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a coating composition suitable for forming a thin film having remarkably high strength, an excellent surface smoothness, a low dielectric constant and a low refractive index. - 特許庁

したがって、強誘電体容量素子１３２への水素の浸入を抑制することを目的として強誘電体容量素子１３２の上面に形成される水素保護膜１１３の水素バリア性を十分に発揮させることができる。例文帳に追加

Consequently, hydrogen barrier property of the hydrogen protection film 113 formed in the upper surface of the ferroelectric capacity element 132 for restraining hydrogen from entering the ferroelectric capacity element 132 can be fully shown. - 特許庁

強誘電体膜の分極の偏位によって多値データを記憶する強誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置のリテンション特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the retention characteristic of a semiconductor memory having a ferroelectric capacitor storing multi-level data by the displacement of polarity of a ferroelectric film. - 特許庁

強誘電体膜の分極の偏位によってデータを記憶する強誘電体キャパシタを有する半導体記憶装置のリテンション特性を向上させる。例文帳に追加

To improve retention characteristics of a semiconductor memory having a ferroelectric capacitor storing data by the deviation of the polarization of a ferroelectric film. - 特許庁

こうすることによって、強誘電体薄膜１０の配向性がランダムになり、強誘電体キャパシタ３の分極反転電荷量が２４μＣ/cm^2と大きな値になる。例文帳に追加

Thus, the orientation of the ferroelectric thin film 10 becomes irregular, and the polarization reversal charge amount of a ferroelectric capacitor 3 is such a large value as 24 μC/cm2. - 特許庁

リーク電流が低減され、しかも強誘電体膜の結晶配向性がより良好な強誘電体キャパシタと、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor that reduces a leakage current and further improves crystal orientation properties in a ferroelectric film, and to provide a manufacturing method of the ferroelectric capacitor. - 特許庁

強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体メモリ素子、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING THIN FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, FERROELECTRIC ELEMENT, INK-JET RECORDING HEAD, INK-JET PRINTER, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT, AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

基板の上方に導電性の下地層を形成する工程と、下地層の上方に第１電極と強誘電体膜と第２電極とを積層する工程と、を含む強誘電体メモリ装置の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing a ferroelectric memory device includes a step of forming a conductive base layer above a substrate and a step of stacking a first electrode, a ferroelectric film, and a second electrode above the base layer. - 特許庁

このようなキャパシタ及びその製造方法により、キャパシタを構成する強誘電体膜の各部位で、Ｚｒ成分とＴｉ成分の濃度比を均一に分布させることができ強誘電体の結晶性を向上させることができる。例文帳に追加

Through these capacitor and manufacture thereof, the concentration ratio of Zr content and Ti content can be evenly distributed, thereby making feasible of improving the crystallinity of the ferrodielectric. - 特許庁

強誘電体膜の形成時にSi基板が酸化されず、界面層の形成が防止でき、水素元素を含有したガスの熱処理にも強誘電体特性の劣化が少ない安定な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a stable semiconductor device that does not cause Si substrate to be oxidized when a ferroelectric film is formed, can prevent an interface layer from being formed, and does not cause ferroelectric characteristics to deteriorate by the heat treatment of gas containing a hydrogen element. - 特許庁

活性領域ＯＤ内には、ワード線ＷＬをゲートとするメモリセルトランジスタが設けられ、素子分離領域の上に、下部電極，強誘電体膜及び上部電極ＴＥからなる強誘電体キャパシタが設けられている。例文帳に追加

Memory cell transistors where word lines serve as gates are provided in an active region OD, and a ferroelectric capacitor composed of a lower electrode, a ferroelectric film, and an upper electrode TE is provided on an element isolating region. - 特許庁

リーク電流が低減され、しかも強誘電体膜の結晶配向性がより良好な強誘電体キャパシタの製造方法を提供することある。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of ferroelectric capacitor, in which leakage current is reduced and, further, the crystal orientation of a ferroelectric film is more excellent. - 特許庁

強誘電体を用いた容量絶縁膜を含む電子デバイスを形成した半導体装置において、配線の形成工程で受けた強誘電体のダメージ（結晶性の破壊）を低温アニールでも効率よく回復する。例文帳に追加

To efficiently recover a ferroelectric damage (a destruction of crystallinity) received in forming process of wiring even by low-temperature annealing in a semiconductor device in which an electronic device including a capacively insulated film employing a ferroelectric is formed. - 特許庁

ｃ軸値が大きく強誘電性に優れた、エピタキシャル配向した歪みペロブスカイト構造の強誘電体膜を基板上の広い範囲に形成可能にする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing ferroelectric thin film with which a ferroelectric film having a large c-axis value, a superior ferroelectric property, and an epitaxially oriented distorted perovskite structure can be formed over a wide extent on a substrate. - 特許庁

下部電極がビット線の上に跨って形成されている場合においても、強誘電体膜の分極量が低下せず、安定した強誘電体キャパシタ特性を確保した半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To achieve a semiconductor device preventing the lowering of the quantity of polarization of a ferroelectric film and securing stable ferroelectric capacitor characteristics, even when a lower electrode is formed astriding over a bit line. - 特許庁

強誘電体膜２４ｂとの格子整合性の良い第２の基板４０の一表面側に所定パターンのシード層１２４ｃを形成し、第２の基板４０の一表面側に強誘電体層１２４ｂを形成する。例文帳に追加

A seed layer 124c of a predetermined pattern is formed on one surface side of a second substrate 40 which is good in lattice matching with the ferroelectric film 24b and a ferroelectric layer 124b is formed on one surface side of the second substrate 40. - 特許庁

微細な結晶粒子からなる緻密な強誘電体薄膜を有し、かつ電気特性に優れたＢｉ系強誘電体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a Bi-based ferroelectric element, which has a dense ferroelectric thin film composed of fine crystal particle and is superior in electrical characteristics. - 特許庁

凹部を有する下地上に形成された強誘電体膜の結晶化状態が不均一になることを防止して、強誘電体容量素子の特性を向上させる。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a ferroelectric capacitive element whereby ununiformed crystallization of a ferroelectric film formed on a background with a recessed part is prevented to enhance the characteristic of the ferroelectric capacitive element. - 特許庁

強誘電体薄膜の強誘電特性のばらつきに起因する歩留まり低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which yield degradation caused by the fluctuation of the ferroelectric characteristic of a ferroelectric thin film can be suppressed. - 特許庁

汎用の有機溶媒に可溶な有効成分を含み、保存安定性や再現性に優れるとともに、リーク電流が小であって、かつ被膜密度が大（緻密）である強誘電体薄膜を低コストで形成し得る強誘電体薄膜形成用塗布液、その製造方法及び前記塗布液を塗布し、硬化させてなる強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric thin film forming application liquid capable of forming a ferroelectric thin film at a low cost which contains effective components soluble in general organic solvent and has excellent reserving stability and reproductivity, a small leak current and a great film density, its manufacture and the ferroelectric thin film formed by applying and hardening the application liquid. - 特許庁

多孔質シリカ膜で構成される低誘電率絶縁膜の疎水性を改善すると共に、空孔径を所定の範囲に制御することによって、比誘電率の低減、リーク電流の低減、および機械的強度の向上を図る。例文帳に追加

To improve hydrophobicity of a low dielectric constant insulating film composed of a porous silica film, and also to control a vacancy diameter in a predetermined range, thereby attempting to reduce a relative dielectric constant, reduce a leakage current, and enhance mechanical strength. - 特許庁

その後、結晶性導電膜３１の上に、下部電極３３ａ、強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜３４ａ、及び上部電極３５ａを順に積層してキャパシタＱを形成する。例文帳に追加

On the crystalline conductive film 31, a lower electrode 33a, a capacitor dielectric film 34a made of a ferroelectric material and an upper electrode 35a are laminated thereafter in order to form the capacitor Q. - 特許庁

比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が１０．０ GPa以上で硬度が１．０ GPa 以上からなる被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を形成する方法に関する。例文帳に追加

To provide a method for forming a low dielectric constant amorphous silica coating film in which a dielectric constant is small like ≤3.0, a Young's elasticity modulus is ≥10.0 GPa and further the film strength is ≥1.0 GPa in hardness. - 特許庁

比誘電率が３．０以下と小さく、しかもヤング弾性率が３．０ GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。例文帳に追加

To provide a method of stably forming a low-dielectric constant amorphous silica-based coating having a small relative dielectric constant of not more than 3.0 and coating strength of Young's elasticity modulus of not less than 3.0 GPa on a substrate. - 特許庁

スタック型容量素子においてキャパシタ誘電体膜の結晶化過程におけるプラグの酸化を防止するとともに、キャパシタ誘電体膜へのイリジウムの拡散を防止し、優れた強誘電体特性を有する容量素子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a capacitive element excellent in ferroelectric characteristics by preventing plug oxidation in, and by preventing iridium diffusion into, a capacitor dielectric film in the process of capacitor dielectric film crystallization for a stacked type capacitive element. - 特許庁

酸化物誘電体膜形成プロセスを経ても導電性プラグの酸化によるコンタクト抵抗の増加及びコンタクト不良が生じることがなく、酸化物誘電体の強誘電性を劣化させない導電性プラグ−下部電極構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a electrode structure under a conductive plug, which does not generate increase in contact resistance due to oxidation of a conductive plug and contact failure even under an oxide dielectric film formation process, and does not deteriorate the ferroelectric properties of the oxide dielectric. - 特許庁

下部電極膜、強誘電体膜および上部電極膜からなるキャパシタを有する半導体装置において、強誘電体電気的特性を維持しつつ膜間剥がれ現象を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a capacitor comprising a lower electrode film, a ferroelectric film, and an upper electrode film, and maintaining a ferroelectric electrical characteristic and suppressing exfoliation between the films, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

この場合、下部電極８上への強誘電体膜を有する容量素子の形成は、導電性接着層１１の上面に予め別の基板に形成した強誘電体膜１２を接着するだけであるので、強誘電体膜１２を形成する際の処理温度が比較的高温であっても、保護膜５が熱的ダメージを受けることはない。例文帳に追加

In this case, since formation of the capacitive element having the ferroelectric film on the lower electrode 8 is executed only by bonding the ferroelectric film 12 previously formed on the other substrate on the conductive adhesive layer 11, even if the processing temperature in forming the ferroelectric film 12 is comparatively high, the protective film 5 can be prevented from suffering thermal damage. - 特許庁

基板１上に下部電極３ａ、強誘電体膜４ａ、および上部電極５ａをこの順に積層してなる強誘電体キャパシタ１０であって、少なくとも強誘電体膜４ａの露出面が、絶縁性薄膜６とこの上部に設けられた水素を吸蔵する材料からなる水素吸蔵膜７とで覆われていることを特徴とする。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 10 formed by laminating a lower electrode 3a, a ferroelectric film 4a and an upper electrode 5a in this order on a substrate 1, is characterized in that at least the exposed face of the ferroelectric film 4a is covered with an insulative thin film 6 and a hydrogen absorption film 7 which is arranged on the film 6 and composed of a material for absorbing hydrogen. - 特許庁

したがって、圧電体膜に含まれるたとえばＰＺＴ結晶粒子が与える強誘電性および圧電性が損なわれない。例文帳に追加

The ferroelectricity and piezoelectric property given, for example, by PZT crystal particle contained in the piezoelectric membrane are not damaged. - 特許庁

表面形態が均一で電気的特性の均質性にも優れたペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

To form a perovskite-type PLZT ferroelectric thin film having a uniform surface form and excellent in electrical characteristics. - 特許庁

強誘電体膜に対する水素バリア性の確保と電流−電圧特性の改善とを両立することを可能とする技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technology capable of ensuring hydrogen barrier properties for a ferroelectric film while improving the current-voltage characteristics. - 特許庁