「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

そのため、強誘電体膜は加工時に、ダメージを受けることなく、角型のヒステリシス形状を持った分極特性が得られる。例文帳に追加

Thereby the ferroelectric film will not be damaged, when work is performed, and polarization characteristic whose hysteresis shape is square can be obtained. - 特許庁

ＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液を提供すること。例文帳に追加

To provide a concentrated application liquid having a high concentration which does not deteriorate electrical properties of BLT ferroelectric thin films. - 特許庁

強誘電体薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。例文帳に追加

Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained. - 特許庁

誘電率が低く、機械的強度が高くかつ表面の撥水性が低い層間絶縁膜を形成する方法を与える。例文帳に追加

To provide a method of forming an interlayer insulating film which has a low dielectric constant, high mechanical strength, and a low water- repellent property on the surface thereof. - 特許庁

導電性プラグの上に低誘電率絶縁膜を堆積させる場合、低誘電率絶縁膜の膜厚均一性の悪化による配線のオープン不良もしくはショート不良の発生を抑え、また低誘電率絶縁膜の機械強度や密着性の低下による信頼性の低下を抑えることを目的とする。例文帳に追加

To prevent the occurrence of an open failure or a short failure of wiring due to degradation of film thickness uniformity of a low-permittivity insulation film, when the low-permittivity insulation film is deposited on a conductive plug, and to prevent degradation of reliability, due to degradation of mechanical strength and adhesiveness of the low-permittivity insulation film. - 特許庁

強誘電体層を成長する際に下地Ｓｉの酸化による絶縁性のシリコン酸化膜を形成せず、微細加工する際に成膜時に強誘電体層に導入した歪を緩和させず、しかも書き込み／読み出しの繰り返しによる疲労劣化を生じないような下部電極を形成することができ、強誘電体キャパシタの信頼性向上をはかる。例文帳に追加

To restrain an insulating silicon oxide film from being formed by the oxidation of a Si base, when a ferroelectric layer is grown, to prevent distortion introduced into the ferroelectric layer when it is formed from being relaxed when a fine processing is carried out, to form a lower electrode which is kept free of fatigue deterioration caused by repetitive operations of write/ read, so as to improve ferroelectric capacitor in reliability. - 特許庁

強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the characteristics of the capacitor dielectric film in a ferroelectric capacitor can be enhanced, and to provide its fabrication method. - 特許庁

チタン，チタン合金またはチタン化合物の導電性粉末１１ａの表面上に無電解式の水熱合成法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ_3 からなる強誘電体膜１１ｂを形成して誘電体粉末１１を作る。例文帳に追加

A ferroelectric film 11b made of Pb(ZrTi)O3 is formed on the surface of conductive powder 11a of titanium or a titanium alloy or a titanium compound through electroless hydrothermal synthesis method, and a dielectric powder 11 is formed. - 特許庁

強誘電体からなる薄膜内に圧縮応力を誘発させて誘電特性を向上することができる半導体素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To realize a capacitor in a semiconductor element, capable of improving dielectric characteristic by inducing compression stress in a thin film composed of ferroelectric substance, and a manufacturing method of the capacitor. - 特許庁

強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の結晶性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which the crystallinity of a capacitor dielectric film of a ferroelectric capacitor can be improved, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device. - 特許庁

強誘電体材料や高誘電率材料の構成元素であるＴｉやＰｂなどがＳｉＯ_2 膜や半導体層に拡散して侵入するのを防止しながら、ドライエッチングによる加工性を向上させたキャパシタを提供する。例文帳に追加

To enhance machinability of dry etching while preventing the compositional elements of ferroelectric or highly dielectric material, i.e., Ti or Pb, from intruding into an SiO2 film or a semiconductor layer through diffusion. - 特許庁

本方法は、誘電体、強誘電体、金属／電極バリア、超電導体、触媒、および保護膜の微小エレクトロニクスデバイス製造に商業的成功の可能性を有する。例文帳に追加

The method has a possibility of commercial success in producing a micro electronic device including a dielectric, a ferro-electric, a metal/electrode barrier, a superconductor, a catalyst and a protective coating. - 特許庁

強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の結晶性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can improve crystallinity of a capacitor dielectric film that a ferroelectric capacitor has. - 特許庁

強誘電体または高誘電体を容量絶縁膜とする容量素子の特性劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of restraining a capacitor element that uses a ferroelectric material or a high dielectric material as a capacitor insulating film from deteriorating in characteristics. - 特許庁

キャパシタの製造方法における、高温工程の時、高誘電体または強誘電体の薄膜の酸素成分が拡散される経路を抑制して、優れた漏れ電流特性を得ることのできるキャパシタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a capacitor in which excellent leak current characteristics can be attained by restricting the passage to diffuse oxygen component of a high dielectric or ferroelectric thin film in a high temperature process. - 特許庁

汎用の有機溶媒に可溶な有効成分を含み、保存安定性や再現性に優れ、しかも低温での焼成によっても薄膜形成が可能な強誘電体形成用塗布液、その製造方法およびこれを用いる強誘電体薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a coating fluid for forming a ferroelectric thin film which contains effective components soluble in general organic solvent and has good preserving stability and reproductivity and which is also capable of forming the ferroelectric thin film by firing at a low temperature, and provide a method of producing the same, and also provide the ferroelectric thin film using the method. - 特許庁

シリコン窒化膜またはシリコン酸窒化膜形成後の強誘電体容量素子の劣化を抑制し、記憶保持特性が良好でデータ書き換え寿命の信頼性の高い強誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric storage device, wherein the deterioration in the ferroelectric capacitance element after silicon nitride film or silicon oxide nitride film is formed is restrained, storage holding characteristic is satisfactory, and the reliability of data rewrite service life is high, and a manufacturing method of the device. - 特許庁

バリア絶縁膜やその上の主絶縁膜において機械的強度を高めるとともに、吸湿性を改善し、かつ、更なる低誘電率化を図ること、特にバリア絶縁膜では銅拡散防止機能を維持しつつ、比誘電率を更に低減させることができる成膜方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To improve hygroscopicity while raising a mechanical strength in a barrier insulating film or a main insulating film on it, and to further reduce a dielectric constant, and particularly to provide a film depositing method and a semiconductor device which can further reduce a specific dielectric constant while especially maintaining a copper diffusion preventing function in the barrier insulating film. - 特許庁

加工性に優れるとともに、耐熱性、低誘電性、及び機械的強度に優れた塗膜を形成し得る膜形成用組成物、膜の形成方法、及び膜を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming composition having excellent processability and capable of forming a film which is excellent in heat resistance, low in dielectric constant and excellent mechanical strengths, and also a film-forming method and a film. - 特許庁

誘電率、密着性、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な絶縁膜の製造方法、絶縁膜、絶縁膜の積層体および電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of an insulating film with excellent film characteristics in dielectric constant, adhesion, mechanical strength and heat resistance, and an insulating film, the laminate of the insulating film and electronic device required therefor. - 特許庁

本発明にかかる強誘電体キャパシタ５０は、基体１０と、前記基体の上方に設けられた第１電極２０と、前記第１電極の上方に設けられた強誘電体層３０と、前記強誘電体層の上に設けられた導電膜３２と、前記導電膜の上方に設けられた絶縁性材料からなる犠牲層３４と、前記犠牲層の上方に設けられた第２電極４０と、を含む。例文帳に追加

A ferroelectric capacitor 50 includes a base body 10, a first electrode 20 formed above the base body, a ferroelectric layer 30 provided above the first electrode, a conductive film 32 formed on the ferroelectric layer, a sacrificial layer 34 provided above the conductive film and made of an insulating material, and a second electrode 40 provided above the sacrificial layer. - 特許庁

誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。例文帳に追加

To provide a coating liquid for a silica-based film with a low dielectric constant, forming an insulating film having a dielectric constant as low as 3 or less and excellent not only in resistance to oxygen plasma during the microphotolithography processing but also in mechanical strength, chemical resistance such as alkali resistance and crack resistance and to provide a substrate having formed thereon such a silica-based film with a low dielectric constant. - 特許庁

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma. - 特許庁

コンタクトホールへのプラグ導電部の埋設時などに、水素バリア膜と上部電極との界面を通って水素が侵入し、強誘電体膜が特性劣化してしまうのを防止した、強誘電体メモリ装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory device which prevents characteristics of a ferroelectric film from being deteriorated when hydrogen enters the ferroelectric film through an interface between a hydrogen barrier film and an upper electrode, e.g., upon filling of a plug conductor into a contact hole, and also a method of manufacturing the ferroelectric memory device. - 特許庁

結晶化過程をモニターしアモルファス領域が完全に消滅したところで終点とする、あるいは基板上の強誘電体成膜のどの領域でも一様な強誘電特性を有する成膜の結晶化方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a crystallization method for a film, where an end point is set in a point in which an amorphous region disappears completely by monitoring a crystallization process or a uniform ferroelectric characteristic is provided in an region of a ferroelectric film on a substrate. - 特許庁

加工物を形成する基板１１上に強誘電体薄膜１２を付着し、次に、導電性探針１３を有する原子間力顕微鏡を用いて、強誘電体薄膜上にパターンを形成して、所望のナノ回路パターンを画定する。例文帳に追加

A ferro-dielectric thin film 12 is attached onto a base board 11 which forms a work to be processed, and patterns are formed on the thin film using atomic force microscope which has an electroconductive probe 13 so that the desired nano-circuit pattern is partitioned. - 特許庁

表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）現象を応用して電場増強度を測定する方法に基づいて、金属薄膜上誘電体の光学特性を正確かつ容易に測定することができる金属薄膜上誘電体の光学特性測定方法及び金属薄膜上誘電体の光学特性測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for measuring optical characteristics of a dielectric on a metal thin film which can accurately and easily measure optical characteristics of a dielectric on a metal thin film, based on a method for measuring the enhancement degree of an electric field by applying a surface plasmon resonance (SPR) phenomenon. - 特許庁

コンタクトプラグ上に直接形成される下地層の結晶配向性を良好にし、さらにこの下地層の平坦性をも良好にすることで、下部電極や強誘電体膜の結晶配向性の改善を図った強誘電体メモリ装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device having an improved crystal orientation of a bottom electrode and a ferroelectric film by improving the crystal orientation of a base layer formed directly on a contact plug and also improving the planarity of the base layer. - 特許庁

強誘電体薄膜における２つの分極信号を比較し、電気信号に置き換える分極信号比較器をＭＦＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴの組み合わせで実現し、メモリ装置に導入することにより、間接的に、高速性、信頼性、安定性を兼ね備えた強誘電体メモリが具現化した。例文帳に追加

The ferroelectric memory, which is fast, reliable and stable, is embodied by incorporating the polarization signal comparator into a memory device. - 特許庁

水素バリア膜と整合性の良い別基板上に予め結晶性の良好な水素バリア膜を成膜し、これを強誘電体薄膜キャパシタ上に転写形成する。例文帳に追加

A hydrogen barrier film with good crystallinity is formed in advance on a substrate having a lattice matching the hydrogen barrier film, and then the hydrogen barrier film is transferred onto a ferroelectric thin film capacitor. - 特許庁

層間絶縁膜材料として、塗膜形成が可能で、塗膜の機械的強度、耐クラッチ性低吸湿性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜形成用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for film formation capable of forming a coating film, excellent in mechanical property, resistance to crack, in low hygroscopic property and low in dielectric constant as a layer insulation material. - 特許庁

誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる膜、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming composition having good film characteristics such as dielectric constant, mechanical strength and heat resistance, a film and an insulating film each obtained by using the composition and an electronic device having the insulating film. - 特許庁

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の長期保存安定性、塗膜の均一性や機械的強度に優れ、比誘電率２．５以下の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。例文帳に追加

To obtain a film-forming composition which shows an excellent long- term shelf stability of the solution, yields a coated film which shows an excellent uniformity and mechanical strength and has a dielectric constant of ≤2.5 and is therefore suitable as a material for interlayer insulating films for semiconductor elements, etc. - 特許庁

導電膜７を形成した接着層付き回路３を強アルカリ溶液に浸漬して、導電膜７の上に結晶性の強誘電体膜９を水熱合成法により形成する。例文帳に追加

The circuit 3 with the adhesive layer having the conductive film 7 formed thereon is dipped into a strong alkali solution to form a crystalline ferroelectric film 9 on the conductive film 7 by a hydrothermal synthesis method. - 特許庁

本発明は低誘電率、低誘電損失であり、軟質性、力学強度、耐熱性、温度特性、耐水性を有し、製膜性等の成形性に優れる後硬化性樹脂組成物及びその高周波用の電気絶縁材料を提供することである。例文帳に追加

To provide a post-curable resin composition which ensures a low dielectric constant and a low dielectric loss, has flexibility, dynamic strength, heat resistance, temperature characteristics and water resistance, and is excellent in moldability such as film-forming property, and an electrical insulating material for high frequency using the same. - 特許庁

強誘電体又は高誘電体を容量絶縁膜に持つ容量素子を備えた半導体装置において、容量絶縁膜のエッチングダメージを回復する熱処理を行なえると共に、容量絶縁膜に生じる水素の還元による容量素子の特性劣化を防止できるようにする。例文帳に追加

To ensure a heat treatment for recovering the etching damage of a capacitance insulating film and to prevent the characteristic degradation of a capacitive element due to the reduction of hydrogen generated at the capacitance insulating film, in a semiconductor device provided with the capacitive element having a ferroelectric or a high dielectric in the capacitance insulating film. - 特許庁

誘電体粒子の表面に被膜が強固に形成され、焼結開始温度の高い誘電体原料粉末とその製法、ならびに、このような誘電体原料粉末の焼結体を誘電体層として用いた高容量かつ高信頼性の積層セラミックコンデンサとその製法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a dielectric raw powder with a coating film firmly formed on the surface of the dielectric particle and having a high sintering initiation temperature and its manufacturing method, and a multilayered ceramic capacitor of a large capacity and high reliability using the sintered compact of such dielectric raw powder as a dielectric layer and its manufacturing method. - 特許庁

基板表面に対して垂直方向の自発分極成分をもつとともに、強誘電性の低下を招くことなく、電流のリーク及び耐疲労特性に優れた低温成長可能な強誘電体薄膜及びその電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric substance having spontaneous polarization component in vertical direction to substrate surface and excellent in leak resistance of electric current and fatigue resistance and capable of carrying out low-temperature growth without causing lowering of ferroelectric property and electronic part thereof. - 特許庁

中間調の表示を可能とする高分子安定化強誘電性液晶表示素子において、TFT（薄膜トランジスター）駆動が可能レベルに駆動電圧を低減することが可能な高分子安定化強誘電性液晶組成物およびそれを用いる表示素子を提供する。例文帳に追加

To provide such a polymer stabilized ferroelectric liquid crystal composition for use in a polymer stabilized ferroelectric liquid crystal display element enabling a half-tone display, which allows the driving voltage to be reduced to the level capable of driving a TFT (a thin film transistor) and to provide a display element using it. - 特許庁

（ａ）工程：基板２上に強誘電体薄膜を形成可能な感光性組成物３を塗布し、感光層を形成し、所定のパターンの露光を行い、現像することにより、強誘電体形成性組成物層３をパターニングする。例文帳に追加

In a stage (1), a photosensitive composition (ferroelectric forming composition layer) 3 which can form a ferroelectric thin film on a substrate 2 is applied to form a photosensitive layer, which is exposed to a specific pattern and developed to pattern the ferroelectric forming composition layer 3. - 特許庁

強誘電体不揮発性メモリ８０は、所定の半導体基板１１上において、所定の絶縁膜１２を介してゲート電極１３形成されてなるＭＯＳ型又はＭＩＳ型のトランジスタ５０と、ゲート電極１３、このゲート電極１３上に形成された強誘電体薄膜１７、及び強誘電体薄膜１７上に形成された上部電極層１６で構成される一対の強誘電体キャパシタ６０とから構成される、複数のメモリセル７０を含んでいる。例文帳に追加

A ferroelectric nonvolatile memory 80 includes a plurality of memory cells 70 each composed of a MOS or MIS transistor 50 formed from a gate electrode 13 through a predetermined insulating film 12 on a predetermined semiconductor wafer 11 and a pair of ferroelectric capacitors 60 each composed of the gate electrode 13, a ferroelectric thin film 17 formed on the gate electrode 13 and an upper electrode layer 16 formed on the ferroelectric thin film 17. - 特許庁

強誘電体多層構造に関し、〔１１１〕配向した強誘電体膜に〔１１１〕軸と垂直な二次元応力を印加し、ポテンシャルに及ぶ影響を理論的に考察した結果を基にして耐熱性に優れた強誘電体多層構造を実現し、ＦｅＲＡＭの昇温に起因する記憶情報消失を抑止しようとする。例文帳に追加

To realize a ferroelectric multilayer structure having excellent heat resistance based on the theoretical consideration about the effect on potential, when two-dimensional load of the [111] axis and the vertical axis is loaded on the [111] oriented ferroelectric membrane and to inhibit the memorized information from vanishing due to the temperature rise of an FeRAM. - 特許庁

誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、薄膜形成が容易な多孔質膜を形成し得る膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for forming a porous film wherein dielectric characteristic, adhesion, uniformity of coating film, and mechanical strength are superior and moisture absorption is reduced, the porous film and its manufacturing method, and a semiconductor device with high performance and reliability wherein the porous film is incorporated. - 特許庁

これにより、チタンナイトライド膜５０、チタンアルミナイトライド膜６０、イリジウム膜７０及び強誘電体膜８０を結晶性良く形成することができる。例文帳に追加

According to this method, the titanium nitride film 50, the titanium aluminum nitride film 60, the iridium film 70 and the ferroelectric film 80 can be formed with good crystallinity. - 特許庁

第１層間絶縁膜１０１は、シリコン酸化膜のような無機膜系であり、低誘電率の第２層間絶縁膜１０２より低吸湿性で物理的強度が高い。例文帳に追加

The first interlayer insulating film 101 is in an organic film family, such as a silicon oxide film, and has low hygroscopicity and high physical strength as compared with the second interlayer insulating film 102 having a low dielectric constant. - 特許庁