「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体キャパシタの直上には絶縁性の第一の水素バリア膜を設け、この上に導電性の水素バリア膜をコンタクトホールと重ならない位置に形成する。例文帳に追加

An insulating first hydrogen barrier film is provided immediately above the ferroelectric capacitor and a conductive hydrogen barrier film is formed on the barrier film at a position where the film does not overlap a contact hole. - 特許庁

強誘電体キャパシタの上部電極を低酸化度の導電性酸化物膜と高酸化度の導電性酸化物膜で形成する時生じる異常成長や、酸素空位を防止する。例文帳に追加

To prevent abnormal growth and oxygen vacancy generated when forming the upper electrode of a ferroelectric capacitor with a conductive oxide film having a low degree of oxidation and a conductive oxide film having a high degree of oxidation. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a porous silica thin film having mechanical strength sufficiently enduring a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor element by having a low dielectric constant of the porous silica thin film. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film which has a low specific dielectric constant and mechanical strength enough for a CMP process in a copper wiring process for a semiconductor element. - 特許庁

絶縁膜の比誘電率が小さくて高速応答性に優れ、かつ、絶縁膜の機械的強度にも優れ、更には配線の信頼性が高い半導体素子を提供することである例文帳に追加

To provide a semiconductor element which has an excellent high-speed responsiveness with a small specific inductive capacity in an insulating film, and also has an excellent mechanical strength in the insulating film, and a high reliability in a wiring. - 特許庁

機械強度が十分であり、低誘電性に優れ、シリコンウエハー及びＰ−ＴＥＯＳ等のＳｉＯ_２膜の両方への接着性に優れたシリカ系被膜を提供する。例文帳に追加

The silica-based coating film having sufficient mechanical strength, excellent in low dielectric property and excellent in adhesiveness to both of silicon wafer and SiO_2 film such as P-TEOS is provided. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant and a mechanical strength sufficient for enduring a CMP step in a copper wiring step of a semiconductor element and generating little pollutant gas at via-hole formation. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element. - 特許庁

低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicaceous film forming composition capable of forming a silicaceous film having low permittivity, excellent bondability, and sufficient mechanical strengths. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時のガス発生の少ない多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates gas when viae are formed. - 特許庁

誘電率が低く、さらに耐熱性、熱伝導性、機械強度に優れ、熱膨張係数と配線材料の金属の絶縁膜中への拡散を抑制することのできる層間絶縁膜材料および半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide an interlayer dielectric material having a low dielectric constant and exhibiting excellent heat resistance, thermal conductivity and mechanical strength in which diffusion of the metal in a wiring material into an insulating film can be controlled, and to provide a semiconductor device. - 特許庁

低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for forming a silica-based coating film, forming a silica-based coating film which is excellent in low dielectric property and adhesiveness, and also has satisfactory mechanical strength. - 特許庁

低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for forming a silica-based coating film that is capable of forming a silica-based coating film not only excellent in low dielectric properties and adhesion but also having sufficient mechanical strength. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element. - 特許庁

圧電バルク振動素子または弾性表面波共振器を備える発振素子と、一対の電極に挟まれた強誘電性薄膜または反強誘電性薄膜を備える可変容量素子とを有し、前記発振素子と前記可変容量素子とが直列接続されており、前記可変容量素子の両端に印加される制御電圧によりインピーダンス特性が制御される電圧制御発振器。例文帳に追加

The oscillating element and the varactor element are connected in series, and a control voltage applied to both terminals of the varactor element controls the impedance characteristic of the VCO. - 特許庁

本発明による不揮発性メモリセルは、基板上に形成された半導体膜、バッファー膜、有機強誘電体膜及びゲート電極を含むメモリトランジスタと；前記基板上に形成された前記半導体膜、前記バッファー膜、ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を含む駆動トランジスタと；を備える。例文帳に追加

The nonvolatile memory cell comprises: the memory transistor including a semiconductor film formed on a substrate, a buffer film, an organic ferroelectric film, and a gate electrode; and the driving transistor including the buffer film, a gate insulation film, and the gate electrode. - 特許庁

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、クラック耐性や機械的強度や密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。例文帳に追加

To provide a film-forming composition and an insulation film-forming material capable of forming a silicious film having small specific dielectric constant, excellent crack resistance, mechanical strength and adhering ability for use as an interlayer insulation material in a semiconductor element or the like. - 特許庁

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、均一厚の塗膜形成が可能で、塗膜の機械的強度やクラック耐性やＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）耐性に優れ、低比誘電率の塗膜が得られる膜形成用組成物の提供。例文帳に追加

To provide a composition for film formation capable of forming a coating film having uniform thickness, excellent in mechanical strength, clack resistance, resistance to CMP(chemical Mechanical Polishing) and low in dielectric constant as a layer insulation material of a semiconductor element. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０に接続孔１０ａを形成する工程と、接続孔１０ａの中に導電性のプラグ１２ａを形成する工程と、プラグ１２ａ上に、組成に厚さ方向の変化を有するバリア膜２０を形成する工程と、強誘電体膜を有する強誘電体素子を形成する工程とを具備する。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a connection hole 10a in an insulating film 10; forming a conductive plug 12a in the connection hole 10a; forming the barrier film 20 having a change in a thickness direction in its composition on the plug 12a; and forming the ferroelectric element having a ferroelectric film. - 特許庁

原子間力顕微鏡を用いて導電性針２によって強誘電体薄膜１を有する試料３にパルス電圧Ｖ_B を印加し、強誘電体薄膜１の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧Ｖ_B の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ４を通して測定する。例文帳に追加

In the method, a pulse voltage VB is applied to a material 3 having a ferroelectric thin film 1 by a conductive needle 2 by using an atomic force microscope, the amplitude of the pulse voltage VB is changed by a voltage applying means when a film thickness change of the ferroelectric thin film 1 is measured, and also a detecting output is measured through a lock-in amplifier 4. - 特許庁

平滑な表面を有し、高品質なスイッチング素子の作製ために有用な配向性単層強誘電体酸化物薄膜及びその工業的に有利な製造方法並びに該平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜上に導電体薄膜を積層してなる高品質なスイッチング素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an orientational single layer ferroelectric oxide thin film which has a smooth surface and is useful for making a high quality switching element, to provide a method for profitably produce the same, and to provide a high quality switching element obtained by laminating a conductive thin film to the ferroelectric oxide thin film having the smooth surface. - 特許庁

Ｓｉ基板上にバッファ層を形成することによって、これらのバッファ層を介して金属薄膜と強誘電体薄膜を順次、配向またはエピタキシャル成長させ、続いて各種エッチング技術を用いてＳｉ基板やバッファ層を部分的に除去することによって小型で優れた性能を有する強誘電体薄膜素子を形成する。例文帳に追加

Buffer layers are formed on an Si substrate, thereby orienting or epitaxially growing metal thin films and ferroelectric thin films through the buffer layers one after another, and the Si substrate and buffer layers are partly removed to form a small ferroelectric thin film element having a superior performance using various etching techniques. - 特許庁

酸素バリア性に優れた導電性バリア層を提供すると共に、強誘電体膜に対して熱処理を施した後も安定した酸素バリア性を有する導電性バリア層を提供することである。例文帳に追加

To provide a conductive barrier layer with excellent oxygen barrier property, and to provide the conductive barrier layer with stable oxygen barrier property even after thermally processing a ferroelectric film. - 特許庁

良好な残留分極特性が得られる最適な組成を有し、かつ信頼性の高いビスマス系層状結晶構造を有する強誘電体薄膜を制御性・再現性良く形成する事ができる。例文帳に追加

To allow a ferroelectric thin film, which has a composition most suitable for obtaining good remnant polarization characteristics and also has a bismuth-based layered crystal structure with high reliability, to be formed with excellent controllability and reproducibility. - 特許庁

反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。例文帳に追加

The resistance of the antiferromagnetic ferroelectric film 15 is larger than the on resistance when the first and second source/drain regions 11a-1 and 11a-2 communicate with each other via a channel region 11c. - 特許庁

強誘電体薄膜素子１０は単結晶基板１２を含み、単結晶基板１２上に、スパッタリングなどによって導電性薄膜１４を形成する。例文帳に追加

A ferroelectrics thin film element 10 contains a single crystal substrate 12 on which a conductive thin film 14 is formed with sputtering. - 特許庁

特にこの場合、非酸化物（金属状態）でこれらの薄膜を形成した後に酸化処理を施すことで緻密な配向制御層を形成することができ、強誘電体薄膜の良好な特性を安定に得ることが可能であった。例文帳に追加

Especially in this case, by performing oxidation treatment after these thin films are formed of non-oxide (metal state), the dense orientation control layer can be formed, and superior characteristic of the ferroelectric substance film can be stably obtained. - 特許庁

溶液を用いる成膜方法であっても、電気光学特性のうち特に２次の電気光学係数に優れた強誘電体薄膜を得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric thin film which is excellent in electro-optic characteristics and more particularly secondary electro-optic coefficients in spite of a deposition method using a solution. - 特許庁

酸素バリア膜１３上でかつ強誘電体キャパシタ３の側面側には、酸素バリア膜１３よりエッチング耐性が高い絶縁材料からなるサイドウォール２０が設けられている。例文帳に追加

A sidewall 20 made of an insulating material having etching resistance higher than that of the oxygen barrier film 13 is formed on the oxygen barrier film 13 and both the sides of the side surface of the ferroelectric capacitor 3. - 特許庁

半導体用途において、優れた耐熱性を維持し、高い機械強度を、低誘電率化を可能とする絶縁膜用コーティングワニス、及びこれを用いて作製した微細孔を有する絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a coating varnish for semiconductor use giving an insulation film having high mechanical strength and low dielectric constant while keeping excellent heat-resistance and provide an insulation film having fine pores and produced by using the varnish. - 特許庁

有機金属含有膜を酸素雰囲気中における約６５０℃以下の温度下で熱処理するにも拘わらず分極特性に優れた強誘電体膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To form a ferroelectric substance film superior in polarization characteristic although an organic metal containing film is heat-treated at about 650°C or lower in an oxygen atmosphere. - 特許庁

Ｓｉ基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つ下地金属薄膜およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To prepare a base metal thin layer that has the function to form an epitaxial ferroelectric thin layer of good crystallinity on an Si substrate and a method for producing the same. - 特許庁

強誘電体薄膜の結晶化は下部電極に影響を受けて進行するとともに、下部電極側からの加熱によって結晶成長が下部電極側から始まって薄膜上部に至るので、結晶性が良好となる。例文帳に追加

The crystallization of the ferroelectric thin film proceeds while the lower electrode is affected, the crystal growth starts from the lower electrode side by heating from the lower electrode side and reaches the thin film upper portion, therefore, the crystallinity becomes good. - 特許庁

誘電率を低くするとともに、機械強度および電気特性を向上することができるシリカ系被膜等の被膜の形成方法を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a method of forming a coating such as a silica-based coating which can reduce a permittivity and improve a mechanical strength and electric characteristics. - 特許庁

充分に低い誘電率を有しながら、なおかつ簡便な製造方法で、高い機械強度と高い密着性能を有した層間絶縁膜が得られる、層間絶縁膜形成用材料を提供する。例文帳に追加

To provide a material for forming an interlayer insulation film which has a sufficiently low dielectric constant and is capable of forming an interlayer insulation film having high mechanical strength and high adhesiveness by a simple manufacturing method. - 特許庁

誘電率を低くするようにした二酸化シリコン膜とバリアメタル膜との密着性を向上させて、ワイヤ接合強度を増加させた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, wherein the adhesion between a silicon dioxide film and a barrier metal film is made so as to lower the dielectric constant for increasing wire bond strength. - 特許庁

低誘電性に優れると共に、充分な機械的強度を有し、従来に比して低温、短時間で硬化可能なシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for forming a silica-based film, wherein the composition has excellent low dielectricity, sufficient mechanical strength and curable at a relatively low temperature in a relatively short period. - 特許庁

保存安定性に優れた組成を有するシリカゾル含有塗布液を用いて、低誘電率を示し膜強度に優れた絶縁膜を形成し、半導体装置の配線遅延を改善すること。例文帳に追加

To improve the wiring delay of a semiconductor device by forming an insulating film which shows a low dielectric constant and excellent in film strength by using a coating liquid containing silica sol which has composition excellent in retaining stability. - 特許庁

間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。例文帳に追加

The method includes the process in which, after forming a fluid polymerized film into a gap by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, an in-situ treatment to convert the film to a dielectric material is performed. - 特許庁

この半導体装置では、強誘電体キャパシタＣａｐ上に成膜した絶縁性水素バリア膜１２に、上部電極１１の上面１１Ａの内側部１１Ａ-２を露出させる開口１２Ａを形成した。例文帳に追加

With respect to the semiconductor device, there is formed in an insulating hydrogen barrier film 12 formed on a ferroelectric capacitor Cap an opening 12A for exposing to the external an inside portion 11A-2 of a top surface 11A of an upper electrode 11 of the ferroelectric capacitor Cap. - 特許庁

鉛を含まず環境面への影響が少ない、強誘電特性の優れた、ペロブスカイト型層状化合物多結晶体からなる結晶軸配向膜及び該結晶軸配向膜の効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film with oriented crystal axis comprising a polycrystalline body of a perovskite-type layered compound, which is lead-free, environmentally safe and excellent in ferroelectricity, and its efficient manufacturing method. - 特許庁

低誘電性に優れると共に、充分な機械的強度を有し、従来に比して低温、短時間で硬化可能なシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition forming a silica-based coating film excellent in low permittivity, having sufficient mechanical strength and curable at a lower temperature in a shorter time than conventional ones. - 特許庁

低誘電性に優れると共に、充分な機械的強度を有し、従来に比して低温、短時間で硬化可能なシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a silica-based film-forming composition excellent in low dielectric properties, having enough mechanical strength, capable of being cured at a lower temperature in a shorter time than ever, and capable of forming a silica-based film. - 特許庁

金属酸化物からなる強誘電体を含む容量絶縁膜の電気的特性が、層間絶縁膜から熱処理により放出される水分によって劣化しないようにする。例文帳に追加

To prevent a capacitor insulating film containing a ferromagnetic material of a metal oxide body from deteriorating its electrical properties due to the moisture discharged from an interlayer insulating film through a thermal treatment. - 特許庁

低誘電率を安定的に示すと共に、ＣＭＰ法をはじめとする最新の高集積化プロセスに耐えうる機械的強度と各種の耐薬品性を兼ね備えた層間絶縁膜に適した多孔質シリカ質膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a low dielectric constant porous silica film suited to layer insulation films which stably reveals a low dielectric constant and has a mechanical strength durable against the latest high degree integration process, including the CMP method and various chemicals resistances. - 特許庁