「成長双晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

この窒化ホウ素膜は結晶性窒化ホウ素膜であり、結晶性窒化ホウ素の特定の結晶面が、とげ状の側枝を有する硫化亜鉛双晶ナノウィスカーの表面に平行に結晶配向して成長する。例文帳に追加

The boron nitride film is a crystalline boron nitride film grown in a crystal orientation in which a specified crystal face of the crystalline boron nitride is parallel with the surfaces of the zinc sulfide twin crystal nanowhiskers having the spiniform branches. - 特許庁

該双晶境界は相互対称の結晶粒境界で，該結晶粒が一方向凝固で上向きに成長し、完全な多結晶シリコン結晶体を成形することを最も主要な特徴とする。例文帳に追加

It is most mainly characterized in that the twin boundaries are crystal grain boundaries symmetrical to each other, the crystal grains grow upward by one direction solidification, thereby forming a perfect polycrystalline silicon crystal. - 特許庁

シリコン結晶体成形装置は、坩堝底部を冷やす方式で多結晶結晶粒の成長方向をコントロールし、該結晶粒に双晶境界を成形する。例文帳に追加

The silicon crystal forming apparatus controls the growing direction of polycrystalline crystal grains by a system of cooling the bottom part of a crucible, and forms twin boundaries at the crystal grains. - 特許庁

InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate. - 特許庁

縦型ボード法によってＧａＡｓなどの半導体単結晶を成長させる際に、ポリ結晶や双晶の発生率を低減して、歩留まりの低下を防止できる半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a semiconductor single crystal, by which the ratio of generation of polycrystal or twin crystal is reduced and lowering of the yield can be prevented when the semiconductor single crystal such as GaAs is grown by a vertical board method. - 特許庁

金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。例文帳に追加

A crystalline silicon region is formed over a metal substrate by an LPCVD method, whereby whisker-like crystalline silicon consisting of a polycrystalline body which grows in the <110> direction or the <211> direction by letting {111} plane be a twin crystal plane can be obtained. - 特許庁

エピタキシャル成長以外の付加的な工程を必要とせず、かつエピタキシャル成長させた結晶内に生じる反位相領域境界面や双晶のような面欠陥を低減し得る化合物半導体結晶基材及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor crystal base material which is produced by an epitaxial growth process without requiring an additional process and reduces planar defects such as anti-phase area boundary planes or twins, which are formed in the epitaxially grown crystal, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

種結晶を用いず融液表面から垂直方向に徐々に固化させる結晶成長法であって、多結晶、双晶のない単結晶を歩留まりよく生産できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method producing a compound semiconductor single crystal, which comprises growing a crystal by gradually solidifying in the vertical direction from the surface of a melt without using a seed crystal and by which the single crystal free from a polycrystal and a twin crystal can be produced with a good yield. - 特許庁

Ａｌ電極層４は、エピタキシャル成長した配向膜であり、かつＸ線回折極点図において観察される回折パターンが複数の対称中心を有する双晶構造を持つ多結晶薄膜となるようにされる。例文帳に追加

The Al electrode layer 4 is an oriented film grown by epitaxial growth and is also a polycrystalline thin film having a twin structure in which a diffraction pattern observed in an X-ray diffraction pole figure has a plurality of symmetry centers. - 特許庁

半導体薄膜のレーザ結晶化の際に、ドットパターン段差を一定間隔で配置した位相シフタを使い、エネルギ光の光軸の中心近傍に単一の成長性の結晶核を発生させ、放射状に横方向成長させることで、内部に双晶粒界のみを含む実質的に単一の大粒径結晶粒のアレイを作製する。例文帳に追加

At the time of crystallizing a thin semiconductor film with a laser beam, an array of a substantially single crystal grain having a large diameter and only containing a twin crystal grain boundary is created by generating a single growing crystal nucleus near the center of the optical axis of energy light by using a phase shifter, in which dot-pattern steps are arranged at fixed intervals and radially growing the crystal nucleus in the lateral direction. - 特許庁

また、第一クラッド層６は第二ベース層５とＡｌＡｓ混晶比Ｘが同一のＡｌＧａＡｓからなり、第一ベース層３と第二ベース層５との双方の表面に格子整合する形で一体的にエピタキシャル成長されている。例文帳に追加

The first clad layer 6 is formed of AlGaAs whose an AlAs mixed crystal ratio X is the same as the second base layer 5, and it is integrally and epitaxially grown in such a way that it is lattice-matched on surfaces of the first base layers 3 and the second base layers 5. - 特許庁

単分散性と低い双晶発生確率を両立した極微粒子乳剤を得、該極微粒子乳剤を用いて成長を行なうことにより、平板粒子の薄さと未溶解残存粒子の消去の両方を従来にないレベルで両立させた極薄平板粒子を得る。例文帳に追加

To obtain an ultrafine grain emulsion having monodispersibility and low probability of occurrence of twin crystals and to obtain very thin tabular grains ensuring satisfactory thinness of tabular grains and dissipation of undissolved residual grains by carrying out growth using the ultrafine grain emulsion. - 特許庁

III族窒化物系化合物半導体下層６の表面にIII族窒化物系化合物半導体を結晶成長させるに先立って、ｐ型領域１２を形成したい範囲に相当する範囲内の下層６の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方を含ませておく。例文帳に追加

Prior to crystal growth of a group III nitride-based compound semiconductor on a surface of a group III nitride-based compound semiconductor lower layer 6, magnesium and aluminum are both contained near a surface of the lower layer 6 within a range corresponding to the range wherein the p-type region 12 is to be formed. - 特許庁

生体高分子を蒸気拡散法によって結晶成長させる装置において、生体高分子を含有する溶液１１を表面張力により基板２６の間隙に保持し、その基板の間隙近傍に位置して対を成す電極３１によって、間隙に保持された溶液に対して交流電場を印加することで、生体高分子に誘起双極子を誘起して溶液中を移動させ、結晶核の形成を促進する。例文帳に追加

The method using an apparatus for growing the biopolymer crystal by a vapor diffusion process comprises holding a biopolymer-containing solution 11 in the void of a substrate 26 by surface tension, applying an alternating electric field to the above solution by a pair of electrodes 31 located near th void of the substrate to induce an induced dipole into the biopolymer so as to move in the solution, and thus promoting the formation of the crystal nucleus. - 特許庁