「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体薄膜を複数個の電極で挟み、強誘電体薄膜を連続、一体化した構成をとり、強誘電体薄膜の中で分極信号を転送する分極転送デバイス構造を強誘電体メモリのメモリセル群として用いることにより、強誘電体特性を確保し、微細化、高集積化に適した強誘電体メモリが得られる。例文帳に追加

Thus, ferroelectric characteristics can be ensured and a ferroelectric memory suitable for microfabrication and high integration can be obtained. - 特許庁

非晶質の強誘電体層またはその前駆体層を良好に結晶化し、これによって良好な強誘電体特性を有する強誘電体薄膜を得ることができ、さらには結晶粒径の精密な制御をも可能にする強誘電体薄膜の製造方法と、この製造方法によって得られた強誘電体薄膜を有する圧電素子、及び強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric thin film, capable of satisfactorily crystallizing an amorphous ferroelectric layer or its precursor layer, thereby enabling obtaining a ferroelectric thin film having an excellent ferroelectric characteristic, and further enabling exact control of the grain size of crystal, and to provide a piezoelectric element having a ferroelectric thin film obtained by this manufacturing method, and a ferroelectric memory. - 特許庁

強誘電体キャパシタに対して還元性雰囲気中の熱処理を施しても、容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜の分極特性が劣化しないようにする。例文帳に追加

To prevent deterioration in the polarization characteristic of a ferroelectrics film or a high dielectrics film constituting a capacitor insulating film even when heat treatment in a reducing atmosphere is applied to a ferroelectrics capacitor. - 特許庁

従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric film enabling more miniaturization and more stable operation than the film in the prior art, and having excellent adhesiveness with a base, to provide a semiconductor device using the ferroelectric film and a method of manufacturing the semiconductor device, and to provide a ferroelectric device using the ferroelectric film. - 特許庁

強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device used for a ferrorelectric memory device having a thin ferroelectric film thickness and a long-time data storage characteristic, a manufacturing method thereof, a manufacturing apparatus thereof, a ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

従来よりも小型化が可能で安定した動作が可能であり、下地との密着性に優れた強誘電体膜、強誘電体膜を用いた半導体装置、その製造方法および強誘電体膜を用いた強誘電体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric material film allowing further reduction in size than the existing one and ensuring stable operation and excellent close contact with an underlayer, to provide a semiconductor device using the ferroelectric material film and a method of manufacturing the semiconductor device, and to provide a ferroelectric material device using the ferroelectric material film. - 特許庁

強誘電体膜厚が薄く、長期のデータ保持特性を有する強誘電体メモリー装置に用いられる半導体装置、その製造方法、その製造装置、強誘電体膜及び強誘電体膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor apparatus employed for a ferrorelectric memory device having a ferroelectric film which is thin in film thickness, while having a long-term data storage characteristic, a method of manufacturing the semiconductor apparatus, a device for manufacturing the semiconductor apparatus, the ferroelectric film, and a method of manufacturing the ferroelectric film. - 特許庁

水素侵入による強誘電体膜の劣化を抑制した信頼性の高い強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory which suppresses ferroelectric film degradation due to hydrogen infiltration and has high reliability. - 特許庁

強誘電体膜内のＢｉ成分の揮発または拡散を防止する強誘電性メモリデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory device with which the volatilization or diffusion of Bi element in a ferroelectric film can be prevented. - 特許庁

感光性を有する強誘電体微粒子、これを用いて製造された強誘電体薄膜及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC SUBSTANCE PARTICLE WITH PHOTOSENSITIVITY, FERROELECTRIC SUBSTANCE THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器例文帳に追加

MANUFACTURING METHODS OF FERROELECTRIC FILM AND FERROELECTRIC ELEMENT, SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT, FREQUENCY FILTER, OSCILLATOR, ELECTRONIC CIRCUIT AND ELECTRONIC EQUIPMENT - 特許庁

Ｂｉ_4-xＡ_xＴｉ_3Ｏ_12 の一般式で表わされる強誘電体材料よりなる強誘電体膜の信頼性を向上させる例文帳に追加

To improve reliability of a ferroelectric substance film composed of ferroelectric substance expressed by a general formula of Bi_4-x+yA_xTi_3O_12. - 特許庁

還元性ガスによる強誘電体膜の劣化を防止できる強誘電体メモリを備えた半導体装置を実現すること。例文帳に追加

To realize a semiconductor device which is equipped with a ferroelectric memory with ferroelectric films that can be protected against deterioration caused by a reducing gas. - 特許庁

強誘電体キャパシタのドライエッチングにおいて、強誘電体膜にエッチングダメージ層形成され、インプリント特性が劣化してしまう。例文帳に追加

To solve the problem that, when a ferroelectric capacitor is dry-etched, an etching damage layer is formed on a ferroelectric film and imprinting characteristics deteriorate. - 特許庁

この方法により、強誘電体薄膜３表面の変質層やクラック等を発生させずに、強誘電特性を改善することができる。例文帳に追加

According to this method, ferroelectric characteristics can be improved, without bringing about a layer changed in the properties or cracks on the surface of the film 3 by this method. - 特許庁

一方、メモリセル形成領域の強誘電体キャパシタは、保護膜１３２により強誘電体特性が保持される。例文帳に追加

On the other hand, the ferroelectric capacitor of the memory cell forming region holds the ferroelectric characteristics by the protection film 132. - 特許庁

これにより強誘電体膜１５の単位面積当たりの残留分極量が増加し、強誘電体素子の残留分極特性が向上する。例文帳に追加

By this arrangement, an amount of remanent polarization per unit area of the ferroelectric film 15 is increased and thereby the remanent polarization characteristics of the ferroelectric element is improved. - 特許庁

低い比誘電率を有し、膜の強度が高く、基体との密着性にも優れた低誘電率絶縁膜の提供。例文帳に追加

To provide an insulating film having a low dielectric constant, which has a low relative dielectric constant, a high strength of the film, and further superior adhesion with a substrate. - 特許庁

強誘電体キャパシタ２は、下部電極１５と、下部電極１５上に形成されて磁性元素を含む強誘電体膜１７と、強誘電体膜１７上に形成された上部電極１９とを有している。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor 2 comprises: a lower electrode 15; a ferroelectric film 17 that is formed on the lower electrode 15, and contains a magnetic element; and an upper electrode 19 formed on the ferroelectric film 17. - 特許庁

強誘電体薄膜形成用塗布溶液、強誘電体としての有機金属化合物の合成方法および強誘電体薄膜の配向性を制御する方法。例文帳に追加

COATING SOLUTION FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC METAL COMPOUND AS FERROELECTRIC AND METHOD FOR REGULATING ORIENTATION OF FERROELECTRIC THIN FILM - 特許庁

誘電率が低く、かつ誘電率の経時安定性、機械強度、密着性等の特性が良好な絶縁膜の提供。例文帳に追加

To provide an insulation film that has a low dielectric constant, and has improved characteristics of stability with time in the dielectric constant, mechanical strength, adhesiveness, and the like. - 特許庁

導電性薄膜１４上に、ＭＯＣＶＤ法などによって、強誘電体薄膜１６を形成する。例文帳に追加

A ferroelectrics thin film 16 is formed on the conductive thin film 14 in a MOCVD method. - 特許庁

容量絶縁膜を構成する強誘電体膜の分極特性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent degradation in the polarization characteristic of a ferroelectric film constituting a capacitive insulating film. - 特許庁

導電膜５の上に水熱合成法により結晶性の強誘電体膜７を形成する。例文帳に追加

A crystal line ferroelectric film 7 is formed on the conductive film 5 by a hydrothermal synthesis method. - 特許庁

強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、強誘電体キャパシタ下部電極の膜質を改善して、強誘電体キャパシタ下部電極の上に形成する強誘電体膜の特性を良好にする。例文帳に追加

To improve the quality of film of the bottom electrode of a ferroelectric capacitor and make the characteristics of the ferroelectric film formed on the bottom electrode of the ferroelectric capacitor excellent, in relation to the manufacturing method of the semiconductor device having the ferroelectric capacitor. - 特許庁

強誘電体キャパシタに絶縁膜（ＳｉＯＦ膜）を施す際にも、同様に、まず、強誘電体キャパシタの電極と絶縁膜とに対して密着性の高い密着膜（ＳｉＯ_x 膜）を、強誘電体キャパシタを覆うように形成し、その後、この密着膜を覆うようにして絶縁膜を形成する。例文帳に追加

Likewise, in forming the insulating film (SiOF film) to the ferroelectric capacitor, the adhesive film (SiOX film) having high adhesiveness to electrodes of the ferro- electric capacitor and the insulating film is firstly formed so as to cover the ferroelectric capacitor, and then the insulating film is formed so as to cover the adhesive film. - 特許庁

強誘電体特性を利用した不揮発性メモリなどの各種デバイスに供される強誘電体薄膜がスパッタリング法によって容易に形成できる強誘電体キャパシタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor in which a ferroelectric thin film used in various devices such as a nonvolatile memory device using ferroelectric characteristics can be easily formed by a sputtering method, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

強誘電体デバイスの基板材料によらず強誘電体膜の結晶性および性能の向上が可能な強誘電体デバイス（発電デバイスまたは焦電デバイス）の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric device (a power generation device or pyroelectric device) improving crystallinity and performance of a ferroelectric film regardless of a substrate material of the ferroelectric device. - 特許庁

積層型ペロブスカイト強誘電体薄膜を有する非揮発性強誘電体キャパシタ及びそれを備える非揮発性強誘電体メモリを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a nonvolatile ferroelectric capacitor having a laminated perovskite ferroelectric thin film, which has superior fatigue characteristics even on a metal electrode, maintains a relatively high remanent polarization, and can be formed through a low-temperature process. - 特許庁

強誘電体特性が良好であって、電極膜の剥離が生じにくい、強誘電体キャパシタ及びその製造方法、並びに強誘電体メモリ装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor and its manufacturing method, in which the ferroelectric characteristics are satisfactory, and the exfoliation of an electrode film is hard to occur and to provide a ferroelectric memory device. - 特許庁

下部電極と上部電極との間に強誘電体膜を介在させた強誘電体キャパシタをメモリセルに配置した強誘電体メモリ装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve a ferroelectric memory device in reliability, wherein the ferroelectric memory device is provided with a ferroelectric capacitor equipped with a ferroelectric film interposed between a lower electrode and an upper electrode and arranged in memory cells. - 特許庁

強誘電体キャパシタを含む強誘電体素子において、強誘電体膜の配向方向を制御して従来よりも残留分極特性を向上させることを目的とする。例文帳に追加

To improve the remanent polarization characteristic than ever before by controlling the orientation direction of a ferroelectric film in a ferroelectric element including a ferroelectric capacitor. - 特許庁

１Ｔ１Ｃ、２Ｔ２Ｃ及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric film suitable for a ferroelectric capacitor having hysteresis characteristics which are suitable for any of 1T1C, 2T2C and simple matrix type ferroelectric memories. - 特許庁

微細なＣＭＯＳ回路に搭載することができ、良好な残留分極特性を示す強誘電体膜とその製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric film which can be packaged in a micro CMOS circuit and indicates excellent residual polarization characteristics, and manufacturing method thereof, ferroelectric capacitor, ferroelectric memory and manufacturing method thereof. - 特許庁

強誘電体キャパシタの強誘電体膜の側壁に発生するダメージ領域を、キャパシタの有効領域外に形成し、強誘電体キャパシタの信頼性を高める。例文帳に追加

To improve the reliability of a ferroelectric capacitor by allowing damaged regions on the ferroelectric film side wall of the ferroelectric capacitor to form outside the capacitor effective region. - 特許庁

キャパシタの電気的特性を向上させることができ、比較的に低い温度で結晶化可能なBLT強誘電体膜を有する強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory element having a BLT ferroelectric film that can improve electric characteristics of a capacitor and can be crystallized at a relatively low temperature, and to provide a ferroelectric memory device. - 特許庁

バリア膜を不要とした簡便なプロセスで十分な特性を担保できる、強誘電体キャパシタおよびその製造方法、ならびにかかる強誘電体キャパシタを用いた強誘電体メモリ、圧電素子を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric capacitor capable of ensuring sufficient characteristics by a simple process, in which a barrier film is not required, and a ferroelectric memory using such a ferroelectric capacitor and a piezo-electric element. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、ＰＺＴより大きな残留分極量を有する（１１１）配向性に優れた強誘電体薄膜を得る。例文帳に追加

To obtain a ferroelectric thin film that has larger residual polarization (111) than PZT with an excellent orientation in a ferroelectric capacitor and a ferroelectric memory device. - 特許庁

高誘電率膜や強誘電体膜をキャパシタ誘電体膜に用いる容量素子に関し、誘電体膜の配向方向による依存性のある種々の特性を同時に向上しうる容量素子の構造及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the structure of a capacitative element where a high dielectric constant film or a ferroelectric film are used for a capacitor dielectric film capable of simultaneously improving a variety of characteristics having dependencies on the orientation direction of the dielectric film, and to provide a method for manufacturing the capacitative element. - 特許庁

前記保護膜は、第１電極膜パターン、強誘電体膜パターン及び第２電極膜パターンを覆うように形成され、水素成分が強誘電体膜パターンに浸透できないようにする絶縁性の膜である。例文帳に追加

The protection film is formed to cover the first electrode, ferroelectric, and second electrode film patterns, and serves as an insulating film for preventing a hydrogen constituent from penetrating into the ferroelectric film pattern. - 特許庁

絶縁性の矩形板１１の表面に、厚さがほぼ一様で歪みにより誘電率が変化する強誘電体厚膜層１２を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric thick-film layer 12 whose thickness is nearly uniform and whose permittivity changes due to distortion is formed on the surface of an insulation rectangular plate 11. - 特許庁

これにより、強誘電体からなる薄膜内に圧縮応力を誘発させて誘電特性を向上することができる。例文帳に追加

Thereby compressive stress is induced in a film made of a ferroelectric substance, and dielectric characteristic can be improved. - 特許庁

誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a low dielectric constant insulating film with low dielectric constant, high strength and high plasma damage resistance. - 特許庁

第１の電極１０と、第１の電極１０上に形成され、ビスマス元素を含むペロブスカイト型酸化物よりなる第１の強誘電性材料と、反強誘電性を示すペロブスカイト型酸化物よりなる第２の強誘電性材料との混晶を含む強誘電体膜１２と、強誘電体膜１２上に形成された第２の電極１４とを有する。例文帳に追加

The ferroelectric capacitor includes a first electrode 10, a ferroelectric material film 12 formed on the first electrode 10 and includes a mixed crystal of a first ferroelectric material formed of the Perovskite oxide including the bismuth element and a second ferroelectric material formed of the Perovskite oxide showing anti-ferroelectric property, and a second electrode 14 formed on the ferroelectric material film 12. - 特許庁

熱分解特性、長期保存安定性に優れた強誘電体薄膜形成用溶液を提供する。例文帳に追加

To provide a solution for forming a ferroelectric thin film excellent in thermal decomposition characteristics and long-term shelf stability. - 特許庁