「強誘電性膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

強誘電体容量に抗電界以上の大きな電界を印加して分極を確実に起こさせると共にゲート絶縁膜の破壊を防止し、かつ分極による電荷でもゲート電極に十分大きな電圧を印加できる不揮発性機能を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a nonvolatile function by which polarization can be surely generated by applying to a ferroelectric substance capacity an electric field larger than the coercive electric field, the destruction of a gate insulation film be also prevented, and a high voltage is sufficiently applied to a gate electrode, even by electric charge which generate polarization. - 特許庁

基板上の強誘電性キャパシタにおいて使用するのに適した下部電極の製造方法であって、該基板上に接着層を形成する工程と、該接着層上に３００〜８００℃にて堆積されるプラチナ薄膜層を形成する工程とを含む。例文帳に追加

This manufacturing method of a lower electrode, which is suitable for use in a ferroelectric capacitor on a substrate comprises a process for forming an adhesion layer on the substrate and a process for forming a platinum thin-film layer deposited on the adhesion layer at 300 to 800°C. - 特許庁

素焼き品の素地表面に、トルマリンを含有する釉薬を塗布した後、還元雰囲気下、最高１１００〜１４００℃の温度範囲で焼成することにより、素地表面に、強誘電体としての特性が維持されたトルマリンを含有する被膜層が形成された陶磁器を製造する。例文帳に追加

Glaze containing tourmaline is applied to the body surface of biscuit fired goods and is then fired in a temperature range up to maximum 1,100 to 1,400°C, by which the pottery formed with a coating layer containing tourmaline having the maintained characteristics as the ferroelectric substance is manufactured. - 特許庁

この厚膜シート１０は、ＦＥＤの製造に好適に用いることができ、しかも、コア誘電体１２に導体層１８が積層された構造であることに基づく機械的特性に加えて、それらの境界部における亀裂が帯状補強層２２によって好適に抑制される。例文帳に追加

This thick film sheet 10 can be used suitably for the manufacture of FED, and since the conductor layer 18 is laminated on the core dielectric 12, it has a good mechanical property, and cracks at the border of these can be suppressed appropriately by the belt-shaped reinforcement layer 22. - 特許庁

また、本実施形態では、Ｓｒ（Ｒｕ_ｘＩｒ_ｙ）Ｏ_３のＲｕの組成比ｘをＩｒの組成比よりも大きくするため、ＰＺＴからなる強誘電体膜１２上に界面の整合性を保って上部電極１３を形成できる。例文帳に追加

In an embodiment, the composition ratio (x) of Ur of Sr(Ru_xIr_y)O_3 is made larger than that of Ir, so the upper electrode 13 can be formed while maintaining consistency of an interface on the ferroelectric film 12 made of PZT. - 特許庁

気相エピタキシャル成長法による場合の膜表面粗さの問題、ゾルゲル法による場合の一回当たりの膜形成厚みの制限、異なる屈折率の層からなる積層構造膜を形成する際の工程の複雑化などの問題を解決し、良好な特性を備えたエピタキシャル強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。例文帳に追加

To efficiency manufacture an epitaxial ferroelectric thin film element provided with excellent characteristics by solving such problems as film surface roughness in the case of using a vapor epitaxial growth method, restriction of film thickness formed each time in the case of using a sol-gel method, complexity of a process in forming a laminated structure film consisting of layers with different refractive indexes and so on. - 特許庁

半導体記憶装置のキャパシタの構成要素として、強誘電体等の容量絶縁膜を液状材料の塗布により形成する製造方法において、ＣＭＰによる下部電極へのスクラッチ防止と、容量絶縁膜膜厚のメモリセルアレイ内、下部電極内での均一性を実現し、キャパシタ特性を向上させる。例文帳に追加

To enhance the capacitor characteristics by preventing scratch of a lower electrode due to CMP, and ensuring uniformity of the thickness of a capacity insulating film in the memory cell array and in the lower electrode, in the manufacturing method of a semiconductor memory device in which the capacity insulating film of ferroelectric, or the like, is formed as a component of a capacitor by application of a liquid material. - 特許庁

従来のポリベンゾオキサゾール樹脂に比べ低温でも充分硬化できるとともに、空気雰囲気下で硬化でき、かつ、引張強度および伸びなどの優れた機械的特性、吸水率および誘電率などの絶縁特性、ならびに超耐熱性を有する硬化膜が得られる皮膜形成用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for forming a film which can satisfactorily be cured at a lower temperature compared with that for the conventional polybenzoxazole resin and also can be cured under the air ambience and which gives a cured film having excellent mechanical characteristics such as typified by tensile strength and elongation, excellent insulating characteristics such as water absorption and dielectric constant, and super heat resistance. - 特許庁

不揮発性メモリーの、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９（ＳＢＴ）、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３（ＰＺＴ）などを用いた強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）の実用化において、これらの膜を作成するための成膜原料を実用化レベルでＣＶＤのような成膜装置に気化させて供給するための気化装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vaporizing device to vaporize and feed a film forming material to a film forming device such as a CVD on the practical level in the practical use of a ferroelectric memory (FeRAM) using SrBi2Ta2O9(SBT), Pb(Zr, Ti)O3(PZT), etc., of a non-volatile memory. - 特許庁

強誘電性液晶を駆動するための画素電極１０の、絶縁膜８と対向する面と反対側の面には、液晶分子を配向させるための配向膜７が形成されており、画素電極１０どうしの間の溝である画素間段差溝１３は、配向膜７と一体的に、同一材料によって充填されている。例文帳に追加

An alignment film 7 is formed on the surface of pixel electrodes 10 to drive a ferroelectric liquid crystal in the side opposite to the face opposing to an insulating film 8, and the groove 13 between pixels as a groove between pixel electrodes 10 is filled with the same material as the alignment film 7 as integrated. - 特許庁

溶液気化方式で原料を供給するＣＶＤでＰＬＺＴ膜を製造する方法において、Ｌａ源としてＬａ（ｄｐｍ）_３より熱分解堆積しやすく、基板温度が４５０℃と低くても強誘電性の膜が得られるＬａ原料化合物を特定し、その製法とＰＬＺＴ膜の製法を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material compound for La, being more easily heat decomposed/deposited than La(dpm)_3, forming a ferroelectric film even if a substrate temperature is as low as 450°C in producing a PLZT film by CVD supplying the raw material by a solution vaporizing method, and to provide a method for producing the compound and a method for forming the PLZT film. - 特許庁

基板１上に周辺回路２１，２２を転写形成し、周辺回路２１，２２を含む基板１上に平坦化膜３を形成した後、平坦化膜３上にＸストライプ電極６１，６２，…，６ｎ、強誘電性有機薄膜７、及びＹストライプ電極８１，８２，…，８ｍを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。例文帳に追加

The simple matrix type memory element is formed in such a way that, after peripheral circuits 21 and 22 are formed on a substrate 1 by transfer and a flattened film 3 is formed on the substrate 1 including the circuits 21 and 22, X-stripe electrodes 61-6n, a ferroelectric organic thin film 7, and Y-stripe electrodes 81-8m are successively formed on the flattened film 3. - 特許庁

強誘電体膜をスパッタリングにより形成する際に、形成された膜に対して酸化雰囲気中での熱処理のみを行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を２７０Ｇａｕｓｓ以上に設定し、一方形成された膜に対して不活性雰囲気中での熱処理と酸化雰囲気中での熱処理を行なう場合には、ターゲットに印加される磁場を３４９Ｇａｕｓｓ以下に設定する。例文帳に追加

When only a thermal process in an oxidizing atmosphere is performed with a film which is formed by sputtering a ferroelectrics film, the magnetic field applied to a target is set to 270 Gausses or higher, and when thermal process in an inert atmosphere and that in the oxidizing atmosphere are performed with the formed film, the magnetic field applied to the target is set to 349 Gausses or lower. - 特許庁

シリコンウェハー、ディスプレイ、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ或いはレンズなどの基体上に、透明であって、しかも、低反射率で且つ低誘電率であるとともに、械的強度や基板に対する密着性に優れた薄膜を形成するための膜形成用組成物及び膜の形成方法に関する。例文帳に追加

To provide a film-forming composition for forming such a thin film on a substrate of a silicon wafer, a display, a liquid crystal display, a plasma display or a lens, as is transparent and of a low reflectivity and low dielectric constant and also is excellent in the mechanical strengths and in the adhesive property to the substrate, and to provide a method for forming the film. - 特許庁

比誘電率が低く機械的強度及び密着性の高い有機高分子膜を形成するため、均一且つ微細な分子サイズの空孔を有すると共に高架橋密度である有機高分子膜を形成することができる前駆体溶液と、該前駆体溶液を用いた有機高分子膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a precursor solution capable of being used for forming an organic polymer film having a low dielectric constant, high mechanical strength, and high adhesion and capable of forming the organic polymer film having uniform and microporous voids of a molecular size and further having a high crosslinking density, and to provide a method for forming the organic polymer film using the precursor solution. - 特許庁

強誘電性液晶層３０内の液晶分子は、基板１０及び２０間に電圧が印加されない状態において、その分子軸の軸方向の配向膜１４への投影成分と、同分子の描くコーンの軸方向の配向膜１４への投影成分とが、配向膜１４の配向方向とそれぞれ一致して安定化されている。例文帳に追加

When voltage is not applied between substrates 10 and 20, a projection component to an alignment layer 14 in the axial direction of the molecular axis of liquid crystal molecules in a ferroelectric liquid crystal layer 30 and a projection component to the alignment layer 14 in the axial direction of a cone which the liquid crystal molecules draw coincide respectively with the alignment direction of the alignment layer 14 and stabilized. - 特許庁

酸化物単結晶からなる基板と非晶質酸化物または半導体からなる二次元周期構造部によってモールドを構成し、このモールド上に結晶化温度より低い温度で化学的気相成長法でアモルファス膜を形成し、このアモルファス膜を結晶化温度以上に加熱させることによって、エピタキシャル結晶性を有する強誘電体薄膜を形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing the ferroelectric thin film two-dimensional photonic crystal constitutes mold by a substrate consisting of an oxide monocrystal and a two-dimensional periodical structure consisting of amorphous oxide or a semiconductor, forms an amorphous film by a chemical gas phase growth method at a lower temperature than a crystallization temperature, and forms a ferroelectric thin film having epitaxial crystallinity. - 特許庁

半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜に、前記半導体基板上の素子に接続する導電性プラグを形成する工程と、前記導電性プラグ上に、チタンアルミナイトライドから成る酸素バリア層を形成する工程と、前記酸素バリア層上に、チタンから成るシード層を形成する工程と、前記シード層上に、強誘電体キャパシタの下部電極膜を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor device includes steps of: forming the conductive plug connecting with an element on a semiconductor substrate on an insulation film of the semiconductor substrate; forming an oxygen barrier layer comprising titanium aluminum nitride on the conductive plug; forming a seed layer comprising titanium on the oxygen barrier layer, and forming a lower electrode film of the ferroelectric capacitor on the seed layer. - 特許庁

１トランジスタ型メモリセルを用いる不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタのゲート絶縁膜の厚さ方向の少なくとも一部を、Ｌｉ、ＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれた少なくとも一種類の元素によりＺｎの一部が置換された強誘電性のＺｎＯ薄膜により構成する。例文帳に追加

In this nonvolatile semiconductor storage device using single transistor memory cells, at least part of the gate insulating film of a transistor in the thickness direction is constituted of a ferromagnetic ZnO thin film the Zn of which is partially replaced with at least one kind of element selected from among a group composed of Li, Be, and Mg. - 特許庁

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層５、６の一方側と下部電極９との第１コンタクト部１５と上部電極１１とソース・ドレイン拡散層５、６の他方側との第２コンタクト部１７をそれぞれ第１耐酸化性導電膜１３、第２耐酸化性導電膜１６で形成する。例文帳に追加

Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively. - 特許庁

本発明は、基材と、上記基材上に形成された電極層と、上記電極層上に形成され、ストライプ状の親液性領域および撥液性領域が交互に配列された濡れ性変化パターンと、上記親液性領域上に形成された配向膜とを有することを特徴とする強誘電性液晶用配向処理基板を提供することにより、上記目的を達成する。例文帳に追加

The alignment-treated substrate for the ferroelectric liquid crystal is characteristically provided with: a substrate; an electrode layer formed on the substrate; a stripe shaped wettability changing pattern which is formed on the electrode layer and has alternately arranged lyophilic regions and lyophobic regions; and an alignment layer formed on the lyophilic regions. - 特許庁

オンからオフになる時の応答速度を決定する時強誘電性配向膜の極性に対する反応性が作用する原理を利用して、立ち上がり（rising）時と反対になる極性の過電圧を立ち下がり（falling）時に所定期間印加することで、立ち下がり時間を短くする横電界方式の液晶表示装置駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for driving a transverse electric field type liquid crystal display device with a shortened falling time in determining response speed from an on state to an off state by using a principle of action of reactivity of a ferroelectric alignment layer toward polarity and applying an overvoltage in the falling time with polarity, reverse to that in a rising time, for a predetermined period. - 特許庁

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。例文帳に追加

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800). - 特許庁

互いに対向する第１基板１および第２基板２と、第１基板１および第２基板２の対向する面にそれぞれ形成され、ラビング法によって配向処理された第１配向膜５および第２配向膜６と、第１基板１と第２基板２との間に、高分子強誘電性液晶を含む液晶材料が封入されて形成された液晶層７とを備える。例文帳に追加

The display element includes: first and second substrates 1, 2 facing each other; first and second alignment films 5, 6 which are oriented by a rubbing method and provided at opposing sides of the first and second substrates 1, 2 respectively; and a liquid crystal layer 7 formed by introducing a liquid crystal material containing high molecular weight ferroelectric liquid crystals between the first and second substrates 1, 2. - 特許庁

ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。例文帳に追加

By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided. - 特許庁

プログラム素子は、シリコン基板１００に形成されたＣＭＯＳ回路からなるスイッチング素子と、下部電極１１８Ａ、強誘電体薄膜からなる容量絶縁膜１１９Ａ及び上部電極１２０Ａからなりスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を保持する不揮発性記憶素子とを有する。例文帳に追加

The program element has a switching element composed of a CMOS circuit formed on a silicon substrate 100 and a nonvolatile storage element which consists of a lower electrode 118A, a capacity insulating film 119A formed of a ferroelectric thin film, and an upper electrode 120A, and holds the on or off state of the switching element. - 特許庁

配線構造の形成される絶縁膜の構造、材質等の態様に依存しない当該配線構造に普遍的な判断基準を確立し、これに基づいて、前記絶縁膜の一部に低誘電率材料を用いた場合でも十分な機械的強度を保ち、しかもストレスマイグレーション特性を大幅に向上させることを可能とする。例文帳に追加

To maintain sufficient mechanical strength even when a material of low dielectric constant is used for a part of an insulation film based on a universal judgmental standard by establishing the universal judgmental standard for a wiring structure that does not depend on a state of an insulation film, in which the wiring structure is formed, such as a structure and a material, etc., and to improve a stress migration characteristic. - 特許庁

比較的簡便な方法（被覆条件、手法など）で、種々の基材に適用可能なＩ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体の薄膜の形成方法、Ｉ型結晶構造のフッ化ビニリデン単独重合体を純度良くかつ効率良く製造する方法、さらに強誘電性に優れた薄膜を与え得る新規なフッ化ビニリデン単独重合体を提供する。例文帳に追加

To provide a relatively convenient method of forming, e.g. through convenient procedures under convenient coating conditions, a thin film of a vinylidene fluoride homopolymer being applicable to various types of substrates and having a type-I crystal structure, a method of manufacturing a vinylidene fluoride homopolymer of a type-I crystal structure efficiently with a high purity and a novel vinylidene fluoride homopolymer capable of producing a thin film having excellent ferroelectricity. - 特許庁

少なくともホタル石型結晶上に単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長している結晶構造を有し、高性能で信頼性が高く、その上高集積化が可能な素子を作製するための結晶材料として有用なエピタキシャル複合構造体並びにこのものを利用した強誘電体素子及び超伝導体素子を提供すること例文帳に追加

To obtain an epitaxial composite structure at least having a crystal structure in which the thin film of a simple perovskite type crystal is epitaxially grown on a fluorite-type crystal so as to form (011) orientation, and useful as a crystalline material for forming an element having a high performance and reliability, and capable of being highly integrated, and further to provide a ferroelectric element and a superconductor element by utilizing the structure. - 特許庁

固体電解コンデンサは、表面に陽極酸化皮膜２ａが形成された陽極箔２と陰極箔３とがセパレータ４を介して巻回され、前記セパレータ４に導電性高分子からなる固体電解質層７が保持された構造を有し、前記固体電解質層７は、分極方向が同一の強誘電性微粉末を含有している。例文帳に追加

The solid electrolyte capacitor has a structure in which an anode foil 2 having an anode oxidation film 2a formed thereon, and a cathode foil 3 are wound on the surface via the separator 4, and in which a solid electrolyte layer 7 consisting of the conductive high polymers is held in the separator 4, wherein the solid electrolyte layer 7 contains ferroelectric impalpable powder with the same polarizing direction. - 特許庁

第１電極３２、強誘電体膜３４及び第２電極３６の少なくとも一部材を形成するための材料が優先的に堆積される表面特性を有する第１の領域３２４と、第１の領域３２４に比較してキャパシタ部分を構成する少なくとも一部材を形成するための材料が堆積され難い表面特性を有する第２の領域３２６と、を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method of the ferroelectric memory device constitutes a first region 324 having surface characteristics capable of allowing a material for forming at least one member of a first electrode 32, a ferroelectric film 34 and a second electrode 36 to be preferentially deposited, and a second region 326 having surface characteristics capable of allowing the material for forming at least one member comprising a capacitor to be more hardly deposited the first region 324. - 特許庁

電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。例文帳に追加

The radio signal processor comprises an antenna performing the noncontact reception of a radio wave or an electromagnetic wave, a control section for processing a received radio signal, and a section for storing a controlled signal as data formed on the same insulating substrate wherein a plurality of elements for processing the signal are composed of thin film transistors and ferroelectric nonvolatile storage elements. - 特許庁

液晶光変調素子３０は、強誘電性液晶１中に合成樹脂２を分散してなる液晶・樹脂複合体３と、合成樹脂２を主体とする樹脂構造物４とを、配向処理が施された配向膜５ａ、５ｂと透明電極６ａ、６ｂとが付設された透明基板７ａ、７ｂ間に挟んだ構造とされている。例文帳に追加

The liquid crystal optical modulation element 30 is constructed by holding a liquid crystal/resin composite body 3 formed by dispersing a synthetic resin 2 into a ferroelectric liquid crystal 1 and a resin structural object 4 mainly composed of the synthetic resin 2 between transparent substrates 7a and 7b annexed with alignment layers 5a and 5b subjected to alignment treatment and transparent electrodes 6a and 6b. - 特許庁

進行波形光変調器は、強誘電性の電気光学単結晶からなり、相対向する一対の主面を備えている基板２、基板の一方の主面２ａ側に形成されている光導波路５Ａ、５Ｂ、および光導波路中を伝搬する光を変調するための電圧を印加するための少なくとも一対の電極膜６を備える。例文帳に追加

The traveling-wave optical modulator is equipped with a substrate 2 consisting of a ferroelectric electro-optic single crystal and having a pair of principal planes facing each other, optical waveguides 5A, 5B formed on one principal plane 2a of the substrate, and at least a pair of electrode films 6 to apply a voltage to modulate the light propagating in the optical waveguides. - 特許庁

強誘電体膜は、最大印加電界Ｅｍａｘと最小印加電界Ｅｍｉｎの絶対値とを同一に設定して（Ｅｍａｘ＝｜Ｅｍｉｎ｜）測定されるバイポーラ分極−電界曲線が、少なくとも５個の変曲点を有し、かつ、最大分極値Ｐｍａｘと最小分極値Ｐｍｉｎの絶対値とが略等しい（Ｐｍａｘ≒｜Ｐｍｉｎ｜）ダブルヒステリシス性を有するものである。例文帳に追加

In the ferroelectric film, a bipolar polarization-electric field curve measured by making identical the absolute value of the maximum application electric field Emax and that of the minimum application electric field Emin (Emax=|Emin|) has at least five inflection points and double hysteresis properties where an absolute value of the maximum polarization value Pmax is nearly equal to that of the minimum polarization value Pmin (Pmax≈|Pmin|). - 特許庁

第１電極１は、例えばチタン系金属やアルミニウム系金属のような金属または導電体からなる基板（基体）１０の表面を、強誘電体薄膜１１で覆ったもので、その表面が計測対象の溶液７や物質に含まれる酸や塩基に対して十分な耐久性を有するものとなっている。例文帳に追加

In the first electrode 1, a surface of a substrate (base body) 10 comprising metal such as, for example, titanium metal and aluminum metal, or a conductor is coated with a ferroelectric substance thin film 11, and the surface has the sufficient durability against an acid or a base contained in a solution 7 and a substance of a measuring object. - 特許庁

従って、本発明は、応答速度の優れた強誘電性液晶層を上部基板及び下部基板において、ツイストネマティック液晶層のダイナミック配向膜として利用した、視野角が優れて、一般的な横電界型の液晶表示装置の短所である開口率及び輝度低下のない面駆動方式の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

The invention provides an in-plane switching mode liquid crystal display device that uses a ferroelectric liquid crystal layer, having superior response speed as a dynamic alignment layer for a twisted nematic liquid crystal layer on the upper substrate and a lower substrate, and has superior viewing angle and no decrease in the aperture ratio and the luminance which are disadvantages of a general lateral field type liquid crystal display device. - 特許庁

薄膜電気光学偏向装置は、薄い強誘電性酸化物層を含むプレーナ光学導波路と、導電性基板及び導電性エポキシを含む第１の電極と、プレーナ光導波路に連結された第２の電極と、サポート基板と、サポート基板に堆積させられた第２の電極に付着されたクラッド層と、サポート基板及びクラッド層を通過し、第２の電極を外部電圧源へ接続する孔と、を有する。例文帳に追加

This thin film electro-optical deflector consists of a planar optical waveguide containing a thin ferroelectric oxide layer, a first electrode containing a conductive substrate and conductive epoxy, a second electrode connected to the planar optical waveguide, a support substrate, a clad layer adhered to the second electrode deposited on the support substrate, and a hole penetrating through the support substrate and the clad layer and connecting the second electrode to an external voltage source. - 特許庁