「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

十分に低い比誘電率及び良好な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるとともに、凹凸面を覆うシリカ系被膜を形成したときの凹凸緩和性に優れるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a silica-based film-forming composition which forms a silica-based film having a sufficiently low relative permittivity and a good mechanical strength and has an excellent ability of smoothing the ruggedness, when the silica-based film is formed to cover the rugged surface. - 特許庁

ゾルゲル法等の塗布法により成膜されるＰＺＴ、ＰＬＺＴ、チタン酸ビスマスなどの強誘電体薄膜における表面形態の均一性を改善し、結晶粒が微細で粒径のばらつきがなく、余分な相が混在しない膜を得る。例文帳に追加

To obtain a film containing fine crystal grains without any dispersion of grain diameter and without any excessive phase mixed therein by improving the uniformity of the surface form in a ferroelectric thin film such as PZT, PLZT or bismuth titanate formed by a coating method such as a sol-gel method. - 特許庁

低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of easily manufacturing a semiconductor device which is improves in adhesion or the strength near an interface between a layer insulating film formed using a low dielectric constant film and other insulating film provided by being directly or indirectly laminated thereon. - 特許庁

本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a film-forming composition containing a compound having a crosslinkable functional group for forming a film capable of attaining low dielectricity, high heat-resistance and excellent mechanical strength, and also to provide a film obtained by using the film-forming composition, an insulation film, and an electronic device having the insulation film. - 特許庁

ハンダ耐熱性、比較的低い誘電率、低線熱膨張係数、充分な強靭さ、且つ基板上への薄膜成型加工性を併せ持つ実用上有益なポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール膜及びその前駆体、前駆体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a practically profitable polybenzoxazole having solder heat resistance, a relatively low permittivity, a low coefficient of thermal expansion, sufficient toughness and thin-film forming processability onto a substrate in combination and to provide a polybenzoxazole film and its precursor and a method for producing the precursor. - 特許庁

６００℃±５℃の均熱性を保持しながら強誘電体膜などをスパッタリングするプロセスにおいて、被処理基板を保持するトレーの反りや被処理基板からトレーへの放熱を防止し、処理被処理基板上での温度均一性を確保することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a film deposition apparatus for preventing warping of a tray to hold a substrate to be treated or heat radiation from the substrate to the tray and ensuring the temperature uniformity on the substrate in a process for sputtering a ferroelectric film or the like while maintaining the heat uniformity of 600°C±5°C. - 特許庁

補助電極層６上に後に強誘電体膜９を形成する水熱合成法で用いるアルカリ溶液によって性質が変化しない合成樹脂にチタン粉末，酸化チタン粉末及びチタンウイスカーの少なくとも１つを混練した導電性ペーストを塗布して導電膜パターンを形成する。例文帳に追加

Conductive paste in which one out of titanium powder, titanium oxide powder and titanium whisker is kneaded in synthetic resin whose property is not changed by alkaline solution used in a hydrothermal synthesis method for forming a ferroelectric film 9 in the later process is spread on the electrode layer 6, and a conducting film pattern is formed. - 特許庁

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates contaminant gas when viae are formed. - 特許庁

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes. - 特許庁

ウェル領域１１の上における第１の活性領域１７Ｓと第２の活性領域１７Ｄとの間には、強誘電体薄膜からなるゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、該ゲート電極にはワード線１３が接続されている。例文帳に追加

A gate electrode is made through a gate insulating film consisting of a ferroelectric film is made between the first active region 17S and the second active region 17D on the well region 11, and a word line 13 is connected to that gate electrode. - 特許庁

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。例文帳に追加

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17. - 特許庁

下部電極１０９及び第１の絶縁性水素バリア膜１１１の上には、ワード線方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタに共通の容量絶縁膜１１２が形成され、該共通の容量絶縁膜１１２の上には、ワード線方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタに共通の上部電極１１３が形成され、該共通の上部電極１１３の上には第２の絶縁性水素バリア膜１１５が形成されている。例文帳に追加

The capacitance insulation film 112 common to a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction is formed on the lower electrode 109 and the first insulation hydrogen barrier film 111, the upper electrode 113 common to a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction is formed on the common capacitance insulation film 112, and a second insulation hydrogen barrier film 115 is formed on the common upper electrode 113. - 特許庁

上部電極１５は、室温において圧縮応力を有する導電性膜を用いており、強誘電体膜１４の中に発生する、電極面に対して垂直方向の引張り応力を圧縮応力の方向に持っていくようにしている。例文帳に追加

In the upper part electrode 15, the conductive film having compressive stress at a room temperature is used, which causes tensile-stress occurring in the ferroelectric film 14 in a direction perpendicular to an electrode plane to be directed to a direction of compressive stress. - 特許庁

これによって、第１保護膜２７は、積層方向上側の上部領域の酸素濃度が他の領域に比べて高くなり、水素や水などの還元性物質が強誘電体キャパシタ３１に透過することを防止する拡散防止膜となる。例文帳に追加

Consequently, the first protection film 27 has higher oxygen density in an upper region above in a stacking direction than in other regions, and serves as a diffusion preventive film which prevents a reductive substance such as hydrogen and water from penetrating the ferroelectric capacitor 31. - 特許庁

この場合、水熱合成法により強誘電体膜９を形成するときの処理温度は２００℃以下と比較的低温であるので、ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂からなる保護膜５が熱的ダメージを受けないようにすることができる。例文帳に追加

In this case, since a processing temperature at the time of forming the ferroelectric film 9 by the hydrothermal synthesis is a low temperature comparatively with 200°C or less about the ferroelectric film 9 by the hydrothermal synthesis, the protective film 5 made of the thermosetting resin, such as the polyimide resin, can be prevented from the thermal damage. - 特許庁

ゾル−ゲル法に基づくマルチコーティングプロセスを用いる強誘電性の膜の形成方法、特にアルコキシド型の液体ＰＺＴ前駆体溶液、特にＰｂ（Ｚｒ_XＴｉ_1-X）Ｏ_3前駆体溶液の高品質のＰＺＴ薄膜の製造方法を開示する。例文帳に追加

To easily form a PZT thin film of high quality having specified film thickness by forming layers of a PZT precursor soln. diluted with butoxyethanol for several times to specified thickness by solgel method, heat treating the layers to remove the solvent and then pyrolyzing to crystallize them. - 特許庁

シリコン基板１上に中間層３を成膜し、ぞの上の層間絶縁膜４を異方性エッチングで、シリコン基板１に対して垂直に加工し、開口部１１を形成し（ｄ）、強誘電体５をその開口部１１に形成する（ｅ）。例文帳に追加

An intermediate layer 3 is formed on a silicon substrate 1, and an interlayer dielectric 4 formed thereon is etched vertically, with respect to the silicon substrate 1 by an anisotropic etching to form an opening 11, and then a ferrodielectric material 5 is formed in the opening 11. - 特許庁

化学気相成長（ＣＶＤ）法、特に有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法で良好な特性のＰＺＴなどの強誘電体膜を始めとする薄膜を形成することにより半導体装置を製造するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus by using chemical vapor deposition (CVD), especially metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) to form thin films, with ferroelectric films such as PZT having favorable characteristics as an example. - 特許庁

強誘電性液晶表示装置Ａによれば、下基板２０においては透明基板１４上に画素電極１２とアクティブ素子１０とを形成し、これらの上に配向膜８を積層し、さらに上基板１９においては、透明基板２上に共通電極４と配向膜６とを順次積層する。例文帳に追加

As regards a ferroelectric liquid crystal display device A, in a lower substrate 20 pixel electrodes 12 and active elements 10 are formed on a transparent substrate 14 and an alignment layer 8 is laminated thereon, and in an upper substrate 19 a common electrode 4 and an alignment layer 6 are successively laminated on a transparent substrate 2. - 特許庁

ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９などの強誘電体薄膜やＢｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_８などの酸化物超電導体薄膜をＣＶＤ法で作製するためのビスマス原料として、供給時に、熱安定性が高く、よく昇華する高純度のＢｉ（ｄｐｍ）_３を提供する。例文帳に追加

To obtain a high-purity Bi(dpm)3 [bismuth tris(dipivaloylmethanate)] used as a bismuth raw material for producing a ferroelectric thin film such as SrBi2Ta2O9 or an oxidic superconductive thin film such as Bi2Sr2CaCu2O8 by CVD(chemical vapor deposition) method and having high heat stability and good sublimability when supplied. - 特許庁

充分な機械強度とともに、低誘電率であり密着性に優れた絶縁材料を形成するための、シランカップリング剤を含有する絶縁膜形成用組成物を有機溶媒に溶解した塗布液のポットライフを高める半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of preserving a coating liquid for forming a semiconductor interlayer insulating film, which can improve pot life of a coating liquid obtained by dissolving an insulating film forming composition containing a silane coupling agent into an organic solvent and is used to form an insulating material having sufficient mechanical strength, low dielectric constant and excellent adhesiveness. - 特許庁

基板の上に設けられた強誘電体又は高誘電体を容量絶縁膜とする凹型の立体構造を有する容量素子においてそれぞれの高さが異なっている場合においても、それぞれの容量素子の容量を等しくすることにより、動作が安定な信頼性が高い半導体記憶装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a highly reliable semiconductor capable of operating stably by equalizing the capacitance of respective capacitive elements even when the capacitive elements provided on a substrate and having a recessed spatial structure employing a ferroelectric or a high dielectric as a capacitance insulating film have different heights. - 特許庁

半導体基板の上方に形成された強誘電体キャパシタ１００を覆うように、アルミニウム酸化物膜１５０をＡＬＤ法により形成し、当該アルミニウム酸化物膜１５０を形成した後、強酸化作用のあるオゾン（Ｏ_3）を含む酸化性ガス雰囲気中においてアニール処理を行うようにして、アルミニウム酸化物膜１５０を緻密化した膜とする。例文帳に追加

An aluminum oxide film 150 is formed by ALD method to cover a ferroelectric capacitor 100 formed above a semiconductor substrate, and then it is annealed in an oxidative gas atmosphere containing ozone (O_3) having strong oxidizing function, thereby refining the aluminum oxide film 150. - 特許庁

式（１）で表される光学活性な重合性化合物、それを重合させて得られる重合体、その重合体を用いた光学補償膜、光書き込み記録材料、液晶カラーフィルター、および強誘電性液晶重合体表示素子。例文帳に追加

The optically active polymerizable compound is described by formula (1), and the polymer is obtained by polymerization of the compound, and the optical compensation film, the optically writable recording material, the liquid crystal color filter, and the ferroelectric liquid crystal polymer display device are made of the polymer. - 特許庁

本発明は、強誘電性を有する配向したペロブスカイト型酸化物圧電板において板面の対向する両側に導電性膜を有しかつ薄板の自発分極方向７と外部電界印加方向８が同一ではない異方性圧電板を特徴とする。例文帳に追加

On an oriented perovskite type oxide piezoelectric plate with ferroelectricity, a conductive film is provided at both sides where a plate surface is counterposed, and at the same time an anisorpic piezoelectric plate, where a spontaneous polarization direction 7 of a thin plate is not the same as in an external electric field application direction 8 is provided. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device structure having a configuration in which the ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes and the ferroelectric thin films are continuously unified to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device having a configuration in which ferroelectric thin films are continuously unified and are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization transfer direction selecting device for selecting a transfer direction. - 特許庁

したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。例文帳に追加

This array has a configuration integrating a polarization transfer device in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and continuously unifying the ferroelectric thin films. - 特許庁

通常の半導体製造プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械強度及び誘電特性に優れた新たな多孔質膜形成用塗布液、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a coating liquid for forming a new porous film for easily forming a thin film having film thickness that is freely controlled with a method used for the ordinary semiconductor manufacturing process and for ensuring excellent mechanical strength and dielectric characteristic and also provide a high performance and high reliability semiconductor device including the same porous film. - 特許庁

また、長距離引き回し配線である第５層配線Ｍ_5 および第６層配線Ｍ_6 では、低誘電率絶縁膜と比して膜密度が相対的に大きいＴＥＯＳ酸化膜を用いることによって、第４層間絶縁膜２０および第５層間絶縁膜２３の放熱性および機械的強度を向上させる。例文帳に追加

A TEOS oxide film which has a higher film density than a low-permittivity insulating film is used for insulation of a fifth wiring layer M5 and a sixth wiring layer M6 which are laid out long in length, by which a fourth interlayer insulating film 20 and a fifth interlayer insulating film 23 are enhanced in heat dissipating properties and mechanical strength. - 特許庁

金属反応剤の使用量を少なくすることができ、除去を必要とする副生成物の発生を抑えることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、およびシリカ系絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a polymer giving a film having small relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesiveness and uniform film quality while reducing the quantity of a metallic reaction agent and suppressing the generation of by-product to be removed and provide the polymer, a composition for forming an insulation film, a method for producing an insulation film and a silica-based insulation film. - 特許庁

耐湿（耐水分、耐水素）性の優れた強誘電体膜を有するキャパシタのパッド構造を備え、パッドに傷が生じても、水素、水分に対する耐性を回復することのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which includes a pad structure of a capacitor having a ferroelectric film of superior wet resistance (moisture resistance, hydrogen resistance) and is capable of recovering resistance to hydrogen and moisture even if a pad is damaged, and to provide the semiconductor device. - 特許庁

強誘電体キャパシタ構造を有する半導体装置において、配線等を覆う層間絶縁膜の機能を損なうことなく、Ｈ_2アタックを十分に抑制して高いキャパシタ特性を確保して、信頼性の高い半導体装置を実現する。例文帳に追加

To realize a reliable semiconductor device which secures high capacitor characteristics by suppressing sufficiently H_2 attack without spoiling the function of the interlayer insulating film which covers wiring and the like, in the semiconductor device which has ferroelectric capacitor structure. - 特許庁

Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ元素を含み、水蒸気または集積化処理によっても劣化しない安定した超低ｋ膜を与える特定の機械特性（引張応力、弾性率、硬さ、凝集強度、水中亀裂速度）値を有する誘電体材料を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric material containing elements of Si, C, O and H, having specific mechanical property values (tensile stress, elastic modulus, hardness, cohesive force, and crack speed in water) which provide stable ultralow-k film without deterioration arising from steam or integration processing. - 特許庁

アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好で保存安定性を長期に亘って維持することができる鉛含有複合酸化物形成用組成物及びその製造方法、強誘電体薄膜、圧電素子並びに液体噴射ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a lead-containing multiple oxide in which the dispersion stability of an acetylacetonate complex is satisfactory, and preservation stability can be maintained over a long period, to provide its production method, to provide a ferroelectric thin film, to provide a piezoelectric element, and to provide a liquid injection head. - 特許庁

Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ元素を含み、水蒸気または集積化処理によっても劣化しない安定した超低ｋ膜を与える特定の機械特性（引張応力、弾性率、硬さ、凝集強度、水中亀裂速度）値を有する誘電体材料を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric material which includes Si, C, O and H atoms and has specific mechanical characteristic (tensile stress, degree of elasticity, hardness, cohesive strength, crack velocity in water) values giving stable ultralow k film which is not deteriorated by steam or integration processing. - 特許庁

そのような雰囲気中で行う昇温段階では、下部電極表面が均一に酸化されやすく、その上には、配向性が良く、ウェハ面内の配向分布やウェハ間の再現性の良い強誘電体膜が形成されるようになる。例文帳に追加

In the temperature raising stage executed in such an atmosphere, the surface of the lower electrode is easily uniformly oxidized, and the ferroelectric film excelling in orientation, and also excelling in an orientation distribution in a wafer surface and repeatability between wafers is formed on top of it. - 特許庁

ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。例文帳に追加

To ensure sufficient strength of a zeolite thin film even if a principal constituent is a zeolite crystal other than an MFI type, also achieve reduction of a dielectric constant, improvement of evenness of a surface and improvement of hydrophobicity, and further enable to produce at a low cost by simplifying production processes. - 特許庁

真空管（１２）用の絶縁体が開示され、この真空管（１２）用の絶縁体は、電気絶縁性のバルク材料（７３）と、バルク材料（７３）の第一の部分（９０、９６、９９）に施工される第一の反強誘電性皮膜（８８、９４）とを含んでいる。例文帳に追加

An insulator for a vacuum tube (12) is disclosed, which includes an electrically insulating bulk material (73) and first antiferroelectric coatings (88, 94) applied to the first portions (90, 96, 99) of the bulk material(73). - 特許庁

ＭＦＩ型以外のゼオライト結晶を主成分とする場合であっても、ゼオライト薄膜の十分な強度を確保でき、誘電率低減、表面の平坦性向上、また疎水性向上をも実現し、さらに作成工程の簡略化による低コスト化も可能となるようにする。例文帳に追加

To make it possible to secure sufficient strength of a zeolite thin film, to reduce its dielectric constant, to enhance its flatness of the surface, also to realize the enhancement of its hydrophobicity, and further to reduce the cost by simplifying the production process, too, even in the case of using a zeolite crystal of other than an MFI type as a main component. - 特許庁

圧電体膜を厚膜形成技術によって形成するために用いられる圧電体ペーストであって、８００℃以下の温度で焼成することができ、圧電体ペースト中に含まれる圧電性結晶粉末が有する強誘電性を保持しながら、良好な分極性および高い圧電性を有する圧電体膜を形成できる、圧電体ペーストを提供する。例文帳に追加

To obtain a piezoelectric paste which is used for forming a piezoelectric film by thickness film forming technique, can be fired at ≤800°C and is capable of forming the piezoelectric having good polarizability and high piezoelectric properties while maintaining the ferroelectric properties possessed by the piezoelectric crystalline powder included in the piezoelectric paste. - 特許庁

本発明は、基板と電極層と配向膜とを有する２枚の配向基板を、上記配向膜が対向するよう配置し、上記配向基板間に強誘電性液晶を狭持してなる液晶表示素子において、上記２枚の配向膜のうち少なくとも一方の対向面上に反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層を設けることにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

In the liquid crystal display element comprising two alignment substrates each having a substrate, an electrode layer and an alignment film disposed so as to make the alignment films opposite to each other and having the ferroelectric liquid crystal interposed between the alignment substrates, a reactive liquid crystal layer formed by immobilizing a reactive liquid crystal is disposed on an opposing surface of at least one out of the two alignment films. - 特許庁

高エネルギー線照射、あるいは不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下での加熱による不溶化が可能であり、エッチング耐性および溶剤耐性に優れており、かつ、機械的強度に優れた低比誘電率膜を製造することができる新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new polycarbosilane insolubilizable by high energy ray irradiation or heating in an inert gas atmosphere or in a reduced pressure atmosphere, having excellent etching resistance and solvent resistance and giving a film having excellent mechanical strength and low relative dielectric constant, a method for producing the polycarbosilane, a film-forming composition, a film and a method for forming the film. - 特許庁