「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

次いで、酸素の雰囲気中又は不活性ガスを含む酸素雰囲気中で、常圧下のＲＴＡを行うことにより、強誘電体膜１０ａを結晶化させる。例文帳に追加

Next, the ferroelectric film 10a is crystallized by executing RTA under ordinary pressure in an atmosphere of oxygen or an oxygen atmosphere containing an inactive gas. - 特許庁

ペロブスカイト構造をもち、かつそれら構造を擬立方晶と見なした場合の（１１０）面を表面とする導電性ペロブスカイト型単結晶基板などに、層状ペロブスカイト強誘電体薄膜が形成される。例文帳に追加

A layered perovskite ferroelectric thin film is formed on an electroconductive perovskite type single crystal substrate, etc., having perovskite structure and using (110) face when considering its structure as a pseudocubic as the surface. - 特許庁

強誘電体を用いた容量素子を備えた半導体記憶装置において、水素による容量素子特性の劣化を防止できる水素バリア膜の構造を提供する。例文帳に追加

To provide a structure of a hydrogen barrier film for preventing deterioration in capacitance element characteristic by hydrogen in a semiconductor storage device provided with a capacitance element using a ferroelectric material. - 特許庁

これは、このような組成とすることにより、水素に対する触媒作用が抑えられ、ＰＺＴ膜２４が水素ラジカルにより還元されるという問題が抑制され、強誘電体キャパシタの水素耐性が向上するからである。例文帳に追加

This is because such a composition can suppress a catalytic action for hydrogen to solve a problem that the PZT film 24 is reduced by hydrogen radicals and resistance against hydrogen of a ferroelectric capacitor is improved. - 特許庁

ワード線方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタの下部電極１０９同士の間には第１の絶縁性水素バリア膜１１１が埋め込まれている。例文帳に追加

A first insulative hydrogen barrier film 111 is embedded between the lower electrodes 109 of a plurality of the ferroelectric capacitors arranged in the word line direction. - 特許庁

本発明は、半導体膜を有する強誘電性の粒状体からのマイナス電位の供給と、クッションリングから発生するマイナスイオンとにより効果を高めた美容ローラーを提供するものである。例文帳に追加

To provide a beauty roller enhanced in effect by the supply of the negative potential from a ferrodielectric granular material having a semiconductor film and the negative ions produced from a cushion ring. - 特許庁

製造効率を低下させることがなく、かつ、水素拡散防止の機能が確保できる水素拡散防止膜を備え、微細化しても水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory which has a hydrogen diffusion preventive film offering a hydrogen preventive function without deteriorating manufacturing efficiency, and prevents characteristic deterioration due to a hydrogen diffusion even if subjected to microfabrication. - 特許庁

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。例文帳に追加

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention. - 特許庁

陶磁器の内面に対して、フリット釉と強誘電体としての物性を示す鉱石とを混合した釉薬を施釉して焼成された被膜層が積層形成されている。例文帳に追加

A coating film layer obtained by applying and firing glaze prepared by mixing frit glaze with the ore showing physical property as a ferroelectric is laminated and formed on the inside surface of the pottery. - 特許庁

また、熱的安定性を高めるために抗電場の高い記録媒体が使われる時、電気的ブレークダウンを起こさずに効果的に強誘電膜のドメインをスイッチングさせうる。例文帳に追加

Also, when the recording medium of the high coercive field is used in order to enhance thermal stability, The domain of the ferroelectric film can be effectively switched without the occurrence of electrical breakdown. - 特許庁

生産性を損なうことなく低廉なコストで配向方位を容易に制御することができるエピタキシャル強誘電体膜を作製することができるようにする。例文帳に追加

To manufacture an epitaxial ferroelectric film whose aligned direction can be easily controlled at a low cost without lowering productivity. - 特許庁

同様に、このレベリング剤を含むキャスティング組成物、積層膜、およびこのレベリング剤を用いて生成された強誘電性フィルムを含むデータ処理デバイスも開示されている。例文帳に追加

A casting composition containing the leveling agent, a laminated film, and the data processing device containing the ferroelectric film produced by using the leveling agent are provided. - 特許庁

半導体装置の製造方法に関し、トレンチ形成層或いはビア形成層の低誘電率性と機械的強度を確保するとともに、膜剥がれを防止する。例文帳に追加

To secure low dielectric constant and mechanical strength of a trench formation layer or via formation layer and to prevent film peeling with respect to a method of manufacturing a semiconductor apparatus. - 特許庁

光導波路素子の電気光学特性を損なうことなく、強誘電体薄膜からなる光導波路に接触するインジウム含有透明酸化物電極を形成することができる光導波路素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing an optical waveguide element capable of forming an indium-containing transparent oxide electrode which comes into contact with an optical waveguide consisting of a ferroelectric thin film without impairing the electro-optic characteristics of the optical waveguide element. - 特許庁

低誘電率でしかも機械的強度の高く、平坦性の高い絶縁膜を形成できる有機無機複合体、その製造方法およびその複合体を用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic/inorganic composite which can form an insulating film having a low dielectric-constant, high mechanical strength and high flatness, to provide its manufacturing method, and to provide a semiconductor device using the composite. - 特許庁

電気特性をそこなわず、回復アニール時に上部電極又は下部電極からのヒロック発生を抑える強誘電体薄膜素子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric substance thin film element without interfering an electric characteristic and suppressing a hillock from an upper electrode or a lower electrode in anneal recovery. - 特許庁

小型で優れた性能を有し、かつ、安価で加工が容易な強誘電体薄膜素子およびそれを用いたセンサとその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a small ferroelectric thin film element which has a superior performance and is easy to process cheaply, a sensor using the same and a method of manufacturing the ferroelectric thin film element. - 特許庁

低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma CVD method which can stably obtain a low dielectric constant and a high mechanical strength over the long term and can manufacture a film with an insulating property. - 特許庁

緻密な保護膜形成により高い水素バリア性を有するキャパシタの保護構造及びその製造方法及びこれを用いた強誘電体メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor protective structure having a high hydrogen barrier effect by forming an extremely precise protective film and a method of manufacturing the same, and also to provide a ferroelectric memory using the protective structure. - 特許庁

容量素子の占有面積を増大させることなく、強誘電体膜の側端部を伝わって上部電極と下部電極との間に流れるリーク電流を低減し、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device which is high in reliability by reducing a leak current flowing along a side end of a ferroelectric film and flowing between an upper electrode and a lower electrode while avoiding an increase of occupation surface area of a capacitive element. - 特許庁

強誘電体膜形成時に半導体基板の裏面に付着する汚染成分が半導体基板中に拡散し、半導体デバイスの特性変動を起こすことを防止する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents the occurrence of a characteristic fluctuation of a semiconductor device due to a fact that contamination components attached to the back of a semiconductor substrate in forming a ferroelectric film spread in the semiconductor substrate. - 特許庁

オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

The present invention relates to the ferroelectric thin film element having high crystallinity, good surface roughness and remarkably improved deposition efficiency through on-axis type sputtering, and to the method of manufacturing it. - 特許庁

外部から電力を供給なしに、半永久的に作動し、強誘電性薄膜の分極反転による疲労を利用して振動回数を長期にわたって記録する。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibration sensor which operates semipermanently without power supply from outside and records the number of vibration for a long time by using fatigue due to polarization inversion of a ferroelectric thin film. - 特許庁

ガラス基板２，４夫々に設けられた配向膜１１，１２間に自発分極を有する強誘電性液晶を充填して液晶層１３を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric liquid crystal having spontaneous polarization is packed between alignment layers 11 and 12 provided on glass substrates 2 and 4, respectively, to form a liquid crystal layer 13. - 特許庁

大量生産の場合等でも対応可能な簡易な方法で、強誘電性有機薄膜に施された分極処理による分極状態を検査することができる分極検査方法等を提供する。例文帳に追加

To provide a polarization inspection method inspecting a polarization state due to polarization processing of a ferroelectricity organic thin film by a simple method applicable for mass production. - 特許庁

強誘電体キャパシタの分極特性を向上させつつ、ＭｇＯ膜の還元を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same which can suppress reduction of an MgO film while improving polarization characteristics of a ferroelectric capacitor. - 特許庁

強誘電性液晶パネルにおいて、第１の電極２３は、第２の電極２４より、一方向に配向方向を有する配向膜２６，２７の配向方向に対して直交方向に形成された領域が多い電極である。例文帳に追加

In the ferroelectric liquid crystal panel, a first electrode 23 is an electrode which has more regions formed in a direction normal to alignment directions of alignment layers 26, 27 having alignment direction in one direction than those of a second electrode 24. - 特許庁

比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。例文帳に追加

To prepare a porous silica film which has a low relative permittivity and the mechanical strengths to sufficiently withstand a chemical and mechanical polishing (CMP) step in the copper wiring step of a semiconductor device and, simultaneously, reduces the amount of gaseous pollutants on forming a via hole. - 特許庁

増幅器はさらに、第１および第２増幅器の１つの信号路に配置された位相制御回路を含み、この位相制御回路は、少なくとも１つの薄膜強誘電性素子を備える。例文帳に追加

The amplifier further includes a phase control circuit arranged in a signal path of one of the first and second amplifiers, the phase control circuit comprising at least one thin film ferroelectric element. - 特許庁

また、パルスの極性を双極にしたり、強誘電体薄膜デバイスが破壊されない範囲で回復処理用のパルスの電圧を上げたりすることで、回復処理の効率を上げる。例文帳に追加

The efficiency of recovery treatment is improved, by making the polarity of pulses bipolar and increasing the voltage of pulses for recovery treatment to within the range, in which the ferroelectric thin-film device is not broken. - 特許庁

強誘電体キャパシタの下層との接続孔１０７を、タングステン膜からなる第二の導電体109で埋め込み、接続孔の内部以外を異方性ドライエッチングにより除去して接続孔より突出させる。例文帳に追加

A connecting hole 107 with the lower layer of the ferroelectric capacitor is filled with a second electric conductor 109 composed of a tungsten film, and the lower layer except for the inside of the connecting hole is removed by anisotropic dry etching and protruded out of the connecting hole. - 特許庁

強誘電体の分極工程においてウエハ面内にピンホール等の欠陥や膜質のバラツキが発生しても同様な分極性能を得られるという効果を提供する事を目的とするものである。例文帳に追加

To provide a polarizing apparatus for ferroelectrics whereby, even when there are generated such defects and variations of film qualities as pin holes in the surfaces of wafers with respect to the polarizing processes of the ferroelectrics, their equal polarized performances can be obtained to each other. - 特許庁

プラスティックフィルム基板を用いた自己保持型ポリマー安定化強誘電性液晶の膜厚の制御を可能とし、軽量で大面積な液晶光変調器を提供すること。例文帳に追加

To provide a light-weight and large-area liquid crystal optical modulator which is capable of controlling the film thickness of a self holding polymer stabilizing ferroelectric liquid crystal used a plastic film substrate. - 特許庁

ガラス基板２，４夫々に設けられた配向膜１１，１２間に自発分極を有する強誘電性液晶を充填して液晶層１３を形成する。例文帳に追加

A ferroelectric liquid crystal having a spontaneous polarization is packed between alignment layers 11 and 12 provided on glass substrates 2 and 4 respectively to form a liquid crystal layer 13. - 特許庁

強誘電性液晶パネルでその構成に、隔壁構造を有するパネルで液晶注入の際に、未注入部の発生を防ぐような、隔壁パターンと配向膜表面の構成を提案するものである。例文帳に追加

To provide a barrier wall pattern and an alignment layer surface constitution for preventing the generation of a liquid crystal non-injected part when a liquid crystal is injected into a panel having a barrier wall structure, in a ferroelectric liquid crystal panel. - 特許庁

ａ、ｂ軸方向への配向性を損なうことなく、ｃ軸方向への結晶の成長が抑制されたＢｉ系強誘電体薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method for a bismuth-based ferroelectric thin film, capable of inhibiting crystal from growing in a direction of c-axis without deteriorating origination properties in directions of a-axis and b-axis. - 特許庁

低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma CVD device for stably obtaining a low dielectric constant and high mechanical strength in a long term, and for manufacturing a film whose insulating characteristics are secured. - 特許庁

不揮発性ＳＲＡＭセルに設けられる強誘電体キャパシタの膜質の安定化を図ると共に、セル面積の縮小化に寄与する積層構造を提供する。例文帳に追加

To make a ferroelectric capacitor provided to a nonvolatile SRAM stable in film quality and to provide a laminated structure contributing cell area reduction. - 特許庁

比較的簡便な方法（被覆条件、手法など）で、種々の基材に適用可能なＩ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体の強誘電性薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a ferroelectric thin film made of vinylidene fluoride homopolymer having I type crystal structure applicable to various types of base materials by using relatively easy and simple procedures (a coating condition, technique, or the like). - 特許庁

その膜は、強誘電性材料またはその他の複屈折材料からなることができ、ライトバルブのリターダンスが、対象となるスペクトルにわたりほぼ180度またはその他の望ましい角度であることを保証する。例文帳に追加

By this constitution, the light valve is made colorless and decrease in the contrast is hardly caused. - 特許庁

低比誘電率であり、機械的強度および薬液耐性などにも優れ、半導体素子などにおいて好適に用いることができる絶縁膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an insulating film that is low in specific inductive capacity, is excellent in mechanical strength, chemical resistance, etc., and can be used suitably in a semiconductor element etc. - 特許庁

反強誘電性液晶を用いた非フルドット型の液晶表示装置において、非表示部において遮光膜を設置することや通電処理のための電極を付加することを不要にする。例文帳に追加

To eliminate the deposition of a light shielding film on a non-display part and the addition of electrodes for energizing in a non-full-dot type liquid crystal display device using an antiferroelectric liquid crystal. - 特許庁

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。例文帳に追加

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1. - 特許庁

高い機械強度を有し、半導体素子の層間絶縁膜として適用することにより、ＣＭＰ耐性が向上し、広いプロセスマージンを確保でき、ＬＳＩの高性能化、高信頼性、高歩留りが達成される低誘電率膜を提供する。例文帳に追加

To provide a low-permittivity film which has a high mechanical strength, improves the CMP resistance by applying as a layer insulation film for semiconductor elements, can ensure a wide process margin, and attains a high performance, high reliability and high yield of LSI. - 特許庁

低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性を備えた半導体装置用絶縁膜及びその製造装置、当該半導体装置用絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a water-resistant insulating film for a semiconductor device with the characteristics of a low dielectric constant, a low leakage current and high mechanical strength, in which change with time of the characteristics is little, to provide a manufacturing apparatus of the insulating film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device using the insulating film for the semiconductor device. - 特許庁